ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Полярность кристаллографических направлений <111> обусловливает анизотропию ряда свойств и процессов, таких как травление, адсорбция, кристаллографическое совершенство граней и их микротвердость, рост кристаллов. Для объяснения наблюдаемых эффектов в соединениях А™В’ была предложена модель поверхностей А и В. Согласно этой модели атомы V группы, населяющие поверхности В, используют для установления связи с решеткой только три из имеющихся пяти валентных электронов н располагают таким образом двумя электронами, способными взаимодействовать с частицами внешней фазы. Атомы III группы, населяющие поверхности А, используют все три валентных электрона на установление связи с решеткой. Следовательно, поверхности В должны быть более реакционно-способны, чем поверхности А, что и наблюдается на практике, в частности при проведении процессов травления.