ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Хемосорбция радикала из "Люминесценция и адсорбция" ИЯХ активатора (процессы 6— )) или уровнях прилипания (процессы 9, 10 ) на зонной диаграмме), в общем играющие значительную роль в люминесценции, но зависящие в первую очередь от природы самого кристаллофосфора, а не природы возбуждения. [c.93] Таким образом, испускание кванта люминесценции может происходить лишь при наличии ионизованных центров свечения и свободных электронов, способных рекомбинировать с центрами свечения (здесь имеется в виду рекомбинационная люминесценция). Появлению локализованных центров свечения содействует наличие свободных дырок (возникающих при поглощении энергии возбуждения основным веществом), способных вызвать экзотермическую ионизацию центра свечения. Следовательно, к излучению кванта люминесценции приводит как непосредственная ионизация атомов активатора (центров свечения), так и ионизация атомов основного вещества, приводящая к появлению пары носителей тока — свободных электрона и дырки. [c.93] Взаимодействие хемосорбированного радикала, находящегося в состоянии слабой связи, с кристаллом может привести к упрочнению связи. При этом в зависимости от свойств свободных радикалов, а также типа кристалла и состояния его поверхности упрочнение связи может сопровождаться захватом электрона — прочная акцепторная связь ReL или захватом дырки — прочная донорная связь RpL. [c.94] Эти и следующие процессы изображены на зонной энергетической диаграмме (рис. 29) в виде переходов, номера которых соответствуют номерам процессов (уравнений). [c.94] Таким образом, процесс образования прочной связи в рассмотренном случае может сопровождаться либо появлением свободной дырки (процесс 13, акцепторная связь) или свободного электрона (процесс 13, донорная связь), либо захватом свободного электрона (процесс 12, акцепторная связь) или свободной дырки (процесс 12, донорная связь), т. е. хемосорбированные радикалы принимают непосредственное участие в электронном хозяйстве кристалло-фосфора-катализатора. [c.95] Наличие уровней локализации свободных электронов и дырок, естественно, должно найти свое отражение в спектрах поглощения соответствующих кристаллов, содержащих хемосорбированные частицы. Появление полос поглощения в инфракрасной области спектра при хемосорбции различных радикалов наблюдалось в ряде работ [164, 165]. Так, например, хемосорбция водорода на окиси цинка [69] приводит к появлению двух полос поглощения в области 2,86 и 5,86 мкм, соответствующих связям О—Н (донорный тип связи) и 2п—Н (акцепторный тип связи). Адсорбция СОг на той же окиси цинка [164] при 20 С приводит к появлению полос у 6,1 и 7,0 мкм. [c.96] Вернуться к основной статье