ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Особенности образования осадков комплексных соединений из "Кристаллизация в химической промышленности" Кристаллические осадки комплексных соединений в принципе могут быть получены любым из известных методов. Пересыщение достигается в результате химического взаимодействия, термическим путем, высаливанием или удалением растворителя. В этом отношении кристаллизация комплексных соединений не отличается от кристаллизации любых других соединений. [c.262] Особенности осаждения комплексов связаны с их структурой. Чтобы оценить степень отклонения системы от равновесного состояния, в данном случае необходимо учитывать степень устойчивости комплексного иона. Последняя характеризуется как полной константой диссоциации, называемой константой нестойкости комплекса, так и рядом последовательных констант диссоциации [1 ]. Чем меньше численное значение константы нестойкости, тем более устойчив комплексный ион. Диссоциация комплексного иона как правило протекает последовательно. Причем значения последовательных констант диссоциации обычно не одинаковы и могут существенно отличаться друг от друга. Возможны различные варианты. По ходу диссоциации константа может уменьшаться, оставаться почти неизменной и даже несколько возрастать. [c.262] Учет констант нестойкости, относящихся к различным ступеням диссоциации комплекса, особенно важен при описании кристаллизации труднорастворимых соединений. При осаждении таких комплексов очень важным является также ход самой реакции комплексообразования, поскольку получение таких веществ часто связано с кристаллизацией, основанной на химическом способе создания пересыщения. Следует отметить, что сама химическая реакция в данном случае может идти медленно. Поэтому для определения фактической концентрации комплекса в растворе в данный момент времени оказывается существенным знание кинетики химической реакции, в результате которой происходит кристаллизация получаемого вещества. [c.263] На основе данных о кинетике комплексообразования можно рассчитать истинное пересыщение раствора и таким образом определить зависимость параметров кристаллизации от условий ее проведения (в частности, от степени пересыщения). [c.263] Надо сказать, что систематических исследований по кристаллизации комплексных соединений по сути дела нет. В известной мере осаждение таких веществ отражено в монографии Валь-тона [2 ]. Однако в ней главным образом рассматриваются вопросы, относящиеся к равновесным состояниям. Кинетике же осаждения комплексных соединений до сих пор почти не уделялось внимания. Вместе с тем получение ряда комплексных соединений в промышленных условиях непосредственно связано с кристаллизацией из растворов [3]. [c.263] Кинетика кристаллизации комплексных соединений, как видим, зависит не только от температуры, перемешивания, содержания примесей и прочих, обычных для фазового превращения факторов, но и от кинетики образования самого комплексного соединения. Разумеется, сказанное относится к тем случаям, когда пересыщение создается химическим путем. [c.263] При данных условиях большую роль играет скорость и порядок смешения реагирующих веществ, число которых может быть и больше двух. Поскольку скорость химического взаимодействия в значительной мере зависит от температуры, ее влияние в целом на процесс осаждения тоже становится весьма ощутимым. [c.263] Вернуться к основной статье