ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Кристаллы в парах из "Кинетика образования новой фазы" Каишев и И. Н. Странский [27] провели первый частично кинетический анализ процесса образования кристаллического зародыша, ограничившись состояниями идеальных минимальных форм. Акты отложения завершенных плоскостей решетки при этом рассматривались как неделимые элементарные события, установление частоты которых требует привлечения законов образования двумерных зародышей, выведенных ранее, и общих статистических соображений. [c.155] Решение задачи о величине общего тока 1 сводится к вычислению сопротивления между двумя точками с известной разностью напряжений, а именно, о, о = 2о, о и 9 ,,, = 0. Распределение сопротивлений, однако, теперь не является линейной последовательностью частичных сопротивлений, а представляет собой сетку из сопротивлений (рис. 51). [c.160] Множитель Рф означает, что сопротивления 9 щд характеризуются минимумом, совпадающим с диагональю ( = 0). По мере удаления от нее на 5 = 1) 2, 3 сопротивления растут соответственно множителям , ,, ,,. . . Таким образом, ток протекает практически по диагонали, т. е. имеет место m I, и пластинки почти всегда остаются квадратными. В направлении диагоналей сопротивление характеризуется столь же резким максимумом при б = с, начиная с которого оно падает соответственно , , , по мере удаления от х на 6 = 1, 2, 3. Таким образом, ток протекает в узком ущелье вдоль диагоналей и при 6 = и преодолевает высокую седловину. [c.161] Полученное уравнение, по существу, не зависит от модели, пока вопрос касается гомеополярного кристалла. При гетерополярной решетке оно применимо только для очень больших кристаллов. В противном случае следует рассматривать три возможности пристраивания зародыша у вершин, по краям и в середине грани. Который из этих случаев окажется определяющим, зависит от величины кристалла, так как возможности присоединения у вершин независимы от величины, в то время как две другие линейно, или соответственно квадратично растут с длиной ребер. Поэтому в случае малых гетерополярных кристаллов рост начинается только с вершин, где работа образования зародыша наименьшая. [c.162] Частичное сопротивление, следовательно, тем больше, чем больше работа образования. Последняя, однако, при равном числе атомов однозначно определяется поверхностной энергией, которая тем больше, чем более рыхлой и менее правильной является форма. Таким образом, формы, не учтенные в предыдущем выводе, обусловливают появление в нашей картине сопротивлений добавочных проводников с очень высоким сопротивлением, которые не дают существенного вклада в проводимость рассмотренной сетки сопротивлений. [c.166] Проведенное рассмотрение показывает также, что полученная формула в принципе не зависит от типа выбранной модели. Модель лишь определяет конкретный вид сетки сопротивлений. Путь наименьшего сопротивления, однако, всегда проходит точно вдоль кристаллических форм с минимальной свободной поверхностной энергией. На этом пути при величине, соответствующей зародышу, сопротивление достигает столь острого максимума, что практически во всех случаях суммарное сопротивление выявляет это частичное сопротивление Зiзap, которое, помимо числа падающих молекул, включает решающий множитель ехр(—Аз/кТ). [c.166] Количественныэ измерения, относящиеся к образованию кристаллических зародышей из пара, отсутствуют впрочем, сравнение их с теорией в настоящее время невозможно и вследствие недостаточности знаний о свободной поверхностной энергии. [c.167] Вернуться к основной статье