Сверхпроводимость двойниковых границ

Сверхпроводимость двойниковых границ [c.236]

Обозначим через Т к.дв температуру, при которой возникает (или исчезает) сверхпроводимость двойниковой границы, Величина = [c.236]

Наиболее убедительные свидетельства в пользу большой роли степени некогерентности двойниковых границ (т.е. плотности на них двойникуюших дислокаций) в сверхпроводимости двойниковых границ получены в экспериментах [537]. Для оценки плотности дислокаций на границе двойника использовался угол а при вершине клиновидного двойника. Можно показать (подробнее см. 3.1), что угол интегральным образом связан [c.237]

Экспериментальные ийследования сверхпроводящих кристаллов, содержащих значительное число параллельных плоскостей двойникования, показали, что температура сверхпроводящего перехода таких кристаллов выше массивного монокристалла [478—484]. Изучение магнитных свойств )тдельной двойниковой границы подтвердило ее особые свойства, связанные со сверхпроводимостью. На ркс. 9,2 приведены результаты измерения распределения намагниченности в монокристалле Sn, содержащем одну изолированную двойниковую границу, при температуре, превышающей Tj отдельного монокристалла [482]. Хорошо видно, что в районе двойниковой границы возникает аномальное распределение диамагнитного момента, которое можно связать с локализованной в этой области сверхпроводимостью. Диамагнитная намагниченность вблизи двойниковой границы на два порядка величины превышает флуктуационную намагниченность в совершенном монокристалле. Возникновение сверхпроводи-моста в кристаллах, содержащих двойникозые границы, при температуре, превышающей обнаружено как в сверхпроводниках I рода (например, в Sn, In, Re, Tl), так и в сверхпроводниках II рода (например, Nb). Подробное и детальное описание обсуждаемого явления приведено в обзоре [482]. [c.236]

Рис. 9.2, Схема эксперимента по изучению влияния межзеренных и двойниковых храниц иа сверхпроводимость диамагнитный момент) [4821 а образец олова (/ - граница общего типа, 2 - моно1фисталли-ческий участок, 3 - двойниковая граница) б эксперимен-талыпле записи завйснмоста от напряженности магнитного поля Я в - зависимость макси-м ьного значения тах координаты

Поскольку двойниковая граница может рассматриваться как простейший случай межфазной границы и большеуголовой гришщ>1 зерен, то вблизи плоских участков упомянутых типов границ также можно ожидать возникновения двухмерной сверхпроводимости. [c.237]

Окончательное решение вопроса о роли двойниковых границ в высокотемпературных сверхпроводниках требует детального экспериментального изучения изолированных двойниковых границ. В любом случае, следуя [511], можно отметить, что, хотя в несдвойникованных кристаллах -Ва-Си-0 может наблюдаться высокотемпературная сверхпроводимость, несдвойникованное состояние является нестабильным, и кристаллы V—Ва—Си—О, как правило содержат густую сеть двойниковых границ. Поэтому любое последовательное теоретическое рассмотрение высоко температурных сверхпроводников не может игнорировать эту фyндaмeн- тальную Особенность их структуры ). [c.243]

Определенную роль здесь может сыграть сверхпроводимость плоскостей двойникования, которая должна способствовать росту Гк. Но, по-вИ-диморлу, более существенным следствием увеличения суммарной площади границ раздела под нагрузкой люжет явиться возрастание критического тока / . Дело в том, что наличие границ раздела чущественно повышает силу пиннинга, а значит, и(см., например, [530 ) Теоретическое рассмотрение пиннинга вихрей на двойниковой границе проведено в [531,532]. [c.251]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология