Селен проводимость дырочная

Сенсибилизованная эозином и эритрозином фотоэлектрическая чувствительность 2пО наблюдается как без приложения электрического поля к конденсатору, так и при наложении отрицательного потенциала в —120 в к полупрозрачному металлическому электроду. При наложении положительного потенциала эффект пропадает. На основании опытов, проведенных ранее с типичными неорганическими полупроводниками (селен, 2пО, Си О и др.), сохранение или усиление эффекта при отрицательном потенциале на полупрозрачном электроде конденсатора и резкое падение эффекта при обратном направлении поля свидетельствуют об электронном характере фотопроводимости полупроводника. Такое же действие положительного потенциала означает, что полупроводник принадлежит к типу электроннодефектных, т. е. дырочных . Для полупроводников со смешанной проводимостью односторон- [c.186]

В бинарных полупроводниках АЩ как правило, элементы второй группы — цинк и кадмий — действуют, как акцепторы, т. е. создают дырочную проводимость, элементы шестой группы — сера, селен, теллур — действуют как доноры, обусловливая электронную проводимость. Имеются также элементы, механизм действия которых связан с внедрением их атомов в междоузлия, а также и электрически нейтральные примеси. Однако комплекс этих вопросов (по сравнению с теми же проблемами для кремния и германия) для бинарных алмазоподобных полупроводников изучен значительно меньше, хотя число таких исследований быстро растет. [c.83]

После зонной плавки и вытягивания монокристаллов антимонид алюминия обычно имеет дырочную проводимость. Для получения вещества с электронной проводимостью в него добавляют теллур или селен [168]. Зонная перекристаллизация почти не улучшает сопротивления образцов это объясняется тем, что в антимониде алюминия примесные уровни сушествуют не за счет посторонних загрязнений, а за счет беспорядка в решетке [171] или вакансий в решетке сурьмы [172]. Видимо, этим же можно объяснить то обстоятельство, что достигнутая до сих пор чистота антимонида алюминия невелика. [c.94]

Среди бинарных полупроводниковых соединений важнейшее место занимают соединения металлов с кислородом, серой, селеном и теллуром. Многие окислы даже при умеренных температурах обладают электронной или дырочной проводимостью и поэтому могут рассматриваться как полупроводники. Некоторые окислы могут иметь как р-, так и п-проводимость в зависимости от природы введенных примесей (амфотерные полупроводники). В настоящее время многие окисные полупроводники нашли разнообразное техническое применение. [c.159]

У монокристаллов селена, полученных из расплава, проводимость и подвижность носителей вдоль цепочек (вдоль кристаллической оси с) в десятки тысяч раз больше, чем в перпендикулярном направлении. Селен — дырочный полупроводник. Вероятно, р-проводимость обусловлена дефектами решетки на концах атомных цепочек. Некоторые примеси (Hg, Т1) уменьшают проводимость селена, вероятно, потому, что они являются донорами, а это приводит к частичной рекомбинации электронов и дырок. Ширина запрещенной зоны серого селена 1,7—1,9 эв, аморфного 2,3 эв. После освещения селена проводимость увеличивается, и требуется некоторое время для того, чтобы проводимость достигла равновесного значения. [c.309]

Ширина запрещенной зоны теллура 0,34 эв. Проводимость его при комнатной температуре значительно выше проводимости селена. Теллур — тоже дырочный полупроводник с сильно выраженной анизотропией проводимости. Селен широко используется для изготовления селеновых выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем. На мишени видиконов может идти аморфный селен, имеющий сопротивление порядка 10 —10 ом-см. Лучшие результаты дает твердый раствор 51,3-%-ного 5е и 48,7%-ного Аз он в 10 раз чувствительнее селена. [c.309]

Селен относится к дырочным полупроводникам. Природа дырочной проводимости до конца не выяснена. Возможно, р-проводимость обусловлена дефектами решетки на концах спиральных цепочек. По-ви-димому, число этих дефектов значительно превышает концентрацию электронов донорных примесей в пределах растворимости последних в твердом селене. [c.121]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Электрические и магнитные. Селен гексагональной модификации вплоть до температуры плавления — примесный полупроводник с дырочной проводимостью. Ширина запрещенной зоны для серого селена Д = = 1,8 эВ, для аморфного (пленка) при 293 К Д =2,2-н2,3 эВ Чистый стекловидный селен близок к изоляторам, его удельное электрическое сопротивление прн 293 К Ом-м. Удельная электрическая прово- [c.352]

Зонная перекристаллизация дает материал, обладающий дырочной проводимостью и неподдающийся глубокой очистке. Вещество с электронной проводимостью (а также и п-р-пере-ходы) можно получить легированием дырочного антимонида галлия селеном или теллуром. Очищенный зонной плавкой материал в лучшем случае дает 10 акцепторов на 1 сж , вне зависимости от предварительной очистки компонентов. Поэтому было высказано предположение, что примесью, не удаляющейся при зонной плавке, является не посторонний элемент, а галлий на местах сурьмы. Это равнозначно утверждению о существовании соединения при значительном отклонении от стехиометрического состава [201]. Однако прямого доказательства этого предположения пока не удалось получить. [c.101]

Наибольшее применение нашли кремний, германий н алмаз — в виде. монокристаллов, селен II твердые растворы кремния с германие.м — в виде поликристаллов. П. м. па основе элементов четвертой группы отличаются кубической кристаллической решеткой тина ал.иаза. Примесную проводимость электронного типа получают, легируя их мышьяком, сурьмой и фосфором, а дырочная проводимость связана с легированием бором, га.тг-лием и индием. Удельное электросопротивление П. м. зависит от ширины [c.228]

Образцы AlSb дырочного типа проводимости можно перевести в п-тип легированием мышьяком, селеном и теллуром. Энергии активации последних двух примесей, которые получены по температурной зависимости проводимости и постоянной Холла, соответственно равны 0,27 и 0,13 эв. [c.133]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология