Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Во многих проекционных устройствах используют обычную оптическую систему как линзовую, так и зеркальную. Линзовая система экспонирования состоит из трех главных частей. Оптическая часть образована источником света (ксеноновая или ртутная лампа), конденсором и светофильтром механическая часть — несущей рамой с маской проекционная часть — объективом, подложкой с нанесенным фоторезистом, которые расположены на подвижном столе. Схема проекционной системы изображена на рис. 1.4. Светофильтр дает пучок щириной 10—15 нм, трансформирующийся оптической системой он обеспечивает достаточную плотность энергии света на слое резиста. Несущая —1 рамка с маской размещаются в плоскости, перпенди-кулярной световому пучку, с допустимым отклонением менее 1 мкм [23].

ПОИСК





Экспонирование

из "Светочувствительные полимерные материалы "

Во многих проекционных устройствах используют обычную оптическую систему как линзовую, так и зеркальную. Линзовая система экспонирования состоит из трех главных частей. Оптическая часть образована источником света (ксеноновая или ртутная лампа), конденсором и светофильтром механическая часть — несущей рамой с маской проекционная часть — объективом, подложкой с нанесенным фоторезистом, которые расположены на подвижном столе. Схема проекционной системы изображена на рис. 1.4. Светофильтр дает пучок щириной 10—15 нм, трансформирующийся оптической системой он обеспечивает достаточную плотность энергии света на слое резиста. Несущая —1 рамка с маской размещаются в плоскости, перпенди-кулярной световому пучку, с допустимым отклонением менее 1 мкм [23]. [c.24]
Так как дорого и сложно производить объективы, способные дать высококачественное 1 1 изображение сразу на всей площади кремниевой пластины диаметром 7,5—10 см, то для этой цели используют мультипликацию и сканирующий перенос. Мультипликация дает возможность получать изображение с высоким разре-щением и на большом поле. Она может быть использована для изготовления элементов с размерами 1—1,5 мкм. Необходимость применения мультипликации обусловлена тем, что при прочих равных условиях объективы с повышенной разрешающей способностью имеют меньшее поле изображения и наоборот, тем самым для экспонирования с высоким разрешением больших площадей требуется пошаговое экспонирование всего поля. Эта система требует прецизионного механического движения подложки, дающего возможность шаг за шагом абсолютно точно совмещать изображение различных слоев на всей площади кремниевой подложки. Более низкая производительность мультипликации компенсируется лучшим качеством изображения метод находит все более широкое применение [24]. [c.24]
В растровом методе используется узкий световой пучок, а сканирование проводится в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Принцип растрового сканирования изображен на рис. I. 5, б. [c.25]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте