Термостойкие фоторезисты

При многослойном монтаже в производстве больших ИС резистный микрорельеф, полученный с помощью фотолитографии, может выполнять функцию межслойной изоляции. Однако по условиям технологии одновременно с этим он должен быть термостойким—выдерживать температуру до 500 °С. Слои многих фоторезистов обладают электроизоляционными свойствами (а. с. СССР 398916, см. раздел IV. 2). Однако для получения термостойкого рельефа необходимо применять специальные полимеры. Среди них чаще всего используют полиамидокислоты — продукты конденсации ангидридов тетракарбоновых кислот ароматического ряда с ароматическими диаминами, известны и кремнийсодержащие полиамидокислоты [42]. Полиамидокислоты в растворах неустойчивы и склонны к гидролизу. Изучению их синтеза и свойств посвящено большое число работ. При нагревании они претерпевают внутримолекулярную циклизацию, приводящую к образованию имидных циклов в цепи полимера. Полиимиды отличаются высокой термостойкостью, отличными механическими, электроизоляционными, а также пленкообразующими свойствами. При реакции полиимидов с основными аминами (этилендиамин, гидразин) происходит рециклизация, сопровождающаяся разрывом полимерной цепи, вследствие чего резко повышается растворимость полимера. [c.190]

Резистиые слои полифункциональны как мы уже видели, они не только защищают поверхности при травлении, но служат также печатающими элементами в печатных формах, избирательное поглощение излучения резистными слоями испо.тьзуется в масках и фильтрах. В настоящее время установлено, что пленку резиста можно применять в качестве электроизоляционного слоя, что требует повыщения ее термостойкости. Недавно были разработаны фоторезисты-диффузанты (гл. VI), которые совмещают в одном материале стойкость к травлению и способность к диффузии примесей в подложку. Несомненно, в дальнейшем будут выявляться и широко использоваться другие свойства высокоразрешенных рельефных полимерных слоев. [c.14]

Использование пленочных фоторезистов. В производстве печатных плат, некоторых толсто- и тонкопленочных схем формирование сплошных пленок резистов вызывает затруднение. Поэтому с начала 1970 г. с этой целью применяют пленочные фоторезисты, впервые выпущенные фирмой Dupont (США) под маркой Riston. Для их производства на полиэтилентерефталатную пленку наносят слон резиста толщиной более 20 мкм, высушивают и прикатывают сверху пленку полиэфира. Перед употреблением резиста пленку снимают, резист прикатывают к подложке нагретым валком, дают небольшую релаксационную выдержку, экспонируют через слой терефталата, кратковременно нагревают, снимают полиэтилеитерефталат, проявляют н проводят термоотверждение рельефа. В зависимости от типа резиста его проявляют водой или органическим растворителем. Очевидно, резистный слой такого материала должен быть гибким, эластичным, олеофильным, термостойким, обладать хорошей адгезией. Пленочные резисты чаще всего относятся к фотополимерным негативным материалам, разрешение при их использовании составляет десятки микрометров. Однако разработаны и позитивные резисты. Для получения такого материала [c.85]

Если к нафтохинондиазидному фоторезисту добавить бисазид из групп применяемых в композициях для коротковолнового УФ-света (см. гл. VI), к общая светочувствительность системы падает. Однако при малых экспозиция создается позитивный, а при больших — негативный рельеф, термостойкий д( 200 °С, и более стойкий к плазменному травлению, чем слой без добавки бис азида [46]. [c.90]

Квантовый выход расщепления эфира приближается к 1, в целом светочувствительность слоя не хуже, чем у нафтохинондиазид-ных фоторезистов слой отличается большой термостойкостью, гомогенностью, он не окисляется кислородом [53]. Следует отметить, что при больших временах экспонирования первично образовавшийся о-нитрозобензальдегид дает окрашенные азопроизводные, фильтрующие свет по-видимому, светочувствительность системы не удается в заметной степени регулировать добавкой сенсибилизаторов или тушителей. [c.101]

В полифункциональных фоторезистах, например использующих полученный фоторельеф для создания контактных площадок или последующей высокотемпературной диффузии, описано применение в качестве светочувствительных компонентов элементоргани-ческих арилазидов, их поглощение может лежать в области 250—400 нм. В качестве полимерной основы слоев могут быть использованы бутадиен-стирольный, хлоропреновый и натуральный каучуки циклокаучуки, полученные циклизацией полиизопрена, полибутадиена, полигексадиена в присутствии различных катализаторов полн-4-метилизопропенилкетон феноло- и крезоло-фор-мальдегидные смолы. В водорастворимых слоях используют смеси ПВП и ПВС сополимеры акриламида, диацетонакриламида и различных виниловых мономеров поли-4-винилфенол, полиакриламид, желатину, гуммиарабик, камеди. Для придания слоям по-выщенной термостойкости добавляют полиамидокислоты с последующей имидизацией или вводят, например, в циклокаучуки трифторметильные группы. Растворителями служат толуол, ксилол, цйклогексанои, их смеси часто используют такие сильные растворители как ДМАА, ДМФА, дихлорэтан для композиций, содержащих водорастворимые азиды, применяют различные спирты, водный метилэтилкетон. [c.134]

В 1981 г. была предложена арилазидная композиция [пат. США 4287294 пат. ФРГ 2919841] специально для получения термостойких рельефных структур на полупроводниковых материалах, при этом в качестве светочувствительного агента используется ази-досульфофенилмалеинимид, а термостойким пленкообразующим компонентом слоя являются полиамиды карбоновых кислот растворителем служит смесь диметилацетамид — диоксан (1 1). Этот фоторезист образует на алюминиевой фольге сшивающийся слой толщиной 6 мкм, после проявления [проявитель—смесь -бутирол-актон —толуол (1 1), 16 с] разрешение 10 мкм, структура полученного рельефа полностью сохраняет размеры изображения и абрис углов после термообработки при 340 °С в течение 1 ч. Слой обладает хорошими электроизоляционными свойствами и может быть использован в качестве межслойной изоляции. [c.148]

Использование таких систем отличается многооперационностью пониженной разрешающей способностью из-за отсутствия четко границы между удаляемыми с резнстом п остающимися на под ложке участками полиамидного слоя. Поэтому разрабатываютс композиции, обеспечивающие создание нужного микрорельефа ( высокой термостойкостью из одного слоя фоторезиста. Для дости жения этого сообщают светочувствительность термостойким поли мерам, получая прн этом негативные или позитивные фоторезисты [c.192]

Полихлорметилстирол с Мда = 3-10 применяемый в качестве негативного резиста, позволяет достичь высокого разрещения из-за малого рассеяния электронов, а также равномерного распределения поглощенной энергии по глубине. Его термостойкость и стойкость к сухому травлению на уровне соответствующих характеристик позитивных новолачных фоторезистов AZ. Постэкспозиционное фотоотверждение резко уменьшает уход размеров рельефа вплоть до 300°С. Свойства резиста сопоставимы со свойствами хлорметилированного полистирола [136]. [c.266]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология