Проводимость дырочная

Если к полупроводнику приложить невысокую разность потенциалов, то это вызовет движение электронов в зоне проводимости (дырочная проводимость п-типа) и одновременное перемещение дырок (дырочная проводимость р-типа). Движение дырки происходит по следующему механизму электрон, находящийся рядом с дыркой, занимает ее положение, при этом на его месте снова возникает положительно заряженная дырка. Соседний электрон осуществляет подобный переход и т. д. Таким образом, в валентной зоне дырки будут перемещаться в сторону отрицательного электрода, а в зоне проводимости электроны будут двигаться в сторону положительного электрода (рис. 4.17). Проводимость такого типа называется собственной. [c.185]

Галлий применяется также для легирования германия и кремния с целью образования р — п-переходов (как элемент III группы галлий сообщает им проводимость дырочного типа). Из легированных германия и кремния изготавливают термоэлементы для солнечных батарей, кристаллические детекторы, выпрямители и т. п. [c.245]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Введение в k-BN приводит к образованию в спектре кристалла полосы вакансионных состояний (ВС), рис. 2.3. Данные состояния концентрируются вблизи верхнего края ВЗ, причем максимум локальной плотности ВС совпадает с Ер кристалла. Иными словами, Vg можно рассматривать как своеобразную акцепторную примесь , вакантные уровни которой при термическом возбуждении могут заселиться с возникновением в нестехиометрическом нитриде проводимости дырочного типа. [c.39]

Приведенные результаты свидетельствуют, что решеточные вакансии нельзя рассматривать как точечные дефекты их присутствие вызывает возмущение электронных состояний кристалла, достигающее, по крайней мере, второй координационной сферы вакансии. По своему действию на электронные состояния матрицы катионная вакансия (V ) будет выступать как акцепторная примесь , анионная (V ,) — как донорная примесь , инициируя возникновение проводимости дырочного и электронного типов, соответственно. [c.40]

СВЧ-ферриты. Из двух основных характеристик СВЧ-ферри-тов — ширины линий ферромагнитного резонанса и диэлектрических свойств — последние тесно связаны с концентрацией электронных дефектов, которую можно регулировать в широких пределах в процессе термической обработки., В работе [195] показано, что потери в ферритах в широком диапазоне частот обусловлены свободными электронами, концентрация которых может быть существенно снижена дополнительным отжигом при температуре, выбранной на основе универсальной диаграммы. В ОВЧ-ферритах, содержащих никель в качестве активного компонента, изменение температуры обработки при фиксированном давлении кислорода, равно как и изменение давления кислорода при фиксированной температуре, может привести к замене электронной проводимости дырочной. Минимуму потерь будут соответствовать состояния с собственной проводимостью (пхр), достигаемые при строго определенных для каждого состава температуре и давления кислорода. [c.152]

Далее А. Ф. Иоффе и его сотрудниками было показано, что стехиометрический избыток металла в соединениях этого типа приводит к появлению обычной электронной проводимости, тогда как избыток металлоида, атомы которого захватывают и сравнительно прочно удерживают электроны, — к проводимости дырочного типа, обусловленной эстафетным перемещением электронов от одного металлоидального атома к соседнему. Такого рода перемещение эквивалентно перемещению положительных электронов . [c.19]

На электрические свойства германия оказывают влияние различные факторы, из которых основную роль играет наличие посторонних примесей в кристаллической решетке германия. Так, примеси элементов I— III групп периодической системы вызывают в германии проводимость дырочного типа, примеси элементов V—VI групп вызывают электронную проводимость. В связи с этим с особой остротой встает вопрос об анализе металлического германия на содержание примесей различных элементов. [c.56]

Основная область применения галлия — полупроводниковая техника. Галлий применяется для легирования германия и кремния с целью образования п — р-переходов (как элемент И1 группы галлий сообщает им проводимость дырочного типа). Легированные германий и кремний служат для изготовления самых разнообразных полупроводниковых приборов—термоэлементов для солнечных батарей, кристаллических детекторов, точечных усилителей, выпрямителей и т. д. [8]. [c.144]

Движение дырки в действительности представляет собой передвижение электронов в заполненной зоне под действием электрического поля. Таким образом, электропроводность в полупроводниках, связанная с движением электронов, является электронной проводимостью (электронный ток), а связанная с движением дырок — дырочной проводимостью (дырочный ток). [c.332]

Таким образом, ст. тр. при 800° образец, а также восстановленный образец, имеют преобладающий я-тиц проводимости (электронный), а при хемосорбции кислорода и при гидратации преобладающей становится р-проводимость (дырочная), а хемосорбированные частицы (кислород, гидроксильные группы) ведут себя как акцепторы. Небольшие акцепторные свойства имеют также хемосорбированный водород при 500° на восстановленном образце. Следует отметить, что п-тип проводимости, например, для ст. тр. образца может осуществляться не только при большей концентрации электронов, но и при полной стехиометрии образца, когда концентрации электронов и дырок приблизительно равны из-за меньшей подвижности дырок, которая, как известно, составляет сотую или десятую величины подвижности электронов [25]. [c.282]

Была исследована температурная зависимость электропроводности 6 якутских алмазов в области 50—350° СВысказало предположение, что низкотемпературная проводимость яв-.ляется электронной и обусловлена дефектами решетки, а высокотемпературная проводимость — дырочная. Синтетическим алмазам могут быть приданы полупроводниковые свойства (проводимость р-типа) добавлением примесей В, Ве или Л1 (до 1%) в -исходную смесь графита с катализатором [c.586]

Все соединения включения в графит являются хорошими проводниками. В соединении калия электроны зоны проводимости создают электрический ток так же, как в металле. В соединениях графита с полибромид-ионами проводимость дырочного типа. [c.473]

Присоединение нолунроводннка к отрицательному полюсу источника напряжения, а металла—к положительному не может в этом случае вызвать появления потока электронов из полупроводника в металл, потому что полоса проводимости дырочного полупроводника пуста. В то же время вследствие поднятия верхней границы заполненной полосы полупроводника (рис. 86, б) движение дырок в полупроводнике по нанравлению к границе металла затруднено, так как возросло поле, задерживающее дви-зисние дырок. [c.218]

Сульфид свинца имеет кристаллическую структуру, кубическую реш стку. Плотность е о 7,5. Молекулярный вес — 239,28, Температура плавления 1114° С. Ширина запрещенной зоны = 04 эв. В зависимости от соотношения серы и свинца получается проводимость дырочная — [c.253]

Теллурид ртути — полуметалл, хотя раньше считали его полупроводником с очень малой шириной запретной зоны (порядка 0,01 эв). HgTe может быть л- и р-типа проводимости. Дырочная проводимость, которая обычно наблюдается в теллуриде ртути, обусловлена вакансиями в подрешетке ртути. Поэтому образцы HgTe р-типа при отжиге в парах ртути становятся / -типа проводимости. Максимальная подвижность электронов для образцов теллурида, близких к стехиометрии, составляет 25 ООО при комнатной температуре и 80 ООО сж Ve при 77°К. Изучение температурной зависимости подвижности электронов, знака и температурного хода поперечного и продольного эффектов Нернста — Эттингсгаузена показывают, что HgTe обладает ковалентным типом химической связи. Этим и объясняются наблюдаемые высокие значения подвижности носителей тока среди соединений [c.182]

Легирование различными элементами не приводит к электронной проводимости. Дырочная проводимость этого соединения обусловлена несовершенством кристаллической решетки, ее сильной деформированностью. Концентрация дефектов, создающих акцепторные уровни, превосходит концентрацию электронов от донорных примесей. [c.215]

Физическая химия (1987) -- [ c.654 , c.656 ]

Учебник общей химии (1981) -- [ c.94 ]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.2 , c.5 , c.84 , c.103 , c.282 ]

Краткий курс физической химии Изд5 (1978) -- [ c.145 ]

Общая химия ( издание 3 ) (1979) -- [ c.432 ]

Неорганическая химия (1987) -- [ c.145 ]

Общая химия Издание 4 (1965) -- [ c.249 ]

Электроника (1954) -- [ c.212 ]

Неорганическая химия (1969) -- [ c.136 ]

Введение в физическую химию кристаллофосфоров (1971) -- [ c.137 , c.202 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.329 , c.554 ]

Основы общей химии Т 1 (1965) -- [ c.114 , c.115 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.113 ]

Основы общей химии том №1 (1965) -- [ c.114 , c.115 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология