ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Работа образования зародыша из "Кинетика образования новой фазы" Этот шар фазы II имеет тот же т. п., что и фаза I, а потому является зародышем. [c.98] Газообразные или жидкие зародыши [17] на границе жидкой и газообразной фаз или двух жидких фаз принимают, вообще говоря, форму линзы (рис. 22). Здесь I и II представляют собой две протяженные фазы. Линза состоит из . [c.101] Пока Oi/iii + Gii/m oi/ii, работа образовашш зародыша положительна, так как Oi/m Оцп и Оп/щ Oi/n. Однако для случая, когда 01/111 + OU/UI = OI/II, линза переходит в плоский слой отсюда Oi/iii = Oi/ii, Oii/iii = Oi/п и Ai = 0. [c.102] Опять-таки для случая 01/ц = Ои/щ + О1/111 пли ф — О получаем Лз = 0. [c.102] Пока краевой угол, образуемый стенкой с капелькой новой фазы, меньше 180 , работа образования зародыша на стенке всегда меньше, чем работа образования зародыша внутри фазы I. [c.102] При смачивании вогнутые полости в условиях ниже точки насыщения уже содержат новую фазу (капиллярная конденсация). [c.102] Почти каждое происходящее в природе или лаборатории образование новых — жидких или газообразных — фаз при малых или умеренных отклонениях от равновесия происходит на границах раздела, и всегда следует принимать специальные меры предосторожности, чтобы предотвратить эти явления и обеспечить возможность наблюдения процесса гомогенного образования зародышей. [c.103] На линиях пересечения двух поверхностей раздела фаз, так же как в точках пересечения таких линий, создаются новые условия, способные дополнительно благоприятствовать образованию зародышей (Дж. У. Гиббс [17])- Обсуждение этих вопросов в настоящее время не целесообразно ввиду отсутствия соответствующих наблюдений. Однако весьма возможно, что такие явления когда-нибудь будут привлекать интерес. [c.103] С изотропным трехмерным образованием зародышей на поверхности связано также возникновение пара пли расплава из кристалла на его поверхности. Отсутствие паровой фазы в случае испаряющихся кристаллов может быть достигнуто путем помещения их в жидкость с высокой температурой кипения. В результате понижения давления ниже значения, соответствующего нормальной упругости пара кристалла, последний оказывается перегретым относительно паровой фазы. Образование зародыша пара, очевидно, зависит от природы жидкости, в которую кристалл погружен. Соответствующие наблюдения пока отсутствуют. Более интересно возникновение расплава на поверхности кристалла. Как показывают многочисленные опыты, кристаллы, плавящиеся без химических изменений, как правило, не могут быть перегреты. Это обстоятельство можно приписать наличию па поверхности кристалла мест лучше или хуже смачиваемых расплавом. Поэтому при минимальном перегреве расплав растекается, начиная с углов и ребер, как мест с самой слабой связью строительных элементов, в большей или в меньшей степени покрывая крпсталлическую поверхность. Лишь ограничивая нагревание центральными частями наиболее плотных, слабо смачивающихся граней, удается достичь незначительного локального перегрева [74]. [c.104] Обратимся к зародышам одного кристалла на гранях роста другого. Такое образование зародышей часто проявляется в природных условиях в виде упорядоченного прорастания разнородных кристаллов. [c.104] Используя молекулярные т. п., этот закон, как и в трехмерном случае, можно выразить следующим образом среднее значение т. п. строительных элементов каждой граничной линии 1., 2.,. .. двумерного зародыша должно быть одинаковым и равным т. п. [c.105] Идеальный кристаллический зародыш в фазе с т. п. характеризуется, таким образом, величиной (л, представляющей собой среднее значение т. п. 1) строительных элементов каждой из имеющихся плоскостей решетки-, 2) строительных элементов каждого края двумерного зародыша на этих плоскостях решетки-, 3) величины т. п. углового строительного элемента одномерного зародыша (И. П. Странский и Р. Каишев [71]). [c.106] Вернуться к основной статье