ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Сухие фоторезисты из "Светочувствительные полимерные материалы" Разрабатываются новые сухие фоторезисты (см. например [37]). Достичь сухого проявления удается в основном в тех случаях, когда при экспонировании пленкообразующий полимер распадается на легко летучие фрагменты (позитивный рельеф) или когда экспонированные и неэкспонированные участки слоя сильно различаются по стойкости к обработке плазмой [38]. Наиболее чувствителен к травлению плазмой F4 — О2 (95 5) ПММА, наименее— резисты на основе циклополиизопрена и диазидов НС, совмещенные с хинондиазидами, более чувствительны, чем диазидные композиции [39]. [c.188] Сводка японских патентов по сухим резистам приведена в работе [39], авторы которой считают эти разработки мало пригодными для практики (см. также [29]). [c.189] Поли-1-бутенсульфон, как и другие полиолефинсульфоны, нечувствителен к УФ-свету. В тонкой пленке на силиконе в смеси с 20 % сенсибилизатора — Ы-окиси-и-нитропиридина после выдержки при 100 °С в течение 15 мин его удается экспонировать лампой среднего давления при дозе 0,1 Дж/см . Проявление осуществляют за 7 мин при 100°С, выделяется 1-бутен и ЗОг, стало быть, идет деполимеризация. Система представляет принципиальный интерес, поскольку непригодна для сухого травления [19]. [c.189] Пленки нитрата целлюлозы при экспонировании светом с длиной волны 193 нм или тяжелыми ионами Аг+, Хе - дают позитивное изображение они распадаются до Н2О, N2, СО и других газообразных продуктов. Легкие ионы, пучки электронов или луч лазера позволяет получить негативную маску для последующего ионного травления подложки. Резист рекомендован для применения в промышленности [41]. [c.190] Вернуться к основной статье