Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

[<< Стр.]    [Стр. >>]

Предварительно, перед началом опытов были проведены измерения температуры поверхностей экранов при различных параметрах выращивания. Средняя температура наружной стенки, ие находящейся в контакте с расплавом, составляла 850° С. Внутренняя коническая поверхность, обращенная в сторону кристалла, имела температуру 770° С у основания и 730° С у вершины при конусности 30°. При увеличении угла конуса до 45° температура по высоте экрана изменялась от 790° С у основания до 715° С у вершины экрана. Темиература потолочного экрана составляла 600° С.

[<< Стр.]    [Стр. >>]


[Выходные данные]
[Выходные данные]

ПОИСК





Предварительно, перед началом опытов были проведены измерения температуры поверхностей экранов при различных параметрах выращивания. Средняя температура наружной стенки, ие находящейся в контакте с расплавом, составляла 850° С. Внутренняя коническая поверхность, обращенная в сторону кристалла, имела температуру 770° С у основания и 730° С у вершины при конусности 30°. При увеличении угла конуса до 45° температура по высоте экрана изменялась от 790° С у основания до 715° С у вершины экрана. Темиература потолочного экрана составляла 600° С.


© 2025 chem21.info Реклама на сайте