ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Нагревание образца осуществляется путем прямого омического нагрева, бомбардировкой электронами, высокочастотным (индукционным) нагревом или действием интенсивного светового пучка. Если применяется прямой омический нагрев, поперечное сечение образца не должно превышать 1—2 мм , чтобы ток накала не достигал трудноконтролируемого значения. Следует использовать переменный ток, поскольку постоянный ток вызывает, как известно, фасетирование поверхности (в частности, вольфрамовой проволоки) [11, 16]. Этот процесс, наблюдаемый только нри температурах ниже 2200 К, происходит, вероятно, из-за поверхностной миграции ионов вольфрама к отрицательному полюсу проволоки и вследствие преимущественной диффузии сопровождается образованием граней {110} ив меньшем количестве граней {112} и {111}.