Сухие фоторезисты

Тип фоторезиста Динамическая вязкость, МПа-с Массовая доля сухого вещества, % Плотность. г/см Тип фоторезиста Динамическая вязкость, МПа-с Массовая доля сухого вещества. % Плотность, г/см [c.281]

Фоторезисты классифицируют также по величине разрешающей способности от 1000 до 250 мкм (печатные схемы для радиоприемников и др.) — фотолитографические пасты от 375 до 100 мкм и меньше (печатные платы для ЭВМ и средств телекоммуникации) — сухие пленки около 25 мкм (полупроводниковые интегральные схемы) — жидкостные фоторезисты. [c.132]

При сухом травлении на поверхности подложки могут оседать остатки электродов. Чтобы избежать этого, кроме поддержания абсолютной чистоты камеры для травления резиста или проведения травления подложки и резиста в разных камерах, можно покрывать все экспонированные проводящие поверхности на подложке диэлектриком, например фоторезистом. Удаление осадков проводят ополаскиванием подложек в растворителе и слабым мокрым травлением с последующим ополаскиванием. [c.277]

Тип фоторезиста Динамическая вязкость при 25 С, мПа-с Массовая доля сухого вещества, % Плотность, г/см Показа- тель прелом- ления Спектральная чувствительность. нм Разбавитель Проявитель Фирма-изготовитель [c.281]

Тин фоторезиста Динамическая вязкость, мПа с Массовая доля сухого вещества, % Толщина слоя, мкм Показатель преломления Область спектральной чувствительности, им Разбавитель Проявитель [c.282]

Фотолитография - создание рельефного изображения на поверхности подложки. При стравливании верхнего слоя металлической подложки применяются фоторезисты, призванные защищать места, которые не следует подвергать травлению. Фоторезисты делятся на позитивные и негативные. Первые образуют защитную полимерную пленку на неэкспонированных участках подложки, вторые - на экспонированных участках. С другой стороны, фоторезисты бывают жидкие и сухие пленочные. [c.49]

Фотолитографские пасты Жидкостные фоторезисты Сухие пленки [c.132]

Установки для получения защитного рисунка. Установка нанесения сухого пленочного фоторезиста ламинатор) выполнена в виде настольного варианта. [c.57]

Сухие пленочные фоторезисты наносят на заготовки плат посредством прокатывания их горячим валиком через защитную лавсановую пленку в установках-ламинаторах. Защитная полиэтиленовая пленка при этом отделяется и сматывается на бобину. Схематически нанесение пленочного фоторезиста показано на рис. 20. [c.216]

Медную фольгу тщательно промывают с помощью пемзы и щетки в струе проточной воды, высушивают (рис. 1-11,а), покрывают слоем фоторезиста и снова высушивают в потоке сухого и теплого воздуха (рис. 1-11,6). Затем фоторезист засвечивают через по-40 [c.40]

Другим фактором, играющим весьма важную роль, является влажность воздуха в рабочем помещении. Покрытия из фоторезистов группы КРК имеют склонность к образованию осадков в неэкспонированных участках, если они подвергаются воздействию высокой относительной влажности в любой момент и на любой операции технологического цикла. Адсорбция влаги поверхностью подложки перед нанесением покрытия может уменьшить адгезию пленки фоторезиста с подложкой. С другой стороны, слишком сухая атмосфера приводит к образованию электростатического заряда и далее накоплению пылинок на поверхности подложек. Следовательно, относительная влажность в рабочем помещении должна поддерживаться в пределах 30—50%. [c.595]

Поскольку испарение защитного- покрытия фоторезиста происходит довольно быстро и не требует большого числа ручных операций в сравнении с удалением фоторезистов с помощью растворителей, применение сухого процесса окисления в большинстве случаев предпочтительнее. При этом маловероятно образование органических остатков и более вероятно внесение следов неорганических примесей самим фоторезистом. Количество этих примесей изменяется, в зависимости от чистоты фоторезиста. Они могут быть удалены быстрым окунанием подложки в разбавленную фтористоводородную кислоту [119]. Окисление поверхности металлической пленки и ухудшение параметров чувствительных полупроводниковых приборов — вопросы, которые необходимо разрешать. На основании экспериментов исследователи должны решить вопрос о том, оказывает ли сухое окисление вредное воздействие на электрические характеристики приборов или нет, [c.614]

В производстве интегральных схем- используют разнообразные химикаты и материалы специальной чистоты, но не обязательно такой же степени, что в производстве полупроводников. Самые крупнотоннажные продукты - сухие фотополимеры для получения фоторезистов и вспомогательные химикаты для них. Здесь применяют также химические продукты для электроосаждения, в том числе драгоценные металлы, травители и другие вспомогательные химикаты. [c.30]

Разрабатываются новые сухие фоторезисты (см. например [37]). Достичь сухого проявления удается в основном в тех случаях, когда при экспонировании пленкообразующий полимер распадается на легко летучие фрагменты (позитивный рельеф) или когда экспонированные и неэкспонированные участки слоя сильно различаются по стойкости к обработке плазмой [38]. Наиболее чувствителен к травлению плазмой F4 — О2 (95 5) ПММА, наименее— резисты на основе циклополиизопрена и диазидов НС, совмещенные с хинондиазидами, более чувствительны, чем диазидные композиции [39]. [c.188]

В радиоэлектронике используются полимерные композиции из предварительно очувствленных пленкообразующих ненасыщенных олигомеров — пленочные или сухие фоторезисты типа Riston [c.97]

Для изготовления полиграфических печатных форм широко используют фотополимеризацию. Вязкую композицию, содержащую мономеры, олигомеры и фотоинициатор, освещают контактным способом, затем с лывают незаполимеризованную часть. В микроэлектронике применяют сухие фоторезисты на основе олигомеров. [c.351]

В электронных спектрах полимерных фотолизатов наблюдается более сложная картина в зависимости от природы полимерной матрицы и энергии монохроматического света идет не только падение интенсивности полосы поглощения, но и ущирение полосы и сдвиг положения максимума поглощения [9, 14, 15, 32]. Смещение становится еще более сильным в бескислородной среде [33]. Батохромный сдвиг полосы свидетельствует об алкилироваиии полимером халкона по атомам азота нитрена. Именно образование Н-алкильных производных азота и считается наиболее вероятной причиной фотоструктурировання полимеров. При фотолизе в широкой полосе спектра вначале наблюдается батохромный сдвиг полосы поглощения (сшивание полимера за счет алкилирования по азоту), а затем резкое падение интенсивности полосы и сглаживание структуры спектра, свидетельствующее о распаде хромофора. Этим может быть объяснена известная фотодеструкция в местах сшивания первоначально структурированного полимера при длительном фотолизе [9]. Аналогичная картина наблюдалась и для фотолиза диазида I в пленках полиметилизопропенилкетона [15] материал разрабатывался для фоторезиста сухого проявления [14, 15], [c.138]

Полихлорметилстирол с Мда = 3-10 применяемый в качестве негативного резиста, позволяет достичь высокого разрещения из-за малого рассеяния электронов, а также равномерного распределения поглощенной энергии по глубине. Его термостойкость и стойкость к сухому травлению на уровне соответствующих характеристик позитивных новолачных фоторезистов AZ. Постэкспозиционное фотоотверждение резко уменьшает уход размеров рельефа вплоть до 300°С. Свойства резиста сопоставимы со свойствами хлорметилированного полистирола [136]. [c.266]

Марка фоторезиста Массовая доля сухого вещества, % Кинема- тическая вязкость. мкм /с Область спектраль- ной Чувстви- тельности. нм Минимальный размер элементов/ толщина слоя, мкм/мкм Применеине особенности составов [c.280]

Фотопечатание. На поверхность платы наносят фо-точувствительный слой из органических полимерных материалов — фоторезистов, которые под действием света становятся нерастворимыми в соответствующем для данного фоторезиста растворителе. В промышленности используются фоторезисты в виде жидких композиций или более технологичных сухих пленочных фоторезистов, [c.215]

Рельефное изображение, используемое в качестве печатной формы, получают сухим проявлением с контрольным переносом изображения [заявка Великобритании 2026709]. При этом экспонированный светочувствительный материал (рис. VI. 2), состоящий из жесткой подложки 1 с нанесенным слоем фоторезиста 2, приводят в контакт, пропуская между печатными валиками 4, с бумагой нли полимерной пленкой 3. Для того чтобы неэкспонированные участки слоя переп1ли на контактный лист, используют жидкие активаторы 5, которые можно наносить либо на слой светочувствительного материала после его экспонирования (рис. Ч,2,а), либо на конкретный лист (рис. VI. 2,6), либо, что [c.201]

Правильно сформированный вытравленный рисунок с заданными размерами, с отсутствием дефектов получается только в том случае, если перед нанесением покрытия подложка была тщательно очищена и высушена. Удаление частиц н остатков органических веществ обычно достигается промывкой такими растворителями, как трихлорэтнлен. Подложки можно либо погружать в растворитель, либо в парах растворителя олрыскивать илн обезжиривать. Остатка растворителя рекомендуется сдувать чистым сухим сжатым воздухом. При необходимости хранить некоторое время подложки они должны быть очищены таким образом, чтобы скопление пыли или адсорбции влаги были исключены. Чтобы обеспечить получение сухой поверхности, перед нанесением фоторезиста обычно рекомендуется нагреть подложку до 200° С. Если десорбция летучих адсорбентов происходит, когда сушится подложка с уже нанесенным покрытием, адгезия пленки фоторезиста, вероятно, будет нарушена. Как только достигается получение чистой и сухой поверхности, сразу надо нанести покрытие фоторезистом. [c.595]

Получаемый на хфомышленной установке продукт удовлетворяет лучшим зарубежным образцам, пригоден для применения в процессе производства печатных плат на основе сухого пленочного фоторезиста. Потребителями продукта являются многие министерства и ведомства, выпускаЕщие радиоэлектронную технику. [c.53]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология