Вайсенбергограммы

На вайсенбергограмме нулевой слоевой линии моноклинного кристалла, вращающегося вокруг оси моноклинности, будут наблюдаться оси о и с, расположенные под углом Р. При вращении вокруг осей а или с на рентгенограммах нулевой слоевой линии будут наблюдаться оси Ь и с либо оси а я Ь с углом 90° между ними. [c.76]

Рис. 33. Расположение осей обратной решетки на вайсенбергограмме в случае моноклинного кристалла при вращении вокруг оси моноклинности +Ь.

Рис. 34. Обозначения осей на вайсенбергограмме, при которых угол Р получается либо острьш, либо тупым.

Для индицирования вайсенберговских снимков можно использовать специальные прозрачные шаблоны [29], которые накладывают на вайсенбергограммы нулевых слоевых линий и с помощью сетки считывают декартовы координаты пятен. Оси на шаблоне отстоят на 90°. Если же угол между осями отличается от этой величины, то каждая ось может быть рассмотрена по отдельности. Сначала шаблон накладывают на одну ось, при этом считывают индексы цепочки пятен, находящихся на пересечении других осей, а затем на другую ось, повторяя всю процедуру. На рис. 36 представлен образец такого шаблона. [c.80]

Процедура, обычно используемая для определения пространственной группы кристалла по дифракционным данным, состоит прежде всего в определении сингонии кристалла, например, по вайсенбергограммам. Часто синго-ния кристалла уже известна на основании оптических и морфологических исследований. Тогда систематические погасания дают информацию о типе решетки и имеющихся элементах симметрии, а симметрия дифракционной картины позволяет определить лауэвский класс симметрии кристалла. [c.84]

Рио. 41. а — Положение охлаждающих трубок при съемке вайсенбергограмм при низких температурах, б — Видоизмененная кассета имеет щелевой вырез, позволяющий не удалять охлаждающую трубку при перезарядке кассеты. [c.100]

При измерении дифракционного отражения для определенной слоевой линии взаимное положение счетчика и дифракционного луча определяется двумя углами ф и у. Первый угол определяет вращение кристалла относительно оси шпинделя (нулевое положение произвольно, обычно его выбирают таким, чтобы ось обратной решетки была параллельна падающему пучку), а второй угол — положение счетчика на конусе отражений он отсчитывается от плоскости, в которой находятся пучок и ось вращения кристалла. Сравнивая рис. 45, б с вайсенбергограммой нулевой линии, можно видеть, что v = 20 (О — угол Брэгга), т. е. он является мерой вертикального расстояния пятна на пленке от экватора. Угол ф есть мера горизонтального расстояния. [c.109]

Дальнейшая юстировка кристалла зависит от его сингонии. Для кристаллов ортогональных систем (сюда включаются также моноклинные кристаллы, установленные по оси моноклинности) она одна, для кристаллов неортогональных систем — другая. В обоих случаях полезно иметь вайсенбергограмму нулевой плоскости для соответствующей оси вращения кристалла и знать связь между положением дуг головки и местоположением пятна на пленке. [c.110]

Получают вайсенбергограммы нулевой плоскости и плоскостей высших порядков, по которым можно было бы выбрать сильные отражения, используемые в дальнейшем после установки кристалла в дифрактометре. [c.121]

На основании уточненных параметров ячейки получают углы ф, X, (Л ц 20 для сильных отражений, выбранных по вайсенбергограммам. [c.122]

Дальнейшая юстировка может быть выполнена при двух положениях поворотного круга %. В первом положении (х = 180°) острие, на котором крепится кристалл, направлено вдоль вертикали. Второе положение (х — 90°) является одним из двух возможных положений, при которых ось вращения кристалла располагается в горизонтальной плоскости. Отражения идентифицируют, зная ориентацию кристалла при съемке вайсенбергограммы, по которой определяют значения 29. [c.122]

Этот эффект наиболее заметен для сильных отражений ири малых углах 0, т. е. для отражений вблизи экватора на вайсенбергограмме нулевой слоевой линии. При уточнении структуры экспериментально измеренная величина структурного фактора для -таких отражений окажется значительно меньше по сравнению с вычисленным значением Вторичная экстинкция также является следствием уменьшения интенсивности первичного пучка (в блоках мозаики мозаичного кристалла — прим. ред.) за счет очень сильных отражений. В результате до нижних блоков мозаики, из которых состоит мозаичный кристалл, пучок доходит ослабленный по сравнению с верхними блоками. Обычно этот эффект наблюдается в области малых углов 0, где отражения, как правило, сильнее. [c.148]

Вся информация для расчета этой проекции содержится в вайсенбергограмме нулевой слоевой линии, снятой при вращении кристалла вокруг оси а. Для расчета проекции Патерсона вдоль любых других осей элементарной ячейки достаточно иметь данные по интенсивностям рентгенограмм соответствующих нулевых слоевых линий. [c.150]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология