ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Срастание кристаллов из "Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам" В природных, а также искусственных агрегатах соприкасающиеся кристаллические пространства геометрически не связаны между собой, но есть такие сочетания, в которых индивиды соединяются через общие узлы и сетки пространственной решетки. К таким закономерным срастаниям относятся двойники, параллельные и эпитаксические срастания. [c.59] Морфологически различают двойники срастания, или контактные, и двойники прорастания. Многократное двойникование (см. рис. 21,6) по одному или двум законам в одном и том же сростке дает полисинтетический двойник. Полисинтетические двойники особенно характерны для кальцита, полевых шпатов, пироксенов, халькопирита. В двойниках внешняя симметрия сростка всегда выше истинной симметрии монокристалла. [c.60] Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают типичный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых посадка частиц при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направлению входящих углов. Облик двойниковых кристаллов отличен от монокристаллов, их объем и масса превышают таковые одиночных кристаллов в 1,5—2 раза. [c.60] В параллельных сростках индивиды одного вещества находятся в параллельном положении. В таких срастаниях кристаллическое пространство однородно. Между индивидами в параллельных сростках нет границы раздела. [c.60] В эпитаксических срастаниях индивиды разных веществ контактируют так, что их кристаллические решетки приобретают относительно закономерную ориентировку. Плоские сетки, по которым соприкасаются индивиды в подобных сростках, близки по своей симметрии и размерам. Наглядный пример эпитаксических срастаний представляет собой письменный гранит, содержащий около 70 % ортоклаза и 30 % кварца. [c.60] Вернуться к основной статье