Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронная оболочка

    У каждого атома щелочных металлов электроны распределяются таким образом, что внешнюю оболочку занимает только один электрон. Поскольку при столкновении атомов в контакт вступают именно внешние электронные оболочки, то следует ожидать, что число электронов на внешней оболочке и определяет химическую активность элемента. Элементы с аналогичными внешними электронными оболочками имеют сходные свойства, как, например, вышеупомянутые щелочные металлы. [c.158]


    Свойства ионных соединений во многом определяются взаимной поляризацией входящих в их состав ионов. Поляризация иона выражается в относительном смещении ядра и окружающих его электронов внешней электронной оболочки под действием электрического поля соседнего иона при этом валентные электроны смещаются в сторону катионов. Подобная деформация электронной оболочки ведет к понижению степени ионности связи и к превращению ее в полярную ковалентную связь. [c.67]

Рис. 1. Изображение распределения зарядов я-электронов в электронной оболочке бензола (рис. 12-1 [159], стр. 163). Рис. 1. Изображение <a href="/info/382553">распределения зарядов</a> я-электронов в электронной оболочке бензола (рис. 12-1 [159], стр. 163).
    Особенность строения электронной оболочки атома водорода (как н гелия) не позволяет однозначно решить, в какой группе периодической системы он должен находиться. Действительно, если исходить И числа валентных электронов его атома, то водород должен нахо-д.1ться в I группе, что подтверждается также сходством спектров щ,е-лочных металлов и водорода. Со щелочными металлами сближает водород И его способность давать в растворах гидратированный положительно однозарядный ион Н+ (р). Однако в состоянии свободного иона Н + (г) — протона — он не имеет ничего общего с ионами щелочных мгталлов. Кроме того, энергия ионизации атома водорода намного больше энергии ионизации атомов щелочных металлов. [c.272]

    ЭЛЕКТРОННАЯ ОБОЛОЧКА АТОМА [c.10]

    Для того чтобы обобществленные электроны оставались на внешних электронных оболочках атомов, эти атомы должны оставаться в контакте друг с другом. Чтобы оторвать один такой атом от другого, необходима значительная энергия. Каждый атом, который образует химическое соединение в результате обобществления пары электронов, обладает валентностью 1. Этот тип валентности получил наименование ковалентность. [c.160]

    Результат исследования регистрируется в виде кривой поглощения (рис. 94), которая выражает зависимость поглощения излучения от напряженности магнитного поля. Спиновые переходы ядра зависят от состояния электронной оболочки атома. Поэтому разные молекулы и разные атомные группировки в них поглощают при разной напряженности магнитного поля. Анализ формы и положения пиков на кривой поглощения позволяет делать заключение о структуре соединений. Так, анализ кривой поглощения этилового спирта показывает, что пики (рис. 94) отвечают спиновым переходам протонов соответственно атомных группировок СНз, СНг и ОН. Таким путем подтверждается строение молекулы С2Н5ОН. [c.147]


    Кропотливое и тщательное изучение рентгеновских лучей показало, что и обобществление, и перераспределение электронов подчиняется какому-то определенному порядку, и в результате была выдвинута следующая гипотеза. Окружающие ядро атома электроны подразделяются на определенные группы и образуют так называемые электронные оболочки. Ближайшая к ядру атома оболочка получила название К-оболочка, а последующие оболочки были названы соответственно Ь-оболочка, М-оболочка, М-оболочка [c.157]

    Образование водородной связи обязано ничтожно малому размеру положительно поляризованного аюма водорода и его способности глубоко внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) отрицательно поляризованного атома. Вследствие этого при возникновении водородной связи наряду с электростатическим взаимодействием проявляется и донорно-акцепторное взаимодействие. Водородная связь весьма распространена и играет важную роль при ассоциации молекул, в процессах кристаллизации, растворения, образования кристаллогидратов, электролитической диссоциации и других важных физико-химических процессах. Например, в твердом, жидком и даже в газообразном состоянии молекулы фторида водорода НР ассоциированы в зигзагообразные цепочки вида [c.92]

    Сиборг и его группа установили, что трансурановые элементы похожи друг на друга, как похожи друг на друга редкоземельные элементы (см. гл. 8). Объясняется это сходство теми же самыми причинами новые электроны размещаются на внутренних электронных оболочках, а