Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Перспективной для использования в производстве ИС является сухая микролитография , при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста (например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении (например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. Хотя изучается применимость существующих резистов или их модификаций в новой технологической цепи, очевидна необходимость разработки новых материалов для всего цикла сухой литографии и усовершенствования ее методов [31].

ПОИСК





Сухие фоторезисты

из "Светочувствительные полимерные материалы "

Перспективной для использования в производстве ИС является сухая микролитография , при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста (например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении (например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. Хотя изучается применимость существующих резистов или их модификаций в новой технологической цепи, очевидна необходимость разработки новых материалов для всего цикла сухой литографии и усовершенствования ее методов [31]. [c.187]
Сводка японских патентов по сухим резистам приведена в работе [39], авторы которой считают эти разработки мало пригодными для практики (см. также [29]). [c.189]
Поли-1-бутенсульфон, как и другие полиолефинсульфоны, нечувствителен к УФ-свету. В тонкой пленке на силиконе в смеси с 20 % сенсибилизатора — Ы-окиси-/г-нитропиридина после выдержки при 100°С в течение 15 мин его удается экспонировать лампой среднего давления при дозе 0,1 Дж/см . Проявление осуществляют за 7 мин при 100 °С, выделяется 1-бутен и 50г, стало быть, идет деполимеризация. Система представляет принципиальный интерес, поскольку непригодна для сухого травления [19]. [c.189]
Пленки нитрата целлюлозы при экспонировании светом с длиной волны 193 нм или тяжелыми ионами Аг+, Хе+ дают позитивное изображение они распадаются до Н2О, N2, СО и других газообразных продуктов. Легкие ионы, пучки электронов или луч лазера позволяет получить негативную маску для последующего ионного травления подложки. Резист рекомендован для применения в промышленности [41]. [c.190]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте