Точечные дефекты

Точечные дефекты. Точечными, или атомными, дефектами в структуре ионного кристалла (какими и является основная часть кристаллов силикатов) являются дефекты по Шоттки и по Френкелю (вакансии) и дефекты, связанные с примесными атомами (твердые растворы). К точечным дефектам относятся также электронные. [c.167]

Рис. 1.91. Точечные дефекты в ионных кристаллах

Молекулярно-кинетическая теория плавления [170] исходит из положения, что уменьшение степени порядка в расположении частиц твердого тела начинается задолго до плавления в связи с увеличивающейся тепловой подвижностью частиц с ростом температуры. При этом растет число точечных дефектов структуры, что способствует разрыхлению кристаллической решетки. С дальнейшим повышением температуры в непосредственной близости от пл кристаллографически правильное расположение частиц теряет устойчивость, причем решающая роль в разрушении дальнего по- [c.158]

При наличии только небольших точечных дефектов в грунтах с низким удельным сопротивлением переходное сопротивление [c.82]

Неправильное расположение отдельных атомов в кристаллической решетке создает точечные дефекты. В кристалле, состоящем из одинаковых атомов, например в кристалле металла, в каком-то участке решетки может отсутствовать один из атомов. На его месте будет полость, вокруг нее — искаженная структура (рис. 1.90а). Такой дефект называется вакансией. Если же атом данного вещества или атом примеси попадает между атомами в узлах решетки (рис. 1.906), то возникает дефект внедрения. [c.151]

Рис. 1.90. Точечные дефекты в металлической кристаллическом решетке а — вакансия б — дефект внедрения.

Рис. 102. Точечные дефекты в структуре ионного кристалла.

Известно, что значение Л 1 в случайно упакованной структуре шаров произвольно изменяется от 4 до 12 и в среднем равно 8 0,5[6]. Причем нижний и верхний пределы N1 соответствуют минимальной и максимальной плотностям регулярных структур О = 0,34 и 0,74 соответственно. В работе [7] описан метод визуализации агрегатов частиц, входящих в первую координационную сферу (рис. 5), что позволило различать те или иные характерные особенности структуры упаковок. В этой связи особенно показательны агрегаты с координационным числом > 8. У них отчетливо видна структура плотнейшей упаковки с разным числом точечных дефектов — вакансий, ие занятых шарами. Агрегаты удобно было рассматривать, ориентируя их наиболее заселенный гексагональный слой, содержащий до 7 частиц, в горизонтальное положение. Тогда сверху п снизу в лунках между шарами укладывалось максимум но 3 шара. Когда верхние и нижние [c.20]

Сушествуют два вида точечных дефектов, проявляющиеся в зависимости от размеров частиц, образующих решетку. В структурах с достаточно большими незаполненными объемами, например в металлах с объемными октаэдрическими и тетраэдрическими пустотами в ионных решетках, состоящих [c.430]

Кроме точечных дефектов несовершенство кристалла в значительной степени определяется смещениями и перестановками элементов решетки (линейными дефектами), поворотом слоев в кристалле (плоскостные дефекты), образованием пор, пустот и включений (объемные, трехмерные дефекты). Наиболее заметные отклонения от идеальной структуры наблюдаются на поверх- [c.431]

В кристаллической решетке металла могут быть различные типы дефектов. Собственное нарушение порядка расположения атомов в кристаллической решетке определяют точечные дефекты. Бывают дефекты, вызванные присутствием чужеродных атомов, которые могут находиться в регулярных узлах и между узлов кристаллической решетки. Другой тип дефектов связан с тем, что отдельные атомы кристаллической решетки металла могут находиться в иных возбужденных состояниях, чем основная масса атомов. Такие дефекты называются электронными. [c.324]

Методика позволяет выявить точечные дефекты, точки выхода дислокаций, одномерные нерегулярности, например ступени скола, кристаллические поверхности, которые могут обладать различными характерными особенностями расположения ионов, что определяет количество, а при определенных условиях и форму выделяющихся кристалликов золота. [c.136]

Изменение образца при приготовлении. При уменьшении толщины препарата (шлифовки, полировки и т. п.) могут быть частично релаксированы дислокации, поэтому дислокационная структура тонких и толстых объектов часто бывает различной (в процессе приготовления пластинок из стали перемещается, например, до 20% дислокаций). Нагревание образца в процессе полировки часто приводит к определенным фазовым превращениям вещества в поверхностном слое (отжиг части точечных дефектов, образование гидридов в токе водорода и т. п.). Могут происходить различные изменения в пленке образца и при переносе ее из камеры предварительного приготовления в вакуумную систему, и при пребывании в условиях глубокого вакуума. [c.144]

В процессе облучения объекта электронами может происходить взаимодействие части падающих электронов с электронами в материале, что вызывает ионизацию вещества, следствием которой может быть разложение некоторого количества малоустойчивых веществ (Ь1Р и т. п.), возникновение новых точечных дефектов на дислокациях или передвижка старых дефектов. [c.144]

Экспериментальные работы позволили установить, на каких дефектах преимущественно зарождаются частицы конденсата в условиях вакуумного декорирования. Путем сравнения исследуемых образцов с эталонами отмечено, что происходит образование частиц золота на атомах примесей, вакансиях, центрах окрашивания, а также на поверхностных дефектах деформационного происхождения и дефектах роста. Выявить весь спектр точечных дефектов можно с помощью методики многократного декорирования. Она состоит в том, что вначале конденсируется одна порция вещества. Затем проводится повторное декорирование, но уже при более высокой температуре. В процессе многократного декорирования выявляются как сильные центры зарождения частиц, так и более слабые. Эта методика пригодна для наблюдения миграции точечных дефектов и их скоплений. [c.161]

Отражение от точечных дефектов ранее давалось формулами [c.117]

Для теоретической оценки фронтальной разрешающей способности рассчитывают амплитуду эхосигнала от двух одинаковых точечных дефектов, залегающих на глубине г и расположенных на расстоянии А/ друг от друга. Методика расчета изложена в [4]. На рис. 2.27 показаны соответствующие графики. Обращает на себя внимание появление дополнительного (центрального) максимума, соответствующего положению преобразователя посередине между отражателями. В этом случае эхосигналы от обоих отражателей приходят к преобразователю в одно время и взаимно усиливаются. При большом удалении дефектов от преобразователей (г гб) дополнительных максимумов может быть несколько. Основные максимумы могут быть не тогда, когда преобразователь расположен точно над дефектом, а когда он несколько в стороне. [c.143]

Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

Точечные дефекты кристаллической решетки — атомы внедрения и вакансии (лишний атом или отсутствие атома в узле решетки). Они могут возникнуть под действием тепловых колебаний. С ними связана дополнительная потенциальна 1 анергия. Искажения перемещаются по решетке. Если атом внедрения встречается с вакансией, дефект решетки аннигилирует, выделяя энергию порядка 10 Дж в виде упругого импульса. Сигналы такого уровня обычно не регистрируются. [c.172]

Определение местоположения дефекта для компактных (точечных) дефектов, размеры которых значительно меньше ширины поля преобразователя, сводится к поиску положения преобразователя. соответствующего максимуму эхосигнала и определению координат дефекта, как изложено в п. 2.4.4. Дефекты, размеры которых [c.191]

Применение второго способа во всех вариантах измерения к округлым дефектам неэффективно, так как при этом измеряется лишь диаграмма направленности преобразователя. Сравнив два способа оценки размеров применительно к плоским дефектам, перпендикулярным направлению акустической оси, отметим, что первый из них целесообразно применять к точечным дефектам, а второй — к протяженным. Из рассмотренных критериев определения края дефекта наилучшее приближение к истинным размерам дефекта дает способ 6 дБ . Однако реальный протяженный дефект может иметь разную отражательную способность в разных точках своей поверхности. В результате амплитуда эхосигнала при перемещении [c.194]

Следует обратить внимание, что измерению подлежат именно перемещение импульса по линии развертки, а не перемещение преобразователя по поверхности изделия. Для неразвитого по высоте дефекта, показанного на рис. 3.3, а пунктиром, перемещение преобразователя будет таким же, как для варианта а, а перемещение импульса по линии развертки не больше чем для варианта б. По этому признаку отличают развитые по высоте дефекты от неразвитых, подобно тому как различали протяженные и точечные дефекты. [c.195]

Решение. Оценим ближнюю зону преобразователя Xi=5,91/2,5=2,36 мм, Гб /Я/4Х=11274-2,36=Д5,3 мм. Таким образом, дефект расположен в дальней зоне. Задача состоит в том, чтобы сравнить измеренную протяженность с условной протяженностью точечного дефекта с такой же эквивалентной площадью. Отношение эхосигнала от дефекта к уровню, на котором выполняли измерение, пропорционально отношению площадей отражателей, таким образом измерение выполняли на уровне 274 =0>25. [c.217]

Условная протяженность точечного дефекта равна 2р=2,7,5 мм, больше, чем 22, таким образом, найденный дефект относится к непротяженным. [c.217]

Нарушения периодичности структуры проявляются в особенностях картины рассеяния (сателлиты, диффузный фон и др.). Анализ этих особенностей позволяет определить как динамические нарушения, обусловленные тепловым движением частиц кристалла, так и тип и распределение статических дефектов кристаллической структуры (точечные дефекты, дислокации и т. д.). Динамические и статические нарушения структуры влияют на все физические свойства твердых тел, в наибольшей мере сказываясь на транспортных свойствах кристаллов, связанных с переносом электричества, тепла или массы, включая пластичность и прочность. Так, коэффициент диффузии в одном и том же веществе может меняться на 10 порядков. [c.15]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего, различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты это незанятые узлы решетки или вакансии и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеб- [c.162]

Подобно точечным дефектам, лислокации подзижны. Их подвижность особенно велика в случае металлических кристаллов. Механические свойства металлов сильно зависят от плотности дислокаций (т. е. от их числа в единице объема) и от их способности к перемещению по кристаллу (см. стр. 537, 538). [c.163]

Молекулярно-кинетическая теория плавления исходит из положения. что уменьшение степени порядка в расположении частиц твердого тела начинается задолго до плавления в связи с увеличива-юп1,ейся тепловой подвижностью частиц с повышением температуры. При этом растет число точечных дефектов структуры, что способствует разрыхлению кристаллической решетки. С дальнейшим повышением температуры в непосредственной б.тизости от кристалло-графпческп правильное расположение частиц теряет устойчивость, причем решающая роль в разрушенип да.льного порядка переходит к появляющимся более или менее значительным флуктуациям плотности, в которых участвует значительное число атомов. [c.8]

Соединениями постоянного состава являются вещества молекулярного строения, поскольку состав молекул однозначно определяется строением их образующих aroMOFj. Ь сли же кристаллическое вещество имеет атомное или ионное строение, то оно характеризуется более или менее переменным составом. Причиной этого являются точечные дефекты в кристалле. В реальном кристалле возможны дефекты двух типов. Рассмотрим кристалл двухэлементного соединения АВ. В идеальном случае в кристал/ю заняты все узлы кристаллической решетки атомами (ионами) А и В (рис. 66, а). В реальном же кристалле могут быть не заняты узлы кристаллической решетки, отвечающие атому (иону) А и (или) атому (иону) В (рис. 66, в). Кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы (ионы) А и (или) В (рис. 66, б). [c.105]

ОД точечный дефект в ввде псры и две попе-речньсе трещины длиной 4 мм кольцевой шов [c.65]

Магнитные свойства, как и все свойства тел, могут быть структурно чувствительными и структурно нечувствительными. Структурная чувствительность - зависимость свойств от структуры тела (величина зерна, его ориентировка, наличие двойников и дефектов упаковки, величина и разо-риентировка блоков, наличие дислокаций и точечных дефектов). В наиболее общей форме структурную чувствительность можно определить как зависимость свойства от дефектов решетки. [c.55]

Наиболее типична для трехмерноупорядоченного графита тригональная симметрия (Зт). Это определяется наличием в решетке дислокаций, искривлений границ между кристаллами, точечными дефектами, вакансиями, атомами углерода, находящимися между слоями. [c.24]

Другим классическим примером пространственных диссипативных структур является так называемая решетка вакансионных пор, экспериментально обнаруженная Дж. Эвансом в 1970 г. при исследовании микроструктуры молибдена, облученного ионами азота. Известно, что облучение металла некоторыми частицами (нейтронами, быстрыми ионами) приводит к образованию в кристаллической решетке точечных дефектов — вакансий и межузель-ных атомов. При повышении температуры эти вакансии, перемещаясь в кристалле, образуют сложные кластеры дефектов в виде [c.378]

В структурах с плотнейшей сферической упаковкой, например в кубических объемно-центрированных металлических решетках, а также в ионных решетках с катионами и анионами, мало отличающимися по своим размерам (например, Na l), ион не может занять междуузлие. Точечные дефекты в этом случае образуются при перемещении элементов ячейки на поверхность, в результате чего также образуются пустые места в решетке [c.431]

Оба вида точечных дефектов имеют решающее значение для процесса перемещения ионов частиц в решетке они обеспечивают возможность переноса вещества при химической реакции и электрическую проводимость ион- ой решетки. Концентрация дефектов, устанавливающаяся в обратимом тепловом равновесии, однозначно определяется температурой (экспоненциально растет с температурой) соответственно при охлаждении устанавливается более низкое равновесное значение концентрации дефектов. Например, в решетке AgBr при 300 °С 0,4% всех ионов Ag+ занимают места вне узлов решетки. Причиной появления несовершенств в кристаллической решетке чистого вещества являются колебания элементов кристаллической решетки, энергия которых зависит от температуры. [c.431]

Общая химия (1984) -- [ c.354 ]

Общая и неорганическая химия 1997 (1997) -- [ c.206 ]

Общая и неорганическая химия (2004) -- [ c.206 ]

Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.119 , c.120 , c.128 ]

Химия и технология ферритов (1983) -- [ c.35 ]

Физикохимия неорганических полимерных и композиционных материалов (1990) -- [ c.44 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология