ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Переключение доменов во внешних полях из "Обратимая пластичность кристаллов" Часто в области кристалла, имеющей одно из ориентационных состояний, могут существовать тонкие клинообразные домены двух других состояний, образованных как 60 -ными, так и 120 -ными стенками. Иногда в кристаллах РЬз (РО4) 2 встречаются зигзагообразные доменный границы, которые можно представить как совокупность 60 -или 120 -ных клиньев и которые обычно возникают при наличии локализованных неоднородных механических напряжений. [c.186] Переключение кристалла из одного ориентационного состояния в другое под воздействием механических напряжений зависит от ориентации внешнего упругого поля. В РЬз (Ю4)2 переключение может происходить за счет движения как 60 -ных, так и 120 -ных клиньев. Для того чтобы дать представление о масштабе нагрузок, под которыми происходит перемещение указанных границ, приведем характерное пороговое напряжение движения 60 -ной границы. Рост имеющихся 60 -ных клиньев и возникновение новых клиньев наблюдаются при соответствующим образом ориентированной растягивающей нагрузке, превышающей 1 МПа. При таких напряжениях 60 -ные клинья прорастают через весь кристалл и достигают его границ, практически не изменяя своей ширины (толщины). Дальнейшее переключение идет за счет смещения доменных границ вплоть до полного перехода кристалла в новое ориентационное состояние. [c.186] На основе анализа переключения доменов в РЬз (Р04)г в этом процессе можно всегда выделить три стадии [366] 1) образование клинообразных зародышей новогр состояния (или нескольких новых состояний), энергетически выгодных при приложении внешнего механического напряжения (сжатия, растяжения или сдвига) в заданном кристаллографическом направлении 2) прямой рост клинообразных доменов сквозь кристалл без существенного изменения ширины клина 3) движение доменных границ параллельно самим себе (так называемое боковое смещение). [c.186] Взаимодействие элементов доменной структуры, может существенно воздействовать на макроскопическую пластичность кристалла в целом. В частности, на процессы переключения влияет взаимодействие доменных границ разного типа. Интересно проследить за эволюцией формы домена, заключенного между плоской и зигзагообразной доМенны к границами. На рис, 7i.3 показана доменная структура образца Gdj (Мо04 з включающая в себя параллельные плоскую и зигзагообразную границы [374]. При приложении к образцу электрического поля соответствующей полярности начинается их сближение вплоть до видимого соприкосновения вершин зигзага с плоской доменной границей. [c.189] Вернуться к основной статье