Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Любые точечные дефекты кристаллической решетки обладают замечательным свойством мигрировать, т. е. перемещаться в кристалле. Для классических дефектов единственной причиной миграции является флуктуационное тепловое движение, а ее реализацией служит беспорядочное блуждание точечного дефекта по решетке. Если под действием некоторых движущих сил подобная миграция происходит направленно, то говорят о диффузии точечных дефектов. Но иногда диффузионным движением называют любую тепловую миграцию дефектов, даже если она не характеризуется выделенным направлением. В дальнейшем нас будет интересовать не столько направление диффузионного перемещения дефектов, сколько механизмы их миграции.

ПОИСК





Механизмы классической диффузии

из "Физическая механика реальных кристаллов"

Любые точечные дефекты кристаллической решетки обладают замечательным свойством мигрировать, т. е. перемещаться в кристалле. Для классических дефектов единственной причиной миграции является флуктуационное тепловое движение, а ее реализацией служит беспорядочное блуждание точечного дефекта по решетке. Если под действием некоторых движущих сил подобная миграция происходит направленно, то говорят о диффузии точечных дефектов. Но иногда диффузионным движением называют любую тепловую миграцию дефектов, даже если она не характеризуется выделенным направлением. В дальнейшем нас будет интересовать не столько направление диффузионного перемещения дефектов, сколько механизмы их миграции. [c.196]
Сильное взаимодействие классического дефекта с кристаллической решеткой приводит к его локализации. В результате этой локализации дефект оказывается в глубокой потенциальной яме, совершая в ней малые колебания с некоторой частотой Юо. [c.196]
Сопоставляя энергию активации миграции дефекта /о с параметром графика на рис. 65, следует помнить условность последнего. Существование функции Е = Е (х) предполагает, что в процессе перемещения дефекта кристалл успевает прийти в равновесное состояние, характеризующееся определенным значением координаты дефекта х. Таким образом, энергия Е может считаться функцией только координаты х, если движение дефекта в процессе перехода между позициями Хо и XI происходит достаточно медленно. Когда условие медленности не выполняется, то график на рис. 65 для функции одной переменной х теряет смысл. При этом формула (П.1) остается справедливой, но энергия активации и о приобретает смысл независимого диффузионного параметра, определяющего энергию седловой точки в некотором многомерном пространстве конфигураций атомов кристаллической решетки вблизи дефекта. [c.197]
Наконец, перемещение сложного точечного дефекта бывает многоступенчатым. Тогда полная энергия активации миграции дефекта должна быть согласована с энергиями активации отдельных ступеней механизма диффузии. Можно представить себе несколько атомных механизмов скачка, переводящего дефект из одного положения в другое. Обратим внимание на типичные механизмы. Наиболее прост механизм миграции вакансии. Элементарным скачком служит в этом случае переход атома в соседнюю вакансию (рис. 66). В результате скачка атом и вакансия просто обмениваются местами. [c.197]
Вакансионный механизм часто реализует ди( )фузию примеси замещения в кристалле. Если примесь и вакансия оказываются рядом, то они могут обменяться местами по схеме рис. 66. Примесь ди( )фун-дирует по кристаллу в результате обменов местами с различными вакансиями, которые время от времени оказываются вблизи нее. Этот механизм должен быть особенно существенным и лимитирующим процесс дис зфузии примеси в том случае, когда атом примеси значительно больше атома кристалла-матрицы и становится совершенно маловероятным прямой обмен местами примеси и регулярного атома. [c.198]
Диффузия междоузельных атомов осуществляется несколькими механизмами. Наряду с прямым перемещением атомов по междоузлиям (рис. 68, а) возможен непрямой механизм движения, при котором междоузельный атом занимает место в узле, вытесняя из него атом в соседнее междоузлие (рис. 68, б). [c.199]
Более многоступенчатым выглядит гантельный механизм диффузии междоузельного атома. Для перемещения гантельной конфигурации 1, 2) на рис, 69 из исходного узла в соседний необходимо скачкообразное смещение трех атомов один из партнеров гантели (1) переходит в узел, второй — смещается к соседнему узлу, из которого находящийся в нем атом 3 переходит в гантельную конфигурацию. В результате вместо гантельной конфигурации (/, 2) возникает гантельная конфигурация (2, 3) новой ориентации в соседнем узле. Очень важно, что смещение гантельной конфигурации на период решетки сопровождается перемещением каждого из атомов — участников процесса на гораздо меньшее расстояние. Это обстоятельство значительно облегчает реализацию гантельного механизма диффузии междоузельных атомов. [c.199]
Еще более легко идет краудионный механизм перемещения лишнего атома в плотноупакованном ряду, о чем мы уже имели случай говорить. Однако смещение краудиона под сильным внешним воздействием больше напоминает механическое движение, чем прыжковую диффузию. [c.199]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте