Кристаллы в парах

Качественно экспериментальные данные согласуются с теоретическими. Но качественное согласование было установлено лишь при возникновении зародышей кристаллов в парах [10, 11]. Тогда как., в концентрированных системах данные плохо согласуются между собой и различие составляет несколько порядков [12]. Дл 1 конденсированных сйс-, тем при депарафинизации несколько лучше применить [13] [c.7]

Центры окраски в ионных кристаллах. Центры окраски можно создать в бесцветных кристаллах щелочных галогенидов, это сопровождается изменением цвета. Аддитивное окрашивание происходит при отжиге кристаллов в парах соответствующего щелочного металла при температурах, близких к точке плавления. При этом в кристалл проникают электроны. Компенсация избытка отрицательных зарядов происходит благодаря выделению анионов из решетки путем диффузии вакансий. Одним из вариантов аддитивного окрашивания ЯЕ ляется электролитическое окрашивание. Оно состоит в электролизе кристалла при температуре на несколько сот градусов ниже точки плавления. Введение электронов связано с выделением атомов щелочного металла. [c.210]

Введение примесных атомов в готовый кристалл осуществляют тремя способами. Наиболее часто кристалл приводят в контакт с другой, фазой (твердой, жидкой или газообразной), содержащей необходимые примеси, которые затем проникают в кристалл благодаря диффузии. Скорость диффузии примесных атомов в твердой фазе, как правило, мала, поэтому для достижения гомогенного распределения примесей может потребоваться много времени, особенно если размеры кристалла велики. Поэтому указанный метод применяют главным образом при исследовании мелкозернистых порошков и тонких монокристаллов, т. е. в тех случаях, когда время диффузии не столь уж велико, поскольку не слишком мал коэффициент диффузии, или не очень велико расстояние, которое должны преодолеть атомы при дн4)фузии. Например, монокристаллы сульфида кадмия легируют медью или серебром путем продолжительного нагрева их при 950° [811 в порошке сульфида кадмия, содержащем медь или серебро. Медь в монокристаллы германия вводят нагреванием их в контакте с жидким сплавом, содержащим медь [82]. Для легирования кремния литием в подобном случае использовался металлический литий, точнее сплав лития с кремнием [831. Легирование фосфором осуществляют путем нагревания кристаллов в парах фосфора [841, медь и никель для введения в сульфид свинца электролитически осаждают на поверхности кристаллов PbS, которые затем в течение нескольких часов прогревают при 500° [851. Аналогичную методику применяли для легирования арсенида галлия медью [861. [c.28]

Механизм образования У-центров при аддитивном окрашивании щелочно-галоидных кристаллов в парах галоида предложен Л. М. Шамовским [84]. [c.33]

Различным составам, которые можно получить с помощью отжига кристаллов в парах фиксированного состава, отвечает область устойчивости твердой фазы на Т-х- и Р-лг-проекциях (рис. 11.4, б и в), причем каждая точка [c.76]

Из этого соотношения следует, что число сосуществующих в равновесии фаз не может быть больи е трех, так как число степеней свободы не может быть меньше нуля. В свою очередь число независимых переменных не может быть больше двух, так как число фаз не может быть меньше единицы. Поэтому для однокомпонентной системы зависимость между переменными можно выразить диаграммой на плоскости, а в качестве переменных выбрать температуру и давление ввиду того, что они более доступны непосредственному изменению. Понятие концентрации в такой системе лишено смысла. Плоская диаграмма состояния однокомпонентной системы позволяет определить возможное число и характер фаз при выбранных условиях. Но следует учитывать, что плоская диаграмма в координатах р — Т не отражает изменения объема системы при переходе от одной фазы к другой, между тем такие изменения могут быть весьма значительными, например при переходе жидкостей или кристаллов в пар. Чтобы изобразить графически зависимость между р, Т, о, необходимо использовать систему координат из трех взаимно перпендикулярных осей, каждая из которых отвечает значениям одной переменной. Рассмотрим примеры диаграмм однокомпонентных систем. [c.171]

При нагревании кристалла в парах галогена возникает противоположная картина. В этом случае избыток неметалла обеспечивается вакансиями в катионной подрешетке, а компенсация заряда осуществляется электронными дырками. Захват дырок катионными вакансиями приводит к образованию атомоподобных центров, в которых дырка движется вокруг вакансии по одной из стационарных орбит (рис. 1.6,6). Такие центры называются У-центрами. Оптические свойства У-центров аналогичны свойствам / -центров различие состоит в том, что полоса поглощения У-центров лежит в инфракрасной области. Ионизация У-центров, приводящая к высвобождению дырок, протекает согласно уравнению [c.43]

Эти же выражения получаются, если применить закон действия масс к реакциям, описывающим переход атомов с поверхности кристалла в пар (рис. Х.7) [c.251]

В случае одкокомионентпой системы в уравнение состояния входят три переменные например температура Т, давление р и концентрация С или Т, р и мольный объем V. Любые две из них можно рассматривать как независимые переменные, а третью — как их функцию. В большинстве случаев в качестве независимых переменных принимают температуру и давление. Откладывая значение этих двух переменных по двум осям прямоугольной системы координат, получаем двумерную (плоскую) диаграмму, кал<дая точка на плоскости которой выражает условия (сочетание температуры и давления), при которых находится система. Плоская диаграмма состояния однокомпонентной системы позволяет определить возможное число и характер фаз при выбранных условиях, но никак не отралоет объем системы, а следовательно, и изменения объемов при переходе от одной фазы к другой. Эти изменения могут быть очень значительными, например при переходе жидкости или кристаллов в пар. Так, при 273 К Упар/ вода=1240. [c.269]

При обработке кристалла в парах компонента X (молекулы Хг) происходит заполнение вакансий Ух и образование соответствующего числа вакансий на подрешетке М [c.209]

Своеобразные дефекты образуются при внедрении атомов щелочных металлов в кристаллические решетки их галогенидов. Эти дефекты можно создать нагреванием кристаллов в парах металлов. Они делают кристаллы окрашенными. Так, Na l, выдержанный в парах натрия, окрашивается в желтый цвет, КО в парах калия — в синий. Попадая в кристалл, атомы щелочного металла отдают свои электроны анионным вакансиям, в результате получаются своеобразные системы ва- кансия — электрон, похожие по свойствам (в частности, спектрам) на одноэлектронные атомы. Такие дефекты называют F-центрами. [c.264]

В ЭТОМ случае переход атомов из кристалла в пар описывается уравнением с константой равновесия [c.250]

Для ионных кристаллов энергии разупорядочения рассчитываются с помощью цикла Борна — Габера, включающего возникновение заряженных дефектов за счет удаления ионов из кристалла в пар, превращение ионов в атомы и конденсацию атомов с образованием соединения . В случае соединения АВ с дефектами по Шоттки цикл Борна — Габера записывается так [c.313]

Таким образом, плоская диаграмма состояния однокомпонентной системы позволяет определить возможное число и характер фаз при выбранных условиях. Но плоская диаграмма никак не отражает объем системы, а следовательно, и изменения объемов при переходе от одной фазы к другой. Эти изменения могут быть очень значительными, например при переходе жидкости или кристаллов в пар. [c.357]

Вывод, что между атомами инертных газов существуют слабые взаимодействия химического типа, следует из данных о свойствах паров этих веществ и структуре кристаллов. В парах инертных газов обна-зужеиы димеры и в некоторых случаях — более сложные ассоциаты 30]. Энергия диссоциации молекул неона Ыеа составляет около 355 Дж/моль аргона Ага — около 1090 Дж/моль, ксенона — около 2920 Дж/моль, молекул НеМе — около 117 Дж/моль и т. д. [c.77]

Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным У-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехиометрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида. Еще в работе Мольво [831 показано, что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и КЛ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения, обусловленные стехиометрически избыточным галоидом. Таким образом отдельные У-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому, как отдельные полосы /-типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла. [c.32]

WO I4 образует алые кристаллы в парах это соединение мономерно и окрашено в красный цвет оно отличается высокой реакционной способностью и бурно гидролизуется водой. WO.2 I2 имеет вид Желтых кристаллов это вещество не столь реакционноспособно, как тетрахлорид в холодной воде оно гидролизуется довольно медленно. [c.388]

Центры окраски различаются по длине волны собственного поглощения и положению их собственного уровня в запрещенной зоне электронные центры дают уровни выше середины запрещенной зоны, дырочные центры — ниже середины запрещенной зоны. Электронные центры могут отдавать избыточный электрон, т. е. они являются донорами, дырочные центры могут захватывать электрон и являются акцепторами. Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска например, бесцветные кристаллы Na l, K l в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения.Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [c.312]

СИ (в таких случаях говорят иногда о механизме контролируемых дефектов). Это обстоятельство играет весьма важную роль, ибо концентрацию тепловых дефектов, как и дефектов, созданных прогревом кристалла в парах одного из образующих его элементов, гораздо труднее стабилизовать в процессе охлаждения, нежели концентрацию примесных, а следовательно, и компенсирующих собственных дефектов (см. гл. VI). С другой стороны, изменяя давление паров элементов, входящих в состав основания люминофора, и влияя тем самым на концентрацию вакансий (или междо- [c.115]

В работе Эйвена и Кузано [71] детально исследованы диоды на основе я-ZnSe с анодом из СигЗе. Селенид меди—полупроводник р-типа с узкой зоной, который незначительно растворяется в селениде цинка. Диоды изготовляли нанесением селенида меди на поверхность кристалла селенида цинка путем погружения в раствор соли меди. Между селенидом меди и проводящим селенидом цинка был сделан изолирующий слой из селенида цинка. Последний был получен либо термодиффузией меди в кристалл из слоя селенида меди, либо предварительным прогревом кристалла в парах селена перед осаждением слоя селенида меди. При этом образовывалась структура металл (или полупроводник с узкой запрещенной зоной)—изолятор — полупроводник (структура типа pin). Диоды излучали при напряжении 1,4 в при прямом смещении. При температуре 77° К в спектре излучения наблюдались полосы 1,96 2,07 2,36 и 2,68 эв. Голубая полоса превалировала в кристаллах, [c.45]

Если кристалл с дефектамй Шоттки взаимодействует с паровой фазой, то отклонение от стехиометрии обеспечивается изменением концентрации вакансий. При обработке кристалла в парах компонента М происходит заполнение вакансий Ум атомами М и соответствующее увеличение концентрации вакансий на подрешетке X [c.209]

Теми же методами пользуются и для приготовления кристаллов нестехиометрических соединений. Например, галогениды щелочных металлов со сверх-стехиометрическим избытком металла готовят нагреванием кристаллов в парах металла [971, а с избытком галогена — в парах гелогена [881. Отжигом кристаллов в парах компонентов регулируют стехиометрический состав сульфида кадмия [89], теллурида кадмия [90], сульфида свинца [91]. Теллурид олова с определенным отклонением от стехиометрического состава получают нагреванием кристаллов вместе с порошком требуемого состава [91а]. Другие примеры приводятся в работе [92] и в табл. XIV.1. Методы регулирования состава пара и возникающие при этом осложнения рассмотрены в разделе П.4.5. [c.28]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология