ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Собственное (фундаментальное) поглощение из "Физика и химия твердого состояния" Когда энергия падающего фотона превосходит е , электрон из валентной зоны может быть возбужден в зону проводимости. Ясно, что исследование оптических свойств в этой области частот (когда са е /й) служит неоценимым средством для изучения зонной структуры. [c.417] Бриллюэна (обычно это точка/г = 0). Ко второму типу полупроводников относятся вещества, у которых 4= тах- Кремний, германий и большинство других полупроводников — типичные представители веществ этого типа. Примером полупроводника, где тш = тах, является соединение 1п5Ь. [c.417] Коэффициент поглощения будет, по-видимому, пропорционален вероятности и) того, что электрон под действием излучения частотой ш и интенсивностью / совершит переход из валентной зоны в зону проводимости. [c.418] Таким образом, матричный элемент Н т исчезающе мал, если только не удовлетворяется условие (738а). Это, конечно, просто требование сохранения квазиимпульса его называют правилом отбора (см. ниже). [c.418] Значение постоянных и можно вычислить с помощью методов квантовой механики [4]. [c.419] Как правило, всегда, когда наблюдается поглощение, связанное с прямыми переходами, зависимость y от (йсо — е ) является степенной с показателем степени, близким к 3/2, т. е. поглощение излучения обусловлено скорее механизмом запрещенных переходов. [c.419] Здесь йсо, — энергия фонона (йю,, С eg). [c.419] Согласно выражению (741), зависимость от энергии фонона должна характеризоваться в основном двумя отрезками прямых. [c.420] Таким образом, с помощью серии тщательных измерений можно определить все критические физические параметры, входящие в выражение (741). [c.421] Вернуться к основной статье