ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы ческих плоскостях гранецентрированной и объемнопентрированной решеток. Конфигурации различаются числом ближайших атомов (т.е. числом соседних атомов при двух ближайших к поверхности слоях), расстояниями между этими атомами и, как следствие, энергией связи последних в плоскости. Для любого кристалла термическое равновесие определяется минимальным значением полной работы поверхности (свободная энергия поверхности). В настоящее время электронные и ионные микроскопы позволяют определять структуру термостойких металлов типа вольфрама при высоких температурах (см. гл. 3), и соответствующие эксперименты подтвердили существование плоскостей с низким значением свободной энергии поверхности. При нагреве игольчатых кристаллов вольфрама до 1200 - 1800 К устойчивость граней, выходящих на поверхность, меняется в последовательности (110) > (100) > !(2П). > (310). Сравнивая эту последовательность с конфигурациями атомов, приведенными на рис. 2.9, легко увидеть, что наиболее плотное расположение атомов на грани соответствует минимуму свободной энергии.