ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы где X — диэлектрическая проницаемость; 8р, 6п — добавки, обусловленные наличием в полупроводнике соответственно донорных и акцепторных примесей. Заметим, что приР = О (случай />-полу-проводника) имеем бр = 0; если при этом полупроводник вырожден (случай практически полной ионизации примеси), то б„ 1. В случае М = О (случай п-полупроводника) имеем б„ = 0; при этом в случав вырожденного полупроводника бр <С 1-