Комплексообразователь электронная оболочка

Электростатическое взаимодействие не является единственной причиной гидратации — последняя может обусловливаться и химическими силами. Химическое взаимодействие является преобладающим в случае, если центральная частица — сильный комплексообразователь, т. е. ион с незаполненной электронной оболочкой. Для ионов, обладающих структурой инертного газа, преобладает кулоновая составляющая сил взаимодействия, зависящая от кристаллографического радиуса иона и его заряда [13]. [c.203]

Термическая устойчивость комплексов зависит от строения электронных оболочек центрального иона, что отражается положением металла-комплексообразователя в периодической системе (табл. 108). [c.359]

Теория кристаллического поля, наоборот, основывается на чисто электростатической модели. Однако в отличие от первоначальной теории Косселя и Магнуса здесь рассматриваются изменения в электронных оболочках иона-комплексообразователя, происходящие под действием лигандов. Эта теория оказалась чрезвычайно плодотворной. В настоящее время она имеет значительно большее применение, чем метод валентных связей. [c.218]

Теория кристаллического поля. Эта теория рассматривает воздействие лигандов на д -орбитали иона-комплексообразователя. Форма и пространственное расположение -орбиталей представлены на рис. 18. В свободном атоме или ионе энергии всех -электронов, принадлежащих к одной и той же электронной оболочке, одинаковы — эти электроны занимают один энергетический уровень. Лиганды, присоединенные к положительному иону, являются или отрицательными [c.221]

Значения координационного числа центральных атомов в карбонильных комплексах определяется по правилу Сиджвика. В соответствии с этим правилом при образовании карбонильных (и не только карбонильных) комплексов вокруг металла создается устойчивая внешняя 18-электронная оболочка из 5-, р- и -электронов комплексообразователя и электронных пар лигандов. [c.192]

СТРУКТУРА ВНЕШНИХ ЭЛЕКТРОННЫХ ОБОЛОЧЕК комплексообразователя [c.168]

Для присоединения аммиака структура внешней электронной оболочки комплексообразователя имеет первостепенное значение. Наиболее благоприятные условия создаются при сочетании сильного поляризующего действия и сравнительно легкой деформируемости комплексообразователя, что характерно для большинства ионов с 18-электронными и незамещенными внешними оболочками. Обменные катионы способны присоединять аммиак. [c.159]

Возникающая окраска зависит от природы металла-комплексообразователя, так как последний включается в сопряженную систему, оказывая на нее воздействие своей электронной оболочкой и зарядом ядра. Так, оранжево-желтый цвет [c.503]

Теория кристаллического поля основывается на чисто электростатической модели. Однако в отличие от теории Косселя и Магнуса здесь рассматриваются изменения в электронных оболочках, иона-комплексообразователя, происходящие под действием лигандов. Свое название теория кристаллического поля получила в связи с тем, что первоначально она была применена для объяснения состояния ионов в кристаллах и затем была перенесена на комплексы, в которых ионы так же, как и в кристаллах, окружены соседними -Частицами. [c.121]

Ионы -элементов вступают, как правило, в разнообразные химические реакции. Все они являются хорошими комплексообразователями. Ионы с недостроенными электронными оболочками образуют интенсивно окрашенные соединения и вступают в реакции окисления — восстановления. [c.17]

Свойства простых соединений трехвалентных элементов этой группы настолько близки между собой, что не могут явиться основой для химических методов разделения в аналитических и препаративных целях. Чаще всего для этих целен пользуются различием свойств комплексных соединений редкоземельных металлов, поскольку именно в комплексных соединениях наиболее полно проявляются и находят свое отражение тонкие различия в величинах ионных радиусов и в строении электронных оболочек. Поэтому, как правило, анализ смесей редкоземельных металлов проводится физическими методами с использованием комплексообразователей. Одним из физико-химических методов, используемых для этих целей, является полярография. [c.287]

Координационные числа. Общее число нейтральных молекул и ионов, связанных с центральным ионом в комплексе, называется координационным числом комплексообразователя. Величина координационного числа определяется главным образом размерами, зарядом и строением электронной оболочки комплексообразователя. В аналитической практике чаще всего эти числа равны 6, 4 и 2. [c.406]

Поскольку атомы кислорода или азота, отдающие свою неподеленную пару электронов металлу, включены в цепочку сопряженных связей, то изменение их электронных оболочек приводит к изменению поглощения света. Возникающая окраска зависит от природы метал-ла-комплексообразователя, так как он, включаясь в сопряженную систему, оказывает на нее воздействие своей электронной оболочкой и зарядом ядра. [c.33]

