ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы РАЗУПОРЯДОЧЕННОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ из "Физическая химия твердого тела" Как было описано в гл. 1 (см. раздел 1.3), чисто ионной связи в природе не существует все реальные ионные кристаллы обладают той или иной долей ковалентной связи. Поэтому термин ионный кристалл обычно используют для обозначения соединений с преобладающей ионной связью. [c.129] В рамках квазихимического метода описания дефектных кристаллов, используемого в данной книге, основные черты дефектной структуры кристаллов определяются целочисленными значениями эффективных зарядов дефектов, которые могут существенно отличаться от зарядов ионов, а истинные заряды ионов не играют существенной роли. Поэтому излагаемая здесь теория в значительной степени применима и к соединениям с промежуточным характером связи, а в некоторых случаях даже к кристаллам, связь в которых б иже к ковалентной, нежели к ионной. В этих случаях критерием применимости теории являются не заряды ионов, а эффективные заряды доминирующих атомных дефектов, определяемые энергетическим спектром электронов в кристалле. [c.129] Положение донорных уровней анионных вакансий в валентных (а) и ионных (б) кристаллах. [c.130] Если донорные уровни анионных вакансий лежат ниже акцепторных уровней катионных вакансий (рис. 5.1,а), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на анионных вакансиях, обеспечивая их.электронейтральность. В свою очередь катионные вакансии лищены электронов и также находятся в нейтральном состоянии. Такая ситуация типична для валентных соединений с малой долей ионной связи. [c.130] напротив, донорные уровни анионных вакансий лежат выше акцепторных уровней катионных вакансий (рис. 5.1,6), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на катионных вакансиях, обеспечивая их отрицательный эффективный заряд, а лишенные электронов анионные вакансии имеют положительный эффективный заряд. Такая ситуация типична не только для кристаллов с характером связи, приближающимся к ионному, но и для соединений с промежуточным характером связи. Поэтому дефектную структуру таких соединений можно описывать в рамках ионной модели, согласно которой основное состояние соответствует заряженным вакансиям. [c.130] В дальнейшем при рассмотрении ионной разупорядоченности кристаллов предполагается, что основное энергетическое состояние ионных дефектов отвечает их полной ионизации, при которой эффективные заряды дефектов по абсолютному значению равны валентностям соответствующих компонентов кристалла. [c.131] Вернуться к основной статье