Фоторезисты-диффузанты

Фоторезисты-диффузанты — новые светочувствительные материалы, на основе которых могут быть осуществлены обе основные операции планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов фотолитография и диффузия. Диффузионный процесс определяет уровень глубины электронно-дырочного перехода в кремнии и концентрацию легирующей примеси. Создание однородных диффузионных переходов относится к числу сложных задач планарной технологии, решение которых обусловлено в большой степени выбором диффузанта. [c.195]

Рис. 111.4. Зависимость поверхностной концентрации легирующего элемента от содержания в слое фоторезиста —диффузанта соединений бора и фосфора.

Резистиые слои полифункциональны как мы уже видели, они не только защищают поверхности при травлении, но служат также печатающими элементами в печатных формах, избирательное поглощение излучения резистными слоями испо.тьзуется в масках и фильтрах. В настоящее время установлено, что пленку резиста можно применять в качестве электроизоляционного слоя, что требует повыщения ее термостойкости. Недавно были разработаны фоторезисты-диффузанты (гл. VI), которые совмещают в одном материале стойкость к травлению и способность к диффузии примесей в подложку. Несомненно, в дальнейшем будут выявляться и широко использоваться другие свойства высокоразрешенных рельефных полимерных слоев. [c.14]

В процессе длительного использования органических фоторезистов в основном решены вопросы создания однородных слоев с минимальным разбросом толщин. Это и определило идею разработки фоторезистов-диффузантов, обладающих точностью дозировки примесей, а также технологичностью нанесения, присущих фоторезистам. Схема селективного легирования из фоторезиста-диффузанта приведена на рисунке VI. 1. [c.196]

Таким образом, исходя из условий формирования электронодырочных переходов в полупроводниковых структурах, композиции фоторезистов-диффузантов могут быть основаны на соединениях, состоящих исключительно из атомов кислорода, азота, углерода и водорода, в которые должны быть включены нужные легирующие атомы, например, II, III, V, VIII групп, редкоземельных элементов и т. д. Первоначально заданное количество атомов легирующего элемента в композиции легко может быть сохранено в рисунке полимерного фоторельефа. Последний после защиты оксидом используется как источник диффузии для создания определенной поверхностной концентрации примеси нужной глубины залегания. Технология изготовления полупроводниковой структуры упрощается сокращается число используемых материалов и операций, в частности, исключается наиболее критичная операция — травление [50]. [c.197]

К тому же атомы тяжелых элементов повышают относительную скорость внутренней конверсии возбужденных состояний ал-кена, что, в свою очередь, затрудняет фотоциклодимеризацию. Кроме того, для введения атомов каждого конкретного легирующего элемента в циклодимеризующиеся системы необходим свой путь синтеза. Едва ли можно рекомендовать в качестве основы фоторезистов-диффузантов и составы, включающие феноло-альде-гидные смолы, вследствие их деструкции при высокотемпературной диффузии и выделения при этом летучих продуктов и сажи, Что может привести к неравномерности легирования. [c.197]

Имеется взаимосвязь содержания источника легирования i композиции слоя диффузанта с создаваемой в результате диффу зии его поверхностной концентрацией и глубиной перехода в полу проводнике. По грубой оценке, например, для малой глубиць перехода в кремний (3—5 мкм) слой диффузанта должен содер жать 5-10 атом/см фосфора для достижения поверхностной кон центрации 10 атом/см . Для воспроизведения концентраций 10 атом/см при глубоких переходах (порядка 40 мкм) необходим( увеличить содержание фосфора в материале источника в 10 раз Введением в композицию фоторезиста—диффузанта мономерны соединений с легирующими атомами достигаются низкие поверх ностные концентрации легирующих примесей, а для создани высоких концентраций приходится обращаться к элементоргани ческим полимерам в качестве пленкообразующей основы слоя [c.198]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология