ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Фоторезисты-диффузанты из "Светочувствительные полимерные материалы" В процессе длительного использования органических фоторезистов в основном решены вопросы создания однородных слоев с минимальным разбросом толщин. Это и определило идею разработки фоторезистов-диффузантов, обладающих точностью дозировки примесей, а также технологичностью нанесения, присущих фоторезистам. Схема селективного легирования из фоторезиста-диффузанта приведена на рисунке VI. 1. [c.196] Для селективного легирования подложки бором предлагают [а. с. СССР 544932] вводить в слой негативного азидсодержащего фоторезиста полиэфиркарборанадипинат при следующем соотношении компонентов, % (масс) . [c.199] В 1980 г. появилось сообщение о литографии и диффузии и фоторезистов, содержащих металлорганические соединения Си Ва, Т1, 5т, Ей или смеси этих соединений [54]. [c.200] Разрешение структур не только на поверхности, но и в объеме полупроводниковых пластин достаточно велико. Так, для прецизионной электронолитографии с субмикронными размерами элементов рельефа были разработаны типы электронорезистов, включающих элементорганические соединения с легирующими атомами (яп. заявка 49-34018, 49-34019). Вакуумный электронорезист длу полностью сухой литографии [а. с. СССР 1056123] разработан нг основе силсесквиоксанов (81Р)8-д 5Ьд 012 (где К = СН = СНг л = 0,5—1), его разрешающая способность 10 линий/мм, электронная чувствительность 5-10 Кл/см , при отжиге в диффузионной печи (30 мин, 400 °С) глубина диффузии атомов сурьмы составляет 1 мкм. [c.200] Вернуться к основной статье