Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Простейшие структурные дефекты, роль которых играют одиночные примесные атомы или нарушения в узлах решетки, называют точечными дефектами. Они бывают двух видов. Во-первых, это атомы, находящиеся в междоузлиях, т. е. атомы, занимающие в решетке такие места, которые в идеальном кристалле не должны быть заняты (рис. 25). В решетках с большими пустотами между узлами междо-узельные дефекты образуются легче, чем в тех решетках, где междо-узельное пространство мало. Соответственно малые по размерам атомы или ионы могут легче, чем крупные, занимать междоузлия.

ПОИСК





Точечные дефекты

из "Химия твердого тела"

Простейшие структурные дефекты, роль которых играют одиночные примесные атомы или нарушения в узлах решетки, называют точечными дефектами. Они бывают двух видов. Во-первых, это атомы, находящиеся в междоузлиях, т. е. атомы, занимающие в решетке такие места, которые в идеальном кристалле не должны быть заняты (рис. 25). В решетках с большими пустотами между узлами междо-узельные дефекты образуются легче, чем в тех решетках, где междо-узельное пространство мало. Соответственно малые по размерам атомы или ионы могут легче, чем крупные, занимать междоузлия. [c.53]
Во-вторых, в узлах решетки, которые в идеальном кристалле заполнены, атомы могут отсутствовать. Точечные дефекты такого вида называют вакансиями. В элементарной ковалентной решетке отсутствие одного атома (электрически нейтрального) не вызывает существенных нарушений в общем балансе электрических зарядов в кристалле. Однако в ионном кристалле (если рассматривать его в целом) вакансии в катионной или анионной подрешетке должны быть каким-то образом электрически скомпенсированы. Это условие выполняется, если имеется эквивалентное количество катионных и анионных вакансий или если на каждую ионную вакансию приходится такое же число ионов того же знака в междоузлиях. Комбинацию вакансии и иона в междоузлиях называют дефектом по Френкелю, а комбинацию анионной и катионной вакансий —дефектом по Шоттки. Требование компенсации заряда, как мы в дальнейшем покажем, может быть также удовлетворено, если в кристалле содержится примесь атомов с валентностью, отличной от валентности атомов самой решетки. Наконец, компенсации можно достигнуть простым введением избыточных электронов или, наоборот, удалением их из кристалла. Если вакансия образуется в металле, то происходит одновременное удаление положительно заряженного иона и компенсирующего электрона (электронов). [c.53]
Считают, что в кристаллах галогенидов щелочных металлов катионные и анионные вакансии присутствуют в равных количествах. [c.53]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте