ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Эффект насыщения из "ЭПР Свободных радикалов в радиационной химии" Поглощение квантов СВЧ также сопровождается изменением разности заселенностей уровней, поэтому рассмотрим изменения заселенности при одновременном протекании процессов релаксации и поглощения квантов СВЧ. [c.20] Отсюда следует, что для получения максимального сигнала поглощающее вещество должно находиться в пучности стоячей СВЧ-волны . [c.21] При очень больших значениях Я электрон, поглотив квант энергии, не успевает передать его решетке. Вследствие возмущающего влияния СВЧ поля электрон излучает этот квант, возвращаясь в исходное состояние. Такие переходы уменьшают время жизни в том и другом состоянии и приводят к уширению линии поглощения. В том случае, когда пу1Н Т- 1, ширина линии определяется уже не спин-решеточной релаксацией, а этими переходами. Амплитуда сигнала при этом уменьшается так, как показано на рис. 1.4. Следовательно, для получения максимального сигнала ЭПР, ширина которого определяется лишь свойствами вещества, существует некоторое оптимальное значение уровня подаваемой в резонатор мощности СВЧ. [c.21] Отсюда следует, что чем ниже температура , тем больше интегральная поглощаемая мощность. На измерении интегральной поглощаемой мощности, пропорциональной концентрации неспаренных электронов N о, основано измерение концентрацип парамагнитных частиц в исследуемом веществе. [c.22] Время спин-решеточной релаксации для радикалов, образующихся в облученных веществах, приблизительно равно 10 -н 10 сек. Подставляя это значение в (1.17), получим, что ширина линии АН должна быть 10 гс. Однако наблюдаемая ширина линий значительно больше этой величины. Например, для стабилизированных атомов водорода АН 1 гс. Это вызвано тем, что неспаренные электроны испытывают кроме рассмотренных и другие воздействия. К уширению линии приводит, в частности, взаимодействие электрона с внутренними магнитными полями. [c.22] Вернуться к основной статье