Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Во-вторых, реальная (некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. Но, как известно, вблизи ядра дислокации возникают сильные упругие поля, которые в принципе могут сместить в окрестности дислокации, если эти поля окажутся существенными в макроскопических объемах [485]. Поэтому вблизи двойниковой границы с большой плотностью дислокащ1й может появиться слой достаточно большой толщины, в котором нарушения структуры кристалла обеспечат смещение Г - В работе [486] сделана оценка толщины сверхпроводящего слоя она дала величину порядка 10 см. Заметим, что при линейной плотности дислокаций 10 см толщина области неко-герентности двойниковой границы также имеет порядок величины iO см.

ПОИСК





Сверхпроводимость двойниковых границ

из "Обратимая пластичность кристаллов"

Во-вторых, реальная (некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. Но, как известно, вблизи ядра дислокации возникают сильные упругие поля, которые в принципе могут сместить в окрестности дислокации, если эти поля окажутся существенными в макроскопических объемах [485]. Поэтому вблизи двойниковой границы с большой плотностью дислокащ1й может появиться слой достаточно большой толщины, в котором нарушения структуры кристалла обеспечат смещение Г - В работе [486] сделана оценка толщины сверхпроводящего слоя она дала величину порядка 10 см. Заметим, что при линейной плотности дислокаций 10 см толщина области неко-герентности двойниковой границы также имеет порядок величины iO см. [c.237]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте