ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электронная упругая поляризация из "Структура и симметрия кристаллов" что упругая поляризация характерна, прежде всего, для однородных диэлектриков с отсутствием дефектов строения, например, кристаллов с идеальной рещеткой. Напротив, для гетерогенных диэлектриков, а также для диэлектриков, имеющих различные нарущения строения, возможно возникновение тепловой поляризации. [c.149] Будем рассматривать основные механизмы поляризации, характерные для идеальных кристаллических диэлектриков. Их три электронная, ионная и ориентационная. [c.149] Рассмотрим сначала поляризацию, связанную со смещением электронов относительно ядер атомов, составляющих кристалл. Преобладающий вклад в эту поляризацию дают лищь относительно слабо связанные валентные электроны, находящиеся на внещних оболочках. Электронные смещения малоинерционны и при выключении поля система возвращается в исходное состояние за время релаксации Гэл 10 —10 с. [c.149] Рассчитаем величину электронной поляризуемости, индуцируемой в атоме водорода при действии электрического поля. Используем модель Бора. Тогда атом водорода имеет такие параметры ке = Яр = 156 10 Кл, т.р = 1,67- 10 кг, Ше = 9,11 10 кг, Гат = 0,53 А = 0,53 10 ° м, внутриатомное поле Ег = 5-10 Б/м. [c.149] 31) и (7.32) г — радиус электронной орбиты. [c.150] Отсюда следуют выводы. [c.151] В вешествах с анизотропной структурой электронная поляризация представляет собой сложное явление, при котором в электрическом поле деформируются различного типа электронные орбиты, связанные как с полем ядра, так и друг с другом. Тем не менее, предположение о сферической симметрии зарядов является хорошим приближением структуры в р электронных оболочек инертных газов. Оболочки инертных газов воспроизводятся при образовании большинства ионов, так что предположение о сферической симметрии может служить основанием для оценочных расчетов поляризуемости. [c.151] Диэлектрическая проницаемость вешества определяется не только поляризуемостью, но и концентрацией атомов или ионов в единице объема диэлектрика. [c.151] Частотная зависимость, определяемая соотношением (7.45), показана на рис. 7.6. [c.153] Согласно (7.45), вэл должна устремляться в бесконечность при частоте падающей на кристалл электромагнитной волны и и о (частота фундаментальной дисперсии в УФ диапазоне). Однако всегда существует поглощение электромагнитных волн, благодаря чему реальная дисперсионная зависимость е = /(со) ближе к случаю рис. 7.66. На частотах, много больщих, чем соо, диэлектрическая пронипаемость вэл и, следовательно, показатель преломления, стремятся к постоянному значению, равному 1, что соответствует отсутствию преломления в кристаллах электромагнитных волн рентгеновского и 7-излучений. [c.154] Следовательно, дисперсия диэлектрической пронипаемости, связанной с ионной поляризапией ион, должна происходить в области инфракрасных частот электромагнитных волн. [c.154] Вернуться к основной статье