ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы к значению верхнего предела текучести, полученному из опытов по макроскопической деформации Si, откуда определялся критический радиальный перепад для соответствующих температур. На основании сопоставления экспериментально определенных значений радиальных температурных перепадов при выращивании кристаллов Si методом Чохральского (20—49° С) с расчетными значениями для разных температур в [46] сделан вывод о том, что в кристаллах Si дислокации образуются под действием термических напряжений в температурном ин-тех)вале от точки плавления до —1200“ С (а в бездислокационном — до —1300° С). Поскольку в [46] в качестве напряжений, при которых образуются дислокации в растущем кристалле, как и в [45], использованы явно завышенные значения а, значения критических оказались также сильно завышенными, а температурный интервал генерации дислокаций — существенно заниженным. Кроме того, при расчете о рассматривалась только радиальная разность температур, а использованная приближенная формула не позволяет учесть температурный профиль, от которого зависят величина и распределение термических напряжений в кристалле.