Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
В контактном методе шаблон максимально приближен к поверхности слоя резиста (рис. 1.3). В бесконтактном методе ( контактная печать с зазором ) между слоем резиста и маской остается зазор. В проекционном методе плоскости шаблона и слоя резиста оптически сопряжены с помощью проекционной системы (объектива). Первые два метода находят применение вследствие относительно низкой цены аппаратуры и простоты работы, возможности экспонирования больших площадей, что обеспечивает высокоэффективные групповые методы обработки изделий. Эти методы используют и в производстве сверхбольших интегральных схем для запоминающих устройств [22]. Проекционный метод более производителен и надежен, дает меньшую плотность дефектов и поэтому также широко используется в микроэлектронике. Существует ряд способов проекции, важнейшими из которых являются проекция в масштабе 1 1, сканирующий перенос щелью в масштабе 1 1, мультипликация (фотоповторение) в масштабах 1 1, 1 10 и др. [23, 24].

ПОИСК





Экспонирование

из "Светочувствительные полимерные материалы"

В контактном методе шаблон максимально приближен к поверхности слоя резиста (рис. 1.3). В бесконтактном методе ( контактная печать с зазором ) между слоем резиста и маской остается зазор. В проекционном методе плоскости шаблона и слоя резиста оптически сопряжены с помощью проекционной системы (объектива). Первые два метода находят применение вследствие относительно низкой цены аппаратуры и простоты работы, возможности экспонирования больших площадей, что обеспечивает высокоэффективные групповые методы обработки изделий. Эти методы используют и в производстве сверхбольших интегральных схем для запоминающих устройств [22]. Проекционный метод более производителен и надежен, дает меньшую плотность дефектов и поэтому также широко используется в микроэлектронике. Существует ряд способов проекции, важнейшими из которых являются проекция в масштабе 1 1, сканирующий перенос щелью в масштабе 1 1, мультипликация (фотоповторение) в масштабах 1 1, 1 10 и др. [23, 24]. [c.23]
Во многих проекционных устройствах используют обычную оптическую систему как линзовую, так и зеркальную. Линзовая система экспонирования состоит из трех главных частей. Оптическая часть образована источником света (ксеноновая или ртутная лампа), конденсором и светофильтром механическая часть — несущей рамой с маской проекционная часть — объективом, подложкой с нанесенным фоторезистом, которые расположены на подвижном столе. Схема проекционной системы изображена на рис. 1.4. Светофильтр дает пучок шириной 10—15 нм, трансформирующийся оптической системой он обеспечивает достаточную плотность энергии света на слое резиста. Несущая рамка с маской размещаются в плоскости, перпендикулярной световому пучку, с допустимым отклонением менее 1 мкм [23]. [c.24]
Механическое движение и фиксация положения стола осуществляются специальным приводом, часто с оптическим контролем положения меток совмещения, заранее нанесенных на подложку. Вообще оптическое определение положения подложки осуществляется интерферомет-рически (интерферометр Майкельсона), методом счета муаровых полос или по специальным меткам совмещения. [c.24]
Так как дорого и сложно производить объективы, способные дать высококачественное 1 1 изображение сразу на всей площади кремниевой пластины диаметром 7,5—10 см, то для этой цели используют мультипликацию и сканирующий перенос. Мультипликация дает возможность получать изображение с высоким разрешением и на большом поле. Она может быть использована для изготовления элементов с размерами 1—1,5 мкм. Необходимость применения мультипликации обусловлена тем, что при прочих равных условиях объективы с повышенной разрешающей способностью имеют меньшее поле изображения и наоборот, тем самым для экспонирования с высоким разрешением больших площадей требуется пошаговое экспонирование всего поля. Эта система требует прецизионного механического движения подложки, дающего возможность шаг за шагом абсолютно точно совмещать изображение различных слоев на всей площади кремниевой подложки. Более низкая производительность мультипликации компенсируется лучшим качеством изображения метод находит все более широкое применение [24]. [c.24]
В растровом методе используется узкий световой пучок, а сканирование проводится в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Принцип растрового сканирования изображен на рис. I, 5,6. [c.25]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте