ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Здесь К — линейный кинетический коэффициент, а D — коэффициент диффузии в маточной среде. Из этого уравнения следует, что при малых значениях радиуса R скорость роста кристалла лимитируется кинетическими процессами на его поверхности и выражается формулой R = К(Соо — Со), а при достаточно больших размерах кристалла (большие значения /?) скорость роста лимитируется диффузией; тогда уравнение (23.4) приобретает вид R =—D {Со —Сое)/ЯСт, т.е. радиус кристалла возрастает пропорционально В первом случае сферическая поверхность устойчива, так как, с одной стороны, концентрация в растворе у фронта роста Cs примерно равна Соо и там отсутствуют градиенты концентрации, которые приводили бы к возмущающему действию диффузии. С другой стороны, стабилизирующее влияние поверхностного натяжения сохраняется. Во втором случае, как уже было показано, сферическая поверхность неустойчива. Переход от одного закона роста к другому происходит при KCtRID 1, так что сфера должна быть устойчивой, пока ее радиус не достигнет значения R « D?KCt.