ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Вычисление электронной подвижности из "Физическая химия полупроводников" Теперь М0Ж.Н0 найти связь между максимальной электронной подвижностью идеального кристалла и параметром ионности Я, имея в виду, что максимум подвижности должен быть при % = Яо, т. е. при нулевом эффективном заряде. В табл. 34 сравниваются значения q я % Z эк0периментальнымн значениями in [8] для бинарных соединений, кристаллизующихся в структуре цинковой обманки. [c.167] НОЙ Предыдущей, ио не могли предвидеть, что вершина будет находиться на предыдущей фигуре справа. Впрочем, можно в дальнейшем разделить обе фигуры в том случае, если подвижности кристаллов HgTe, более чистых, чем кристаллы теперь изготовляемые, превышают 16 000 см 1в сек. [c.168] Наконец, ввиду отсутствия точных данных о бинарных соединениях I—VO групп предположим, что вершина этой третьей фигуры также находится оправа в точ ке с абсциссой 0,75. [c.168] Полученные таким образом подсчеты сведены в табл. 35 с учетом известных экспериментальных данных. Оказывается, что значения, известные для GaAs и dTe, относительно малы (может быть вследствие трудности изготовления очень чистых кристаллов) и что подвижности кристаллов с большой ионностью значительно уступают расчетным. Последнее замечание объясняется тем, что из этих кристаллов трудно удалить пустоты и межузловые дефекты, минимальная концентрация которых подчиняется термодинамическому равновесию, не поддающемуся нашему контролю. [c.169] Вернуться к основной статье