Переключение доменов во внешних полях

Переключение доменов во внешних полях [c.185]

Переключение кристалла из одного ориентационного состояния в другое под воздействием механических напряжений зависит от ориентации внешнего упругого поля. В РЬз (Ю4)2 переключение может происходить за счет движения как 60 -ных, так и 120 -ных клиньев. Для того чтобы дать представление о масштабе нагрузок, под которыми происходит перемещение указанных границ, приведем характерное пороговое напряжение движения 60 -ной границы. Рост имеющихся 60 -ных клиньев и возникновение новых клиньев наблюдаются при соответствующим образом ориентированной растягивающей нагрузке, превышающей 1 МПа. При таких напряжениях 60 -ные клинья прорастают через весь кристалл и достигают его границ, практически не изменяя своей ширины (толщины). Дальнейшее переключение идет за счет смещения доменных границ вплоть до полного перехода кристалла в новое ориентационное состояние. [c.186]

Однако в ряде случаев такой подход к выбору исходной фазы не позволяет правильно описать всю совокупность наблюдаемых свойств. Так, в некоторых кристаллах в высокосимметричной фазе С, существующей вплоть до температуры плавления, может наблюдаться доменная структура, которая характеризуется следз щими свойствами. Во-первых, различные домены могут быть совмещены друг с другом кристаллографическими злемектами симметрии, не принадлежащими наблюдаемой группе С во-вторых, накладывая внешние поля, можно наблюдать смещение доменных границ и переключение доменов. Наличие ниже точки плавления доменной структуры с такими свойствами можно рассматривать как результат гипотетического фазового перехода Со- О, где Со—гипoтetи-ческ я исходная фаза. Например, если в орторомбическом кристалле наблюдаются домены, переводимые друг в друга осью шестого порядка Сб, то зто указывает на гексагональную гипотетическую, исходную фазу. [c.76]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология