ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Вайсенбергограммы из "Рентгеновская кристаллография" Для простоты рассматриваются только положительные значения п. [c.65] Расстояние х измеряют в миллиметрах путем перемещения микрометрического винта компаратора и подставляют его в формулу, определяющую размер периода обратной решетки. Обычно используют пятна с большим вначением угла 0. [c.68] В данном случае экватором является линия, соответствуюш,ая пересечению первичного пучка с пленкой. Вертикальное расстояние пятна от экватора является кратчайшим, расстоянием. [c.68] На практике для получения параметров ячейки с большей точностью рентгенограммы по Вайсенбергу калибруют по фотографиям порошков с известными межплос-костными расстояниями. [c.69] Рентгенограмма по Вайсенбергу с дебаевскими линиями золотой проволоки. [c.70] Таблицы длин волн характеристического излучения для различных материалов анода приведены в Интернациональных таблицах для рентгеновской кристаллографии (т. 3). [c.70] Таким образом можнй учесть ошибки, обусловленные усадкой пленки, и одновременно обеспечить правильное проведение базовой линии, вследствие чего при расчете размеров ячейки эксцентриситет пленки в кассете не оказывает влияния. [c.71] Для получения лучших значений параметров ячейки можно воспользоваться методом наименьших квадратов, применив его к измерениям нескольких отражений, соответствующих одной и той же оси обратной решетки. Более точные значения параметров ячейки получаются из измерений при более высоких значениях угла 9. [c.71] Плотность образца обычно довольно легко определить методом флотации (см. Интернациональные таблицы дл рентгеновской кристаллографии , т. 3, стр. 17). Объем элементарной ячейки можно вычислить, зная параметры ячейки. После этого просто рассчитать вес вещества, приходящийся на одну элементарную ячейку, который будет равен молекулярному весу исследуемого вещества или кратной ему величине. [c.72] Параметр а можно получить из рентгенограммы качания относительно оси а, тогда как рентгенограмма по Вайсенбергу при той л е установке кристалла даст величины Ь, с и а. [c.72] На схеме 31, в линия А В — след круга, соответствующего ненулевой слоевой линии обратной решетки. Радиус сферы отражения равен единице, СО = С/2, отсюда радиус круга АВ равен Y1 — С /4, а не единице, как для нулевой слоевой линии в рассмотренном выше случае перпендикулярной съемки [281 С — координата сечения АВ вдоль направления, параллельного оси вращения. На рис. 31, г показано расстояние 5, на которое нужно переместить зкран из положения, соответствующего нулевой слоевой линии, в положение, обеспечивающее попадание на фотопленку дифракционных лучей для ненулевых слоевйх линий. [c.74] Когда = V =0, падающий пучок перпендикулярен оси вращения кристалла, т. е. схема съемки соответствует схеме Вайсенберга для нулевой слоевой линии. [c.74] В книге Рентгеновская кристаллография Бургер [5] приводит два графика, из которых можно получить величины ц и 5, если а) для слоевой линии известна величина координаты С или б) известно расстояние у слоевой линии от экватора на рейтгенограмме качания. [c.74] Связь между углами ячеек прямой и обратной решеток триклинного кристалла дана в табл. 6. В моноклинном кристалле ось моноклинности обозначают Ь или с, а в три-гональных, тетрагональных и гексагональных кристаллах особая ось симметрии — это ось с (в случае, если ячейка тригонального кристалла описывается системой гексагональных осей). [c.76] На вайсенбергограмме нулевой слоевой линии моноклинного кристалла, вращающегося вокруг оси моноклинности, будут наблюдаться оси о и с, расположенные под углом Р. При вращении вокруг осей а или с на рентгенограммах нулевой слоевой линии будут наблюдаться оси Ь и с либо оси а я Ь с углом 90° между ними. [c.76] В случае триклинного кристалла выбор осей несколько труднее. [c.76] Следует помнить, что до тех пор, пока не получен совместный набор осей по трем рентгенограммам нулевых слоевых линий, обозначения осей и выбор их знака могут быть достаточно произвольными, хотя он обычно и удо-влетроряет общепринятым условиям. [c.76] При рассмотрении моноклинного случая ось Ь можно определить по симметрии дифракционной картины, а ось а является наиболее короткой из двух остальных осей. Знак этих осей выбирают таким образом, чтобы система координат была правой. [c.76] Вернуться к основной статье