ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Эпитаксия при конденсации из паровой фазы из "Ориентированная кристаллизация" Из опытов Слоата и Мензиса (7] следует, что при росте из паровой фазы можно получить ориентированные нарастания солей, имеющих значительное различие параметров решеток. В последующих работах этот вывод получил полное подтверждение. Вместе с тем дальнейшие исследования позволили значительно расширить представления о механизме роста тонких ориентированных пленок и более подробно изучить их структуру. В частности, наряду с параллельно ориентированными кристаллами были обнаружены вначале двойники, а затем кристаллы с новыми ориентациями. Большая часть приведенных ниже данных получена путем электронографических и электронномикроскопических исследований осадков, сконденсированных в вакууме на монокристальных подложках изоморфных солей. [c.71] Дополнительные ориентировки были обнаружены наряду с параллельной и двойниковой Бауэром [17] и позднее — Люде-манном [18]. Оказалось, что их появление зависит от природы исследуемых веществ, от температуры подложки, толщины осадка, а также от угла конденсации ф. Под углом конденсации понимается угол, образованный направлением молекулярного пучка и нормалью к подложке. [c.73] Согласно данным Людеманна, процесс ориентированного нарастания галоидных солей на изоморфных кристаллах при конденсации из паровой фазы в вакууме происходит в три стадии. На первой, когда подложка только начинает покрываться конденсирующимся веществом, кристаллы осадка растут с параллельной ориентацией (кроме NaF/KJ, см. табл. 8) и имеют нормальный параметр решетки. Изменение дифракционной картины на начальной стадии происходит внезапно. Рефлексы, соответствующие кристаллу-подложке, в некоторый момент после начала конденсации вдруг исчезают и вместо них появляются новые дифракционные максимумы, соответствующие параллельно ориентированным кристаллам осадка. Качественно вид электронограммы остается прежним, но в связи с изменением параметра решетки изменяется расстояние между дифракционными максимумами. Ни в одном из изученных случаев не наблюдалось постепенного изменения параметров в тонком слое осадка. Когда поверхность подложки частично покрывается осадком, наряду с параллельно ориентированными появляются кристаллы, имеющие другие ориентировки. Третья стадия роста относится к полностью покрытой подложке и характеризуется главным образом наличием двойникования по плоскости (111). [c.74] В табл. 6—8 показана зависимость наблюдаемых ориентировок от температуры подложки. [c.74] Рассмотрим подробнее некоторые случаи ориентированной кристаллизации солей. [c.74] Примечание. Ориентации указаны на рис. 23. [c.76] При вертикальном падении молекулярного пучка осадок состоит главным образом из кристаллов с ориентацией I, но с увеличением ф дополнительно появляются по-иному ориентированные кристаллы, причем их доля увеличивается с ростом ф. [c.77] Вернуться к основной статье