Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English
Общим итогом применения электронных представлений в гетерогенном катализе является вывод, что каталитическая активность прямо связана с числом свободных валентностей на поверхности катализатора. Однако следует помнить, что все теоретические представления катализа на полупроводниках в основном касаются идеального кристаллического состояния с использованием зонной теории твердого тела, которая построена в одноэлектронном приближении. Поэтому производить количественную обработку результатов, полученных на реальных катализаторах, с помощью рассмотренных выводов и формул невозможно. Тем не менее применение рассмотренного подхода позволяет сделать интересные качественные обобщения.

ПОИСК





Место электронных представлений в теории гетерогенного катализа

из "Химическая кинетика и катализ 1985"

Общим итогом применения электронных представлений в гетерогенном катализе является вывод, что каталитическая активность прямо связана с числом свободных валентностей на поверхности катализатора. Однако следует помнить, что все теоретические представления катализа на полупроводниках в основном касаются идеального кристаллического состояния с использованием зонной теории твердого тела, которая построена в одноэлектронном приближении. Поэтому производить количественную обработку результатов, полученных на реальных катализаторах, с помощью рассмотренных выводов и формул невозможно. Тем не менее применение рассмотренного подхода позволяет сделать интересные качественные обобщения. [c.503]
Реальный образец отличается от идеального наличием сверх-равновесного количества дефектов, примесей, создающих в запрещенной зоне локальные электронные уровни, макроискажений решетки в виде разрывов и трещин, приводящих к блочной структуре реального твердого тела. В общем случае все эти факторы ведут к появлению значительно большего числа свободных валентностей на поверхности катализатора по сравнению с таковыми в идеальном кристалле. Таким образом, активность реального катализатора должна быть выше идеального. [c.503]
Более того, если в идеальном кристалле каждая данная свободная валентность может непрерывно блуждать по кристаллу. [c.503]
Основная идея большинства теорий активных центров сводится к тому, что активный центр, будь то пик Тейлора, мультиплет Баландина или ансамбль Кобозева, является образованием, в той или иной мере разорвавшим свои связи с кристаллом. Это подтверждается и с позиций электронных представлений. [c.504]
Не следует думать, что электронные теории в гетерогенном катализе призваны заменить уже существующие теоретические концепции. Рассматривая каталитический акт в новом аспекте, эти теории дают новое истолкование уже сложившимся и апробированным понятиям, открывают путь к более глубокому познанию установленных фактов, например, особому по сравнению с нормальной решеткой состоянию активного центра, составу центра, избирательности и специфичности действия катализатора и т. п. [c.504]


Вернуться к основной статье


© 2025 chem21.info Реклама на сайте