Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Собственное (фундаментальное) поглощение

    Собственное (фундаментальное) поглощение [c.417]

    Поглощение излучения в чистых полупроводниках может быть связано с изменением энергетического состояния свободных или связанных электронов. В связи с этим в чистых полупроводниках различают три основных типа поглощения 1) поглощение свободными носителями — поглощение, возникающее вследствие ускорения свободных носителей осциллирующим электромагнитным полем 2) собственное (фундаментальное) поглощение — поглощение, обусловленное возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости (фундаментальное или собственное поглощение) 3) экситонное поглощение (поглощение, обусловленное возбуждением электронов из валентной зоны) в связанные состояния электрона с дыркой — экситоны. [c.415]


    Открытие этого явления приобрело фундаментальное значение. Оказалось, что по спектрам комбинационного рассеяния света можно устанавливать частоты собственных основных колебаний молекул, причем несравнимо более простым и эффективным способом сравнительно с методом инфракрасного поглощения света преимущества на стороне метода комбинационного рассеяния оказались огромные. [c.191]

    С собственными дефектами связывают также низкотемпературную зеленую люминесценцию dS, называемую краевой, так как по положению в спектре она близка к краю фундаментальной полосы поглощения. У наиболее совершенных, медленно охлажденных кристаллов эта люминесценция отсутствует. Вместе с тем удаление примесей, создающих конкурирующие дефекты, способствует ее усилению. Следует отметить, что и в ряде других случаев собственные дефекты проявляют себя как центры свечения преимущественно при низких температурах. [c.97]

    Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]


    Наверно, еще более фундаментальный интерес представляет тот факт, что сейчас имеется возможность исследовать эффекты Коттона в собственных полосах поглощения белков [8, 9, 87, 88] и полипептидов [9]. Под собственными полосами поглощения разумеются полосы, обусловленные основной полинептидной цепью  [c.289]


Смотреть страницы где упоминается термин Собственное (фундаментальное) поглощение: [c.55]    [c.250]   
Смотреть главы в:

Физика и химия твердого состояния -> Собственное (фундаментальное) поглощение




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Поглощение собственное

Собственные



© 2024 chem21.info Реклама на сайте