Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

[<< Стр.]    [Стр. >>]

собой наложение триплета, принадлежащего атому В, синглета ион-радикала 0 -пТ> 0 и узкой линии захваченного электрона. После выдерживания образца при температуре —150° С триплет атома В исчезает и остаются, как и в случае НаО, два синглета  относящиеся к О -иВзО и захваченному электрону (рис. 12, б). В случае ВаО ширина линии, приписываемой О -иВаО, та же, что и для НаО. Это подтверждает отмеченное выше предположени& о том, что неспаренный электрон в этом ион-радикале локализован на атоме кислорода. В то же время линия, принадлежащая захваченному электрону, сужается (ДЯ = 7 э). Последнее, по-видимому, обусловлено взаимодействием электрона со спинами окружающих ядер и различием в величинах магнитных моментов ядер Н и В.

[<< Стр.]    [Стр. >>]


[Выходные данные]

ПОИСК





собой наложение триплета, принадлежащего атому В, синглета ион-радикала 0 -пТ> 0 и узкой линии захваченного электрона. После выдерживания образца при температуре —150° С триплет атома В исчезает и остаются, как и в случае НаО, два синглета относящиеся к О -иВзО и захваченному электрону (рис. 12, б). В случае ВаО ширина линии, приписываемой О -иВаО, та же, что и для НаО. Это подтверждает отмеченное выше предположени& о том, что неспаренный электрон в этом ион-радикале локализован на атоме кислорода. В то же время линия, принадлежащая захваченному электрону, сужается (ДЯ = 7 э). Последнее, по-видимому, обусловлено взаимодействием электрона со спинами окружающих ядер и различием в величинах магнитных моментов ядер Н и В.


© 2025 chem21.info Реклама на сайте