ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Кристаллизация солей магния из "Кристаллизация в химической промышленности" Многие соли магния хорошо растворимы в воде. Поэтому образование их осадков очень часто связано с кристаллизацией из водных растворов. Способность образовывать пересыщенные растворы и кинетика кристаллизации зависят от индивидуальных свойств той или иной соли магния. [c.250] Ввиду значительного содержания кристаллизационной воды Mg l2 6H20 должен легко образовывать устойчивые пересыщенные растворы. Растворы же, насыщенные при некоторой определенной температуре, должны выдерживать значительные переохлаждения. Согласно расчетным данным [14] абсолютное предельное пересыщение, отвечающее первой границе метастабильности, сравнительно невелико порядка 1,5—3,0 г в 100 г НаО. Следовательно, ширина зоны, соответствующая состоянию раствора, при котором исключается самопроизвольная кристаллизация, небольшая. Она отвечает примерно 5% относительного пересыщения. Вместе с тем можно ожидать, что общая ширина метастабильной зоны для Mg l2 6H.20 должна быть значительной [6]. Но прямых данных об этом пока нет, так как насыщенные растворы хлорида магния еще недостаточно изучены. [c.250] Один из способов получения хлористого магния связан с его кристаллизацией из морской воды, рапы озер и т. п. Другой способ основан на переработке карналита. Получающиеся в процессе этой переработки хлормагниевые щелока выпариваются до нужной концентрации и затем кристаллизуются прп охлаждении [I]. [c.250] Сульфат магния переходит в осадок с 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 и 12 молекулами кристаллизационной воды. При температуре ниже 48 °С образуется MgS04-7H20. Он кристаллизуется в виде бесцветных ромбических или моноклинных кристаллов, хорошо растворим в воде. При 10 °С насыщенный раствор сульфата магния содержит 30,9 г безводной соли, а при 100 °С — 74 г в 100 г HjO. В связи с высоким содержанием кристаллизационной воды семиводный сульфат магния склонен к образованию пересыщенных и переохлажденных растворов. В присутствии затравочных кристаллов раствор может быть переохлажден на 1 °С [7]. Гомогенные же растворы могут переохлаждаться на значительно большие температуры. То же относится и к величинам которые для сульфата магния должны быть весьма значительными [6]. [c.251] Поскольку самопроизвольное образование центров кристаллизации в растворах сульфата магния затруднено, его осаждение проводится в основном в присутствии затравочных кристаллов. Однако использование затравки не исключает появления новых кристаллов. В этом отношении пересыщенные растворы сульфата MgS04-7H,0 являются классической системой, на примере которой подробно изучалось явление вторичного зародышеобразования [7, 29, 30]. Механизм образования вторичных зародышей в случае сульфата магния связывается, в частности, с дроблением затравочных кристаллов и их истиранием. [c.251] Исследования роста единичных кристаллов показали, что средняя линейная скорость роста кристаллов MgS0 -7 0 при S = 1,01 — 1,02 и Т = 20 — 30 °С составляет 1,5-10 — 8,10 м/с, что соответствует средним линейным скоростям роста, наблюдаемым для кристаллов многих соединений при малых пересыщениях [7]. [c.251] Сульфат магния можно получить из природных солевых растворов и твердых солевых отложений. При их упаривании из природных растворов сначала кристаллизуется хлорид натрия, а затем сульфат магния. Растворы сульфата магния из которых он может быть получен кристаллизацией, образуются при нагревании магнезита и доломита в растворе сульфата аммония и другими способами [1]. Стадии кристаллизации обычно предшествует упаривание раствора. Кристаллизация MgSOi-THaO проводится в аппаратах выпарного типа [7] периодического и непрерывного действия. [c.252] При получении сернокислого магния важным является степень его чистоты и распределение кристаллов по размерам. Очистку MgS04 7H20, по крайней мере отряда примесных катионов, рекомендуется проводить с помощью Mg(0H)2- При этом часть примесных ионов осаждается в виде соответствующих гидроокисей. Распределение по размерам регулируется соотношением Ж Т в суспензии и режимом кристаллизации. Последний должен быть подобран таким образом, чтобы по возможности избежать вторичного зародышеобразования, если ставится задача получить более или менее однородный по размерам кристаллов продукт. [c.252] Вернуться к основной статье