ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Термостойкие фоторезисты из "Светочувствительные полимерные материалы" При многослойном монтаже в производстве больших ИС резистный микрорельеф, полученный с помощью фотолитографии, может выполнять функцию межслойной изоляции. Однако по условиям технологии одновременно с этим он должен быть термостойким—выдерживать температуру до 500 °С. Слои многих фоторезистов обладают электроизоляционными свойствами (а. с. СССР 398916, см. раздел IV. 2). Однако для получения термостойкого рельефа необходимо применять специальные полимеры. Среди них чаще всего используют полиамидокислоты — продукты конденсации ангидридов тетракарбоновых кислот ароматического ряда с ароматическими диаминами, известны и кремнийсодержащие полиамидокислоты [42]. Полиамидокислоты в растворах неустойчивы и склонны к гидролизу. Изучению их синтеза и свойств посвящено большое число работ. При нагревании они претерпевают внутримолекулярную циклизацию, приводящую к образованию имидных циклов в цепи полимера. Полиимиды отличаются высокой термостойкостью, отличными механическими, электроизоляционными, а также пленкообразующими свойствами. При реакции полиимидов с основными аминами (этилендиамин, гидразин) происходит рециклизация, сопровождающаяся разрывом полимерной цепи, вследствие чего резко повышается растворимость полимера. [c.190] США 4113550 удалось избежать этих недостатков, используя другой путь создания термостойкого микрорельефа. Слой полиамидокислоты на ЗЮг/З толщиной 1 мкм частично циклизуют при 200 °С. На него наносят негативный резист фотополимерного типа. Полученный после экспонирования и проявления рельеф служит маской для травления нижележащего полиимида смесью гидразингидрата и алифатического диамина, например, этилендиамина. [c.191] К разработкам фирмы Siemens (ФРГ) близко примыкает по содержанию пат. США 4208477. Полиамидоимиды получают в присутствии уксусного ангидрида из хлорангидридов поликарбоновых кислот, например тримеллитовой, и диаминов, например ж-фени-лендиамина. При обработке этих полимеров глицидилметакрилатом к концевым группам прививаются ненасыщенные остатки, благодаря чему при экспонировании в результате фотополимеризации образуется негативный рельеф. Он обладает термостойкостью до 400 °С. [c.194] Фотополимеризация под действием УФ-света идет в слоях разветвленных полифениленов, содержащих на концах ацетилениль-ные группы. После проявления негативного рельефа органическим растворителем проводится термозадубливание при 250—350 °С, при этом завершается структурирование полимера. Следует отметить, что при структурировании не выделяются какие-либо низкомолекулярные вещества, что ценно для технологии производства микроэлектронных приборов. Рельеф обладает высокой термостойкостью [пат. США 4339527]. [c.194] Фоторезисты-диффузанты — новые светочувствительные материалы, на основе которых могут быть осуществлены обе основные операции планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов фотолитография и диффузия. Диффузионный процесс определяет уровень глубины электронно-дырочного перехода в кремнии и концентрацию легирующей примеси. Создание однородных диффузионных переходов относится к числу сложных задач планарной технологии, решение которых обусловлено в большой степени выбором диффузанта. [c.195] Вернуться к основной статье