Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электросродство константа

    Горюнова [336] сформулировала следующее правило образования полупроводниковых соединений со структурой сфалерита и вюрцита необходимо, чтобы удельная константа электросродства R/Z каждого из составляющих элементов была больше 7,5 эв  [c.93]

    Фундаментальной энергетической характеристикой остова является предложенная Б. В. Некрасовым константа электросродства, дающая представление об энергии присоединения электрона, начинающего валентный слой, к остову, т. е. к ядру вместе со всеми законченными слоями [9]. Самые элементарные соображения дают основание думать, что этот параметр может характеризовать возможность элементов давать соединения с определенным типом химической связи. [c.99]


    Образование тетраэдрических структур становится возможным тогда, когда величина константы электросродства переходит предел (для каждой группы разный) и делает энергетически невыгодным образование соединения с ионной или металлическими связями. Естественно, что первый ионизационный потенциал не дает такой закономерности, так как [c.99]

    Значения констант электросродства лантана, иттрия и скандия не аналогичны таковым для индия, галлия и т. д.— в них (в лантане и т.д.) первый валентный электрон отрывается ог -оболочки. [c.100]

    Металлизацию связи в полупроводниках мы понимаем как ослабление связи электронов внутри ковалентных мостиков, размывание последних, более или менее сильное в зависимости от атомного номера. Вследствие этого энергия активации валентных электронов уменьшается, но не исчезает. Переход электронов в состояние электронного газа наступает обязательно во всех кристаллохимических группах полупроводников с увеличением атомного веса элементов, когда вещество кристаллизуется в другой структуре и приобретает свойства металла. При сопоставлении изменения свойств в рядах соединений-аналогов со свойствами атомов, их образующих, мы обратили внимание на то, что при переходе в рядах аналогов от одной кристаллической структуры к другой очень сильно меняются такие энергетические характеристики атомов (или точнее остовов атомов), как суммарный групповой ионизационный потенциал и константа электросродства. Позже мы вернемся к этим характеристикам. Изменение свойств веществ в изоэлектронных рядах, о чем сообщалось ранее [1], свидетельствует о нарастании нонности связи также в пределах основного, ковалентного типа взаимодействия. Так, например, внешний вид веществ от простого вещества IV группы до соединения А В меняется таким образом, что вещества становятся все-больше и больше похожи на соли, цвет их становится более светлым.. В соответствии с цветом, а следовательно, с оптическими свойствами меняются и ширина запрещенной зоны и другие свойства, что, естественно, следует из увеличения разницы в химической природе компонентов. [c.98]

    Несмотря на то, что неравенство было выведено на основании рассмотрения энергетических характеристик элементов, образующих соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре и принадлежащих к первым трем группам периодической системы, элементы V, VI, VII групп, являющиеся вторыми компонентами этих соединений, также удовлетворяют этому неравенству. Поэтому условие образования соединений типа АВ со структурами вюртцита и сфалерита можно сформулировать в более общем виде, а именно для образования соединения типа АВ с тетраэдрическим расположением атомов в структуре необходимо, чтобы удельная константа электросродства каждого из составляющих элементов была больше 7,5 эв. [c.100]

    Приведенным неравенством (2) определяется граница значений удельной константы электросродства, ниже которой соединения данного типа безусловно не образуются. Если это условие выполнено, то для дальнейшего выяснения вопроса об образовании такого рода соединений необходимо сравнить между собой значения удельных констант электросродства обеих составляющих. [c.100]

    Константа электросродства — наиболее удобная, но не единственная энергетическая характеристика, на базе которой можно сформулировать правило образования бинарных соединений АВ с тетраэдрическим расположением атомов в структуре. Так, например, для суждения о воз- [c.100]

    Значительно больших успехов в подборе твердых тел с заданными свойствами достигла наука о полупроводниках. Используя представления, впервые высказанные А. Ф. Иоффе [3], о связи электрических, полупроводниковых свойств с ближним порядком расположения ато-> MOB и ионов, который в основном определяется характером химической связи, удалось синтезировать ряд новых ценных полупроводниковых материалов. На конференции представлен доклад Н. А. Горюновой (см. стр. 96 наст, сб.), в котором показано, что полупроводниковые свойства веществ (ширина запрещенной зоны, подвижность) закономерно изменяются с изменением энергетических характеристик (константа электросродства, групповой ионизационный потенциал) атомов, образующих полупроводник. [c.117]


    Так, в 1946 г. Б. В. Некрасов [104] при расчете электроотрицательностей (электросродства, по его терминологии) принял во внимание лишь те потенциалы ионизации, которые характеризуют энергию присоединения первого электрона к законченному слою, например первый Р натрия и седьмой Р фтора. Значения электросродства, по Некрасову, приблизительно пропорциональны константам Полинга (табл. 26). [c.60]

    В литературе сушествуют попытки представить картину образования ковалентных соединений и с других точек зрения. Б. В. Некрасов (1946 г.) предложил использовать для оценки полярности валентных связей константы электросродства, т. е. значения энергии присоединения к данному остову первого [c.14]

    На этом пути, можно сделать еще один шаг, если, следуя Гольдшмидту [14], ввести удельные константы электросродства, т. е. разделить константы электросродства на заряд остова  [c.16]

    В табл. 4 приведены значения удельных констант электросродства для наиболее распространенных элементов, вычисленные в предположении осуществления ими нормальной валентности. Исключение сделано лишь для элементов девятого ряда (Т1, РЬ, В1), где ввиду особой устойчивости оболочки, обычная для них валентность понижена на две единицы. Кроме того, для элементов вставных декад, начиная с IV группы, удельные константы электросродства вычислены по второму потенциалу ионизации. В случае соединений этих элементов с валентностью, отличной от двух, значения констант должны быть соответственно изменены. [c.16]

    Удельные константы электросродства элементов [c.16]

Рис. 3. Разделение структур соединений типа АВ в зависимости от удельных констант электросродства Л и N2 составляющих атомов. Рис. 3. Разделение структур соединений типа АВ в зависимости от удельных констант электросродства Л и N2 составляющих атомов.
    Из сравнения рис. 3 и 2 с очевидностью вытекает, что удельные константы электросродства также приводят к разделению соединений по структурам, что и параметры Пирсона, имея несомненное преимущество в точности экспериментального определения по сравнению со столь грубой количественной величиной, какой является разность электроотрицательностей. Граница между областями, занятыми тетраэдрическими и октаэдрическими структурами, на рис. 3 может быть приближенно представлена прямой [c.17]

    I — константа электросродства 2 — первый потенциал ионизации 3 — обратная постоянная решетки 4 — температура кипения 5 — суммарный потенциал ионизации 6 — теплота сублимации 7 — обратная подвижность электронов 8 — обратный грамм-атомный объем 9 — диэлектрическая постоянная /< —температура плавления 11 — ширина запрещенной зоны. [c.185]

    Эта исходная величина — константа электросродства (N) — должна сопоставимо характеризовать силовые поля различных остовов, как таковых. Она дается значениями энергий образования соответствующих водородоподобных атомов, т. е. энергией присоединения к данному остову с главным квантовым числом п первого 5-электрона в квантовый слой п + 1. Для водорода константа электросродства равна 13,595 эв, т. е. одному ридбергу (Ну). Пересчитанные из имеющихся спектральных данных значения N других элементов в ридбергах приводятся ниже (ср. XI 5 [c.479]

    Константа электросродства R — энергия присоединения элактрона, начинающего валентный слой. Она характеризует силовое поле остова. Удельная константа электросродства — величина R, деленная на заряд остова Z. По мнению Горюновой [74], правило (54) удобнее для характеристики возможности образования тетраэдрических полупроводниковых соединений, чем более качественные закономерности Музера и Пирсона. Образование полных и металлических структур выгодно, когда величины R для одного или обоих [c.93]

    Рассматривая значения констант электросродства N (см. табл.), можно убедиться, в том, что внутри первых трех групп периодической системы элементы, способные образовывать тетраэдрические структуры, являются в то же время и элементами с иаибо льшими константами электросродства, иными словами, с более насыщенными силовыми полями остовов. [c.99]

    Можно расположить элементы в порядке возр1астания констант электросродства. Чем правее расположены элементы, тем больше возможность образования ими тетраэдрических структур. При таком расположении ПОНЯТНО, что серебро дает меньшее число соединений со структурой цинковой обманки, чем медь. Понятно также, что бериллий и цинк дают тетраэдрические структуры во всех бинарных халькогенидах, г магний — только в одном. [c.100]

    Эта исходная ветчта — константа электросродства (Л ) — должна сопоставимо характеризовать силовые поля различных остовов, как таковых. Она дается значениями энергий образования соответствующих водородоподобных атомов, т. е. энергией присоединения к данному остову с главным квантовым числом п первого 5-электрона в квантовый слой п + 1. Для водорода константа электросродства равна 13,595 эв, т. е. одному ридбергу (Ну). Пересчитанные из имеющихся спектральных данных значения /V других элементов в ридбергах приводятся ниже (ср. XI 5 доп. 4 и рис. ХП1-79). Цифры для I, Ре и, Хе, как полученные экстраполяцией, взяты в скобки. Константа электросродства является фунда.ментальным атомным параметром. [c.267]


Смотреть страницы где упоминается термин Электросродство константа: [c.100]    [c.135]    [c.16]    [c.17]    [c.18]    [c.185]    [c.480]   
Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.479 ]

Основы общей химии Том 3 (1970) -- [ c.267 , c.268 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Электросродство



© 2024 chem21.info Реклама на сайте