Зародышеобразование

Из всех видов зародышеобразования рассматривается в этом разделе случай гомогенного, гетерогенного зародышеобразования, причем /(Гз) 11 (Гз) =/з —скорость зародышеобразования т1(Гз)— скорость роста зародыша. [c.15]

К первому и второму уровням иерархии относятся явления, происходящие на атомно-молекулярном и надмолекулярном уровнях-— это явления гомогенного и гетерогенного зародышеобразования. [c.7]

С макроскопической точки зрения явления роста (растворения) кристаллов, диффузии молекул растворенного вещества к грани кристалла (или от нее), выделение скрытой теплоты кристаллизации (растворения) и переноса тепла в жидкой и твердой фазах, формирование полей концентраций, температур, скоростей в окрестности отдельного кристалла можно отнести к классу детерминированных систем. Однако системам присущи и явления стохастического характера зародышеобразование, агломерация и [c.3]

В период ускорения реакции степень распада исходного вещества во многих случаях зависит от скоростей образования зародышей и их роста. Обычно можно допустить, что скорость роста зародышей постоянна. Тогда вид уравнения степени распада обусловливается в основном тем, в какой форме будет выражена скорость зародышеобразования. Из предположения, что одна полностью прореагировавшая молекула твердого исходного вещества [c.259]

Когда для появления зародыша необходимо израсходовать более чем одну молекулу твердого исходного вещества или когда зародыш образуется в несколько последовательных этапов, скорость зародышеобразования будет степенной функцией времени реакции [c.260]

Рост прочности у синтетического полиизопрена без полярных групп с большой молекулярной массой и узким молекулярно-массовым распределением можно достаточно полно объяснить в рамках теории вязкоупругости линейных полимеров [23]. Высокие напряжения при деформации сажевых смесей стереорегулярных модифицированных полимеров, как было показано, связаны с их способностью к кристаллизации. Роль стереорегулярности в кристаллизации полимеров очевидна [24, с. 145—173 25 26, с. 205— 220]. Полярные группы увеличивают общее межмолекулярное взаимодействие и вязкость системы, усиливают взаимодействие с наполнителем за счет образования химических связей и адсорбционного связывания, которое способствует и увеличению напряжения при деформации и собственно кристаллизации, а также повышают суммарную скорость кристаллизации вследствие ускорения ее первой стадии — зародышеобразования. [c.235]

Гомогенное зародышеобразование Гетерогенное зародышеобразование Скорость зародьциеобразования [c.13]

Рассмотрим уравнения сохранения масс, импульсов и энергий с учетом роста, растворения и зародышеобразования (гомогенного и гетерогенного). [c.14]

Третья глава посвящена проблемам определения параметров кристаллизации (коэффициентов массоотдачи скоростей роста, растворения кристаллов, зародышеобразования параметров агрегации и дробления частиц). Приведены подробные методики определения скоростей роста и зародышеобразования в ячейках различного типа (смешения, трубчатого типа и т. п.). [c.6]

Из внешних причин, влияющих на физико-химические взаимодействия между частицами четвертого уровня, существенный вклад вносят эффекты пятого уровня. Так, увеличение мощности на перемешивание приводит, с одной стороны, к увеличению частоты столкновений кристаллов, возрастанию кинетической энергии частиц. Рост кинетической энергии частиц приводит к более быстрому преодолению потенциального барьера, возникающего между частицами за счет сил отталкивания, что в свою очередь способствует агрегации кристаллов. С другой стороны, увеличение мощности на перемешивание приводит к таким явлениям в ансамбле кристаллов, как дробление, истирание кристаллов, появление вторичных зародышей. Явления вторичного зародышеобразования могут протекать только на четвертом уровне. Вторичные зародыши образуются при столкновениях кристалл — кристалл, кристалл — мешалка, кристалл — стенка аппарата. [c.10]

Другим важным воздействием со стороны пятого уровня является пересыщение в аппарате. Так, увеличение концентрации в растворе может привести к самопроизвольной агрегации кристаллов в ансамбле за счет уменьшения сил отталкивания. Увеличение пересыщения в аппарате может способствовать также появлению вторичного зародышеобразования, так как мелкие осколки, возникшие при истирании, дроблении кристаллов приобретают способность к росту (выживают). [c.10]

Наблюдаемая скорость зародышеобразования —Ьг ус- [c.18]

Опишем процесс массовой кристаллизации с учетом явления бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Крупным успехом в развитии теории кристаллизации явилось открытие вторичного зародышеобразования, занимающего одно из главных мест в непрерывных высокопроизводительных системах, в которых пересыщение раствора для устойчивой работы мало. Особенно интенсивно идет образование центров кристаллизации, если маточный кристалл приходит в контакт с другими объектами столкновение со стенками аппарата, мешалкой, столкновение кристалла и т. п. [c.39]

При бесконтактном вторичном зародышеобразовании источником новых центров может являться или сам затравочный кристалл, или раствор в жидком слое, контактирующий с кристаллами. Одна из теорий, объясняющих действие кристаллического источника зародышеобразования, предполагает наличие таких иглоподобных дендритов, которые при определенных условиях вырастают на поверхности кристалла и затем разрушаются от сдирающего действия жидкости, омывающей поверхность [28, 33, 36]. Отломанные частицы служат в качестве центров кристаллизации. [c.39]

Опишем процесс массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы с учетом контактного вторичного зародышеобразования. Контактное зародышеобразование [30, 33, 38—41] осуществляется посредством маточных кристаллов, если они сталкиваются с другой поверхностью, которой может быть поверхность других кристаллов или стенок кристаллизатора и мешалки. Контактное зародышеобразование вызывает у исследователей значительный интерес, так как вклад его в образование кристаллов наибольший среди всех других видов зародышеобразования [35, 33, 39]. В опубликованных исследованиях для этого типа зародышеобразования контакт достигался или скольжением кристалла вдоль наклонной стеклянной поверхности, погруженной в пересыщенный раствор того же самого вещества [30], или столкновением с мешалкой, или же контрольным ударным контактом между кристаллической затравкой и прутком, сделанными из различных материалов [33, 40]. Существует непосредственная корреляция между числом образовавшихся зародышей и энергией удара при постоянной площади соприкосновения. Авторы работ [33, 42] отмечают сильную зависимость скорости контактного зародышеобразования от пересыщения и предлагают объяснение этого механизма новые центры образуются в жидкой фазе около кристалла или происходят из затравочного кристалла в результате истирания при соударении, при котором от поверхности кристалла откалываются маленькие кусочки, но выживают и получают право на дальнейший рост только те, размер которых больше критического для данного пересыщения. Изучению влияния на контактное зародышеобразование размеров затравочных кристаллов и интенсивности перемешивания посвящены работы [40, 43]. [c.47]

В настоящей работе из всех видов контактного зародышеобразования остановимся более подробно на зародышеобразовании за счет соударений кристалл — кристалл, так как этот вид вторичного зародышеобразования присущ почти всем отечественным и зарубежным кристаллизаторам. [c.48]

В силу малости массы зародыша различием температур Г и Г, можно пренебречь. Тогда соотношение для движущей силы зародышеобразования записывается в виде [c.69]

Первый член уравнения (1.228) характеризует работу внутренних сил по изменению объема о-фазы, а второй — работу внутренних сил по изменению поверхности включения. Скорость зародышеобразования в данном случае не рассматриваем. [c.74]

Все рассмотренные случаи свидетельствуют о том, что константу агрегации (коагуляции) нужно искать в виде К=2"ХГг Определим структуру движущих сил вторичного зародышеобразования. Из гипотезы аддитивности основных термодинамических характеристик по массам фаз следует к [c.100]

С учетом (1.350) движущая сила вторичного бесконтактного зародышеобразования приобретает вид [c.101]

Из соотношений (1.351), (1.355) видно, что структура движущих сил бесконтактного и контактного вторичного зародышеобразования идентична, только под значением г 2з понимается скорость отрыва зародыша от кристалла размером г при истирании его несущей фазой, а под (г, л) —скорость отрыва зародыша за счет упругого столкновения кристаллов. [c.102]

Движущую силу вторичного зародышеобразования представим в виде [c.107]

Так как величина а,г трудно определима, то для точного расчета движущей силы вторичного зародышеобразования удобнее пользоваться расчетом энергии по формуле (1.370). Причем составляющие энергии взаимодействия могут иметь различные порядки для жидкости и газа. Так, в газе возникает неравновесная электрическая составляющая [87, 90], которая на несколько порядков превышает молекулярную составляющую. Наоборот, если отрыв происходит в жидкой среде, двойной слой может разряжаться настолько быстро, что электрическая составляющая адгезии будет иметь умеренную величину [87, 90]. [c.108]

Система осредненных уравнений для описания процесса массовой кристаллизации имеет вид (зародышеобразование не рассматривается, о-фазой пренебрегаем) [c.126]

Для оценок энергетических характеристик зародышеобразования в МИХМе (Кардашев Г. Д., Першина М. А., Салосин А. В., Манукян С. Г.) были поставлены специальные опыты. Раствор аммиачной селитры объемом 4 л переохлаждали на 3°С. В качестве воздействия использовали стальной шарик, ударяющий по наружной стенке сосуда. Энергия удара зависела от высоты подъема шарика. В другой серии опытов над поверхностью раствора резко (за несколько мс) создавали разрежение или сжатие. Совершаемую газом механическую работу измеряли. Возмущения давления, вносимые в раствор, регистрировались гидрофоном. Для наблюдения зародышеобразования был использован известный метод проявления Г. Таммана [1]. Подсчитывали число кристаллов, выпавших на дно сосуда. Экспериментальные точки (рис. 7.1) показывают наличие пороговой энергии и линейной зависимости числа зародышей от полной энергии воздействия. Следует иметь в виду, что лишь какая-то часть полной энергии воздействия идет на инициирование акта зародышеобразования. Поэтому приведенные значения энергии в пересчете на один зародыш на много порядков превьппают известные теоретические. [c.146]

При длительных воздействиях ультразвука в режиме кавитации начинается дробление выросших кристаллов, что создает большой дополнительный поток зародышей. Поскольку в кавитационном пузырьке сосредоточиваются сильные электрические микрополя, а, как отмечалось, электрическое поле влияет на зародышеобразование, не исключен и электрический механизм стимулирования зародышеобразования. [c.148]

Книга состоит из четырех глав. В первой главе, посвященной качественному анализу структуры процесса массовой кристаллизации как сложной ФХС, вскрываются особенности данной ФХС как на языке смысловых, лингвистических построений, так и на языке точных математических формулировок, причем в последнем случае обсуждаются два подхода — феноменологический (детерминированный) и стохастический. На уровне детерминированного подхода формулируется обобщенная система уравнений термогидромеханики полидисперсной смеси с произвольной функцией распределения кристаллов по размерам с учетом роста, растворения, зародышеобразования, агрегации и дробления кристаллов. Особое внимание уделено описанию процесса вторичного зародышеобразования. На основе термодинамического подхода получены теоретические зависимости для структуры движущих сил вторичного зародышеобразования при бесконтактном и контактном зародышеобразовании. Стохастический подход представлен методом пространственного осреднения, развитого в последние годы в механике гетерогенных сред, а также методами фазового пространства и стохастических ансамблей для описания стохастических свойств процессов массовой кристаллизации. На основе метода пространственного осреднения получено уравнение типа Колмогорова— Фоккера — Планка с коэффициентом диффузии, учитываю- [c.5]

На основании современной теории сделан вывод, что вторичное зародышеобразование не идет по какому-то единственному механизму, а могут иметь место различные виды вторичного зародышеобразования, соответствующие различным пересыщениям, концентрациям примесей и гидродинамическим условиям. Предполагается [34—36] существование двух видов вторичного зародышеобра-зования из растворов и газов бесконтактное и контактное. [c.39]

Пусть пересыщения в системе недостаточно для образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем и зародыши возникают за счет истирания кристаллов несущей фазой. Зародыши будем считать самостоятельной фазой, средняя плотность и объемное содержание которой р, и з (причем рз=р2"ПаЛ ЯзГз= = , Пз=/зГз —число зародышей в единице объема). Перейдем к выводу уравнений термогидромеханики для описания процесса массовой кристаллизации с учетом роста кристаллов и бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Определим структуру движущих сил массопереноса при росте и растворении кристаллов, зародышеобразовании (гомогеным и гетерогенным путем). Движущая сила массопереноса вещества из несущей фазы в кристалл имеет вид (см. выше) [c.67]

Работы в области влияния на силы прилипания электростатической составляющей, контактной деформации (что важно для вторичного зародышеобразования системы кристалл—кристалл) продолжаются Б. В. Дерягиным, В. М. Муллером, Ю. П. Торопо-вым, И. Н. Алейниковой [91—94]. Установлен и тот факт [91, что прижим в случае упругого контакта (несущая среда — газ), увеличивая силы прилипания за счет электростатической компоненты, приводит к реализации условий, при которых в подавляющем большинстве случаев можно пренебречь молекулярной составляющей силы прилипания. [c.108]

Уравнения движения (1.505) в их более конкретном виде (1.507) выражают поведение (путь) частиц, входящих и выходящих из данного объема фазового пространства, благодаря их движению в технологической системе и росту. Функция Ф( , i) обозначает все причины, отличные от этого простого течения (появле-ппе новых частиц посредством зародышеобразования, агломера-тивное слияние двух частиц в одну большую, дробление и т. д.). Элементарные соображения о сохраняемости частиц в фазовом пространстве приводят к уравнению [104, 105] [c.133]

Практическое руководство по синтезу и исследованию свойств полимеров (1976) -- [ c.35 ]

Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.125 , c.349 , c.353 , c.359 , c.364 ]

Физическая химия наполненных полимеров (1977) -- [ c.72 , c.234 ]

Очистка воды коагулянтами (1977) -- [ c.139 ]

Физическая химия поверхностей (1979) -- [ c.48 , c.297 , c.304 ]

Дисперсионная полимеризация в органических средах (1979) -- [ c.65 , c.77 ]

Физическая химия полимеров (1977) -- [ c.184 , c.186 , c.217 ]

Физика макромолекул Том 2 (1979) -- [ c.0 ]

Аэрозоли-пыли, дымы и туманы (1964) -- [ c.0 ]

Кристаллизация каучуков и резин (1973) -- [ c.30 , c.103 , c.111 , c.113 , c.123 , c.140 , c.143 , c.146 ]

Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.0 ]

Кинетика гетерогенных процессов (1976) -- [ c.134 , c.171 , c.177 ]

Кристаллические полиолефины Том 2 (1970) -- [ c.218 , c.219 , c.223 ]

Химия и технология ферритов (1983) -- [ c.128 ]

Кристаллизация в химической промышленности (1979) -- [ c.0 ]

Минеральные удобрения и соли (1987) -- [ c.21 , c.26 , c.46 ]

Кристаллизация полимеров (1968) -- [ c.78 , c.79 , c.94 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология