Эпитаксия при конденсации из паровой фазы

Эпитаксия при конденсации из паровой фазы [c.71]

Большой интерес представляют результаты электронографического изучения конденсированных на монокристальных подложках тонких слоев металлов. Ниже (гл. 6, п. 1) мы рассмотрим процессы зародышеобразования у металлов на первой стадии конденсации, а в настоящем разделе приведем лишь количественные результаты многочисленных исследований эпитаксии металлов при конденсации из паровой фазы [39—61]. Результаты этих работ представлены в табл. 20—25. [c.109]

Представления, развитые Дикситом, являются одной из наиболее ранних попыток объяснения ориентированного нарастания, В первоначальном виде гипотеза была предложена для объяснения зависимости ориентации осадков на аморфной подложке от температуры конденсации [46]. Позже полученные результаты были [Использованы для объяснения эпитаксии из паровой фазы [47] и из раствора [48]. [c.282]

Существует несколько етодоБ приготовлеиия относительно гладкий монокристальных поверхностей, которые могут быть использованы при изучении эпитаксии [119]. К их числу можно отнести 1) непосредственный рост кристаллов из раствора или паровой фазы 2) электрополировку 3) конденсацию в вакууме на монокристальную поверхность 4) скол естественных или искусственных кристаллов. [c.37]

Из опытов Шульца следует, что при эпитаксии связь осажденных атомов с подложкой остается значительной лишь для нескольких первых атомных слоев, а при дальнейшем увеличении толщины наблюдается образование независимых кристаллов. Например, в простейшем случае ориентированного роста на своем же монокристалле (автоэпитаксии) при конденсации из паровой фазы (Na l/Na l) увеличение толщины конденсирован- [c.71]

Близость параметров сопрягающихся решеток не является необходимым условием ориентированной кристаллизации галоидных солей щелочных металлов. Это положение подтверждено работами Шульпа, Людеманна и других авторов, получивших срнептированные нарастания при конденсации из паровой фазы лля веществ, у которых величина А достигает 90%. Однако при химическом взаимодействии и кристаллизации из растворов значение А приобретает определенную роль. В первом случае эпитаксия возможна лишь для веществ, у которых А не превышает нескольких процентов, во втором — при А< 15%. При этом совершенство ориентации тем выше, чем меньше А. [c.85]

Впервые эпитаксия металла (Ag) на ионном кристалле (Na l) при конденсации из паровой фазы в вакууме наблюдалась Лассеном [71]. Он обнаружил, что тонкие пленки металла обладают преимущественной ориентировкой, а иногда оказываются монокристаллическими. Воспроизводимых результатов, однако, получить не удалось. Условие образования монокристал-лических пленок серебра было найдено позже [72]. Оказалось, что при увеличении температуры конденсации совершенство ориентации увеличивается и при Г,,-> 100° С образуется монокри-сталлический слой. Была определена взаимная ориентация металла и соли (100) [001] Ag Ц (100) [001] Na l и установлено, что зародыши серебра образуются непосредственно на поверхности соли. Авторы обнаружили, что нагрев подложки необходим только на первой стадии конденсации и что ориентированное нарастание серебра на собственном монокристалле происходит при комнатной температуре. Наблюдаемой экспериментально параллельной ориентации Ag/Na l соответствовало значите Л = -27,5%. [c.116]

Несмотря на многочисленные работы по эпитаксии, процесс образования зародышей, определяюший ориентацию осадков, изучен недостаточно. Почти нет данных о критических размерах зародышей и критических пересыщениях, необходимых лля роста слоев, даже в простейшем случае при конденсации из паровой фазы. В последние годы эти вопросы изучались в работах Янга с сотрудниками [136, 137] и Девиенна [138], в которых содержится краткая библиография работ двадцатых годов. [c.204]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология