ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Применение электронографии из "Кристаллография рентгенография и электронная микроскопия" Картину электронной дифракции — электронограмму — получают на фотопленке (пластинке) в специальных приборах — электронографах или в современных электронных микроскопах (режим микродифракции). [c.297] Однако при съемке электронограмм получаются лишь линии с малыми углами О, так как из-за сильной угловой зависимости /эл (рис. 11.1) интенсивность линий на больших углах дифракции исчезающе мала. [c.298] Конструкция держателя позволяет перемещать образец поступательно, вращать и наклонять его по отношению к пучку, а также нагревать (до 1000°С) или охлаждать (до—140 °С) и растягивать. Специальная приставка позволяет изучать газы и летучие вещества при температурах до 400 °С. [c.298] В качестве образцов можно использовать как поли-, так и монокристаллы. Рассмотрим геометрию дифракционной картины с помощью построения Эвальда. При этом учтем, что из-за малости длины волны Яэл сфера Эвальда очень близка к плоскости и что узлы ОР монокристалла размыты из-за мозаичности кристалла, его малой толщины в направлении пучка (10 мм) и некоторой расходимости первичного пучка. [c.298] Из рис. 11.3, а следует, что электронограмма поликристалла представляет собой систему концентрических колец (съемка на просвет) или полуколец (съемка на отражение). Вид этих электронограмм показан на рис. и А, а, б. Из подобия треугольников О, ООО, Л1 и 00 М (рис. П.3,а) следует llU . gHKL = L-.R. [c.298] Так как трудно достаточно точно измерить раздельно Яэл и L, постоянную прибора определяют съемкой эталонных веществ с известными d/и (MgO, Na l) в тех же условиях (i/, L), что и исследуемый образец. [c.298] Поскольку нулевая плоская сетка Ор соответствует зоне [иют] плоскостей кристаллической решетки, то найдя индексы двух — трех пятен на точечной электронограмме, можно определить индексы оси зоны, которая параллельна падаюш,ему пучку электронов, т. е. определить ориентировку кристалла. [c.300] Симметрия точечной электронограммы определяется симметрией кристалла в направлении оси зоны и тем, что нулевая плоская сетка ОР всегда имеет ось симметрии второго порядка (узел ООО —центр инверсии ОР). [c.300] Основные области применения электронографии связаны с особенностями рассеяния электронов. Приведем некоторые примеры. [c.300] рентгеновское изучение е-фазы системы Ре — N показало, что в кристаллах этой фазы, имеющей очень широкую область гомогенности на диаграмме состояния, металлические атомы образуют компактную гекса-гональнз ю решетку. Размещение атомов азота из-за малой рассеивающей способности по отношению к рентгеновским лучам при этом установить не удалось. По данным электронографического исследования В. Д. Каверин и 3. Г. Пинскер обнаружили, что в зависимости от содержания азота и от температуры получения нитридов возможны неупорядоченное и три типа упорядоченного размещения неметаллических атомов. Таким образом, фазовое поле е-фазы нужно разбить на четыре поля с соответствующими двухфазными областями между ними. [c.300] С помощью электронной дифракции расшифрованы также структуры нитридов молибдена, кобальта, ниобия и т. д. [c.300] Действительно, в соответствие с формулой (6.17) угловое размытие максимума пропорционально Я, что при ускоряющем напряжении 7=100 кВ дает величину ущирения в 50 раз меньще, чем для рентгеновских лучей. Так, из-за высокой дисперсности карбида низкоотпущенной стали однозначная расшифровка его структуры была крайне затруднительна. [c.301] Скаковым при электронографическом исследовании показано, что карбид этот имеет компактную гексагональную решетку металлических атомов (е-карбид). [c.301] Следует отметить еще одну особенность электронографического метода, использованную при изучении Б-карбида. [c.301] В последние годы появилось много работ по изучению фазового состава, совершенства, наличия окисных пленок и, наконец, структуры поверхности и тонких пленок полупроводниковых материалов, особенно полученных путем эпитаксиального роста. [c.301] Электронографически же было показано возникновение аморфного слоя (толщиной 10 мм) на поверхности металла при полировке и при трении с нагрузкой. [c.302] Расторгуев показал, что в тонкой пленке сверхпроводящего сплава Си+30 % В1, полученной электроосаждением, значительная часть висмута аморфна. [c.302] Вернуться к основной статье