ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Зародышеобразование из "Кристаллизация " Пересыщение системы можно достичь охлаждением, испарением, добавкой осаждающих веществ или разбавителя, либо в результате химической реакции между двумя гомогенными фазами. Некоторые из этих процессов уже обсуждались в гл. 2, а их практическое применение будет описано в гл. 7 и 8. В этой главе будут рассмотрены зародышеобразование при кристаллизации и рост кристаллов. Современные теории и результаты исследований в этой области были суммированы во многих работах, представленных на трех последних симпозиумах (1—31. [c.140] Не всегда, однако, есть возможность определить, произошло зарождение центров кристаллизации само по себе или же оно было вызвано какими-либо внешними причинами. [c.141] Вернуться к основной статье