Связь между комплексообразователем и аддендом в комплексных соединениях катионов этой группы в значительной степени является ковалентной. Катионы этой группы имеют во внешней электронной оболочке вакантные электронные ячейки (эти вакансии могут также возникать в результате перехода электронов на немного более высокий уровень при небольшой затрате энергии на возбуждение). При взаимодействии таких катионов с аддендами, располагающими неподеленными парами электронов, последние могут заполнять эти вакантные ячейки и осу- [c.27]

Теория кристаллического поля основана на электростатической модели, однако в отличие от представлений Косселя и Магнуса данная теория рассматривает изменения в электронных оболочках иона-комплексообразователя, происходящие под действием лигандов. Теория кристаллического поля первоначально была разработана для объяснения состояния ионов в кристаллах (отсюда ее название) и затем была перенесена на комплексы, в которых ионы так же, как и в кристаллах, окружены соседними частицами. [c.129]

Процессы поляризации ионов также оказывают большое влияние на комплексообразование. Ионы с 18-электронными и незаконченными внешними оболочками, характеризующиеся сильным поляризующим действием, при прочих равных условиях, более склонны к комплексообразованию, чем ионы с 8-электронной внешней оболочкой Деформируемость самого комплексообразователя зависит от природы адденда. Чем менее склонен адденд к деформации своих электронных оболочек, тем меньше роль деформируемости самого комплексообразователя. Если же адденды легко деформируются, то параллельно с возрастанием степени деформируемости комплексообразователя растет и прочность комплексной связи. Поэтому различие между [c.181]

При применении органических реактивов особенно большое значение имеют адденды, содержащие в своем составе электроположительный гетероциклический третичный атом азота. Их поведение до некоторой степени может быть сопоставлено с поведением аммиака как адденда. Склонность этих аддендов к комплексообразованию зависит преимущественно от их деформируемости и, следовательно, структура внешней электронной оболочки иона-комплексообразователя играет большую роль. Наиболее благоприятные условия для координирования этих аддендов (как и аммиака) создаются при сочетании сильного поляризующего действия с легкой собственной деформируемостью иона-комплексообразователя. Это имеет место у большинства ионов с 18-электронными и незаконченными внешними электронными оболочками, как, например Сд , Со , Со" , Си , Си , Ре , N1 , и т. д. [c.182]

Теория кристаллического поля. Эта теория рассматривает воздействие лигандов на -орбитали иона-комплексообразователя. Форма и пространственное расположение -орбиталей представлены ранее на рис. 1.7. В свободном атоме или ионе энергии всех -электронов, принадлежащих к одной и той же электронной оболочке, одинаковы — эти электроны занимают один энергетический уровень. Лиганды, присоединяемые к положительному иону-комплексообразователю, могут быть нли отрицательными ионами, или полярными молекулами, которые обращены к комплексообразователю своим отрицательным концом. Между электронными облаками -электронов и отрицательными лигана,ами действуют силы отталкивания, приводящие к увеличению энергий -электронов, Однако воздействие лигандов па различные -орбитали неодинаково. Энергия электронов иа -орбиталях, расположенных близко к лигандам, возрастает больше, а на -орбиталях, удаленных от лнгаилов, меньше в результате под действием лигандов происходит расщепление энергетических уровней ё-орбиталей. [c.122]

В свободном атоме или ионе комплексообразователя энергии всех ( -электронов, принадлежащих к одной и той же электронной оболочке, одинаковы, т. е. эти электроны занимают один энергетический уровень. В комплексе положительный ион-кэмплексообразователь окружен лигандами, которые могут быть или отрицательными ионами, или полярными молекулами, которые обращены к комплексообразователю своим отрицательным концом. Между электронами /-орбиталей иона-комплексообразователя и отрицательными лигандами действуют силы отталкивания, которые увеличивают энергию /-электронов. При этом электростатическое воздействие лигандов на различные /-орбитали неодинаково, так как поле лигандов не обладает сферической симметрией. Поэтому энергия электронов на /-орбиталях, расположенных близко к лигандам, возрастает больше, а на /-орбиталях, удаленных от лигандов, меньше в результате под Таблица 1.13. Ти/1ы гибридизации и соответствующие им геометрические формы комплексов [c.130]

Жесткая, малодеформируемая электронная оболочка типа инертного газа как для Ве +, так и для всех остальных катионов обсуждаемой группы обусловливает преобладающе ионный тип связи №+ — лиганд, поскольку ионы М2+ не имеют пустых ячеек, необходимых для предоставления лиганду с целью образовать донорно-акцепторную связь, и, кроме того, не имеют электронных пар, подходящих для образования л-дативной связи. Таким образом, комплексные соединения элементов этой группы должны быть построены за счет ион-ионного или ион-дипольного взаимодействия. Априори можно сказать, что самым сильным комплексообразователем в ряду Ве—Ба будет ион Ве + благодаря его маленькому размеру и большой плотности заряда. Самые неустойчивые комплексы должны быть у Ва. [c.42]

Атомы или положительные ионы металлов, координирующие вокруг себя лиганды, по электронной конфигурации делятся на четыре основные группы. Первые три, из них соответствуют внешним электронным слоям либо aтiЭмoв благородных газов (ls или ns n 5 , где п имеет значения от 2 до 6), либо ионов (с электронов), либо ионов с 18 электронами на предвнешнем уровне плюс два электрона на х-орбитали наружного уровня. Поэтому электронная оболочка таких атомов или ионов имеет сферическую симметрию. Более сложное распределение элект4>онной плотности у атомов или ионов металлов с неполностью занятыми /-орбиталя-ми, образующих четвертую группу комплексообразователей. Эта группа самая многочисленная, так как она включает все -элементы во всех степенях окисления, кроме тех, которые входят в предыдущие группы. [c.108]

При сферической симметрии электронной оболочки комплексообразователя можно говорить о тенденции к росту его координационного числа при увеличении степени окисления. Так, для Ag+ к. ч. = 2 в [Ag(NHз)2l+, а для к. ч. = 4 в [Р1 (N143 ) 4 Кроме того, повышению значения координационного числа способствует больший размер комплексообразователя. Например, радиус атома бора (И1) равен 0,021 нм, его к. ч. = 4, тогда как радиус иона алюминия больше (0,057 нм) и с такими же лигандами его к. ч. = 6. [c.108]

Электроны лигандов, внедряюсь в электронную оболочку комплексообразователя, оказывают влияние на состояние электронов, находящихся в его d-орбиталях. При этом одиночные электроны, испытывая отталкивание от электронных пар лигандов, могут спариваться, переходя на более дальние от лигандов d-орбитали комплексообразователя. Наиболее сильное влияние оказывают лиганды, содержащие донорные атомы с малой э ектроотрицатель-ностью (As, Р, S и др.), так как донорные атомы с большой электроотрицательностью прочнее удерживают свою неподеленную пару и в меньшей степени передают ее комплексообразователю. Такая способность лигандов определяет силу поля лигандов, на которую влияют также размеры их донорных атомов. По мере увеличения размера донорного атома концентрация электронной плотности в его орбиталях уменьшается, а следовательно, умень- j шается и сила поля лиганда. Таким образом, большой силой поля должны обладать лиганды, содержащие небольшие атомы с низкой электроотрицательностью. Можно составить ряд лигандов, в котором они расположены в порядке возрастания силы их поля (выделены донорные атомы) I [c.123]

Электроны лигандов, внедряясь в электронную оболочку комплексообразователя, оказывают влияние на состояние электронов, находящихся в его -орбиталях. При этом одиночные электроны, испытывая отт шкивание от электронных пар лигандов, могут спариваться, переходя на более дальние от лигандов -орбитали комплексообразователя. Наиболее сильное влияние оказывают лиганды, содержащие донорные атомы с малой электроотрицательностью (Аз, Р, 8 и др.), так как донорные атомы с большой электроотрицательностью прочнее удерживают свою неподеленную пару и в меньшей степени передают ее комплексообразователю. Такая способность лигандов определяет силу поля лигандов, на которую влияют также размеры их донорных атомов. По мере увеличения размера донорного атома концентрация электронной плотности в его орбиталях уменьшается, а следовательно, уменьшается и сила поля лиганда. Таким образом, большой силой поля должны [c.161]

Рассмотренная в этом разделе трактовка механизма координации в значительной мере исходит от Паулинга В ней основная роль отводится особенностям структуры электронных оболочек атомов-комплексообразователей. Именно свойства агома-комнлексообразо-вателя определяют и величину координационного числа и геометрическую конфигурацию комплекса. Такой подход оправдывается опытом применительно к наиболее типичным комплексообразователям, для которых, действительно, и величина координациопиого числа и геометрическая конфигурация не зависят от природы лигандов. Он является полезным с точки зрения дальнейшего развития стереохимии комплексов, ибо он позволяет заранее предвидеть (в отличив от классической координационной теории и электростатически-поля-ризационных представлений) , какие элёменты могут, при иа.личии к. ч. 4, дать тетраэдрическую или плоскостную конфигурацию. С точки зрения данного подхода плоскостная конфигурация должна быть характерна только для элементов, которые могут образовать [c.301]

Раствор буры (кристаллического тетрабората натрия Ка2В407-ЮНгО) имеет резко щелочную реакцию в результате гидролиза соли сильного основания и очень слабой кислоты. В этом растворе присутствуют не только анионы В О , но вследствие гидролиза и молекулы свободных борных кислот, в том числе ортоборной кислоты НзВОз, которая может образовать сложные эфиры со спиртами (см. опыт 55). В случае многоатомных спиртов (опыт Б) в реакции участвуют три гидроксильные группы из двух молекул спирта, в результате чего образуются более прочные циклические эфиры. Расположенная рядом четвертая гидроксильная группа отщепляет атом водорода в виде свободного иона водорода в результате этого замыкается второй цикл при атоме бора. Бор, таким образом, является комплексообразователем с координационным чис.чом четыре и дополняет свою внешнюю электронную оболочку до октета электронной парой атома кислорода. Этп комплексы оказываются довольно сильными кислотами [c.103]

Как известно, способность к образованию комплексных соединений, т. е. соединений, содержащих прочно связанные группировки ато.мов, ионов или молекул, как физически, так и хи.мически различимые в качестве отдельных частиц в твердых фазах и в растворах, наиболее выражена у элементов, находящихся в определенных участках периодической системы. Исходя пз обычных данных курса неорганической химии, мы знаем, что образование комплексных соединений наиболее характерно для средних элементов периодической системы (Ре—7.П, Ни—С(1, Оз—Нд). Но более общее н более глубокое представление о комплексных соединениях показывает, что на самом деле способность к образованию комплексных соединений монотонно возрастает в периодах системы элементов слева направо, т. е. от щелочных металлов до галогенов, так как комплексными соединениями являются не только те аммиакаты (амминоком-нлексы), комплексные цианиды, тиоцианаты и т. д., которые обычно рассматривают при обзоре комплексных соединений, но и все сложные кислородсодержаш,ие анионы, как 50 , СЮ4, ЫОз и т. д. Это утверждение, как увидим далее, правильно по существу и согласуется с определением комплексного соединения, которое дано выше. В основе химической связи между комплексообра-зователем (центральный ион или атом) и лигандом (комплексующий, координируемый ион или молекула) лежит донорно-акцепторное и дативное взаимодействия, т. е. обобществление электронных пар, принадлежавших первоначально одному из атомов лиганда или (в случае дативной связи) комплексообразователю. При этом до-норно-акцепторная связь всегда является главной и определяющей в комплексе, а дативная проявляется лишь в некоторых случаях при наличии -электронных пар в электронной оболочке иона-комплексообразователя пе- [c.19]

Ионы р- и -элементов, имеющие 18-электронные оболочки, образуют малорастворимые соединения, часть из которых окрашена. Ионы с 18-электронными оболочками являются хорошими комплексообразователями, образуют разнообразные комплексные соединения, используемые в анализе [Сс1 СЫ)4]-2, [2п(МНз)4]2+, [8ЬС1б]-и др. [c.18]

X. Таубе [17], обобш ая данные по изотопному обмену, имею-ш,иеся в литературе до 1952 г., выдвинул теорию, по которой лабильность или инертность комплекса зависит от строения внешней электронной оболочки атома-комплексообразователя наличие вакантных d-орбиталей он связывал с быстрым обменом — комплекс лабильный, отсутствие таковой — комплекс инертный. Однако. [c.48]

Прочность комплексных соединений, характеризуемая величиной р/С, зависит от размера, заряда, поляризуемости и электронной структуры как ионов-комплексообразователей, так и аддендов. Те ионы-комплексообразователи, внешняя электронная оболочка которых подобна электронной оболочке инертных газов, взаимодействуют с аддендами главным образом за счет возникновения ионных связей. Образующиеся комплексные соединения обладают сравнительно небольшой прочностью. К таким ионам-комплексообразователям относятся в основном ионы металлов главных подгрупп Периодической системы элементов. В пределах этой категории комплексообразователей наблюдается ряд четких закономерностей. Так, например, увеличение числа заряда ионов при практически неизменном ионном радиусе приводит к увеличению прочности комплексных соединений. Для примера можно привести значения величин р/С для следующего ряда сульфатных комплексов состава М504 [c.27]

Ионы-комплексообразователи, у которых электронная оболочка не подобна таковой у инертных газов (сюда входят ионы металлов вставных декад Периодической системы элементов), как правило, образуют значительно более прочные комплексные соединения. Можно сравнить следующие данные по комплексным соединениям стронция и ртути — МОН+ и МЗгОз. Оба иона-комплексообразователя имеют приблизительно одинаковый ионный радиус 1,13 — для стронция и 1,10 —для ртути. Однако р/С имеют следующие значительно различающиеся значения [c.27]

Недавно в работе Лэнгфорда и Грея [288] снова было подчеркнуто, что атомы, находяшиеся на одной координате Вернера, используют в своих связях одну и ту же р-орбнталь металла-комплексообразователя. Поскольку заселенность р-орбиты постоянна, образование сильной ковалентной связи Р1—А (большое перекрывание электронных оболочек этих атомов) приводит к ослаблению ковалентной связи лиганда, находящегося в транс-положении к атому А. В качестве подкреплепия своей точки зрения они использовали интегралы перекрывания. [c.250]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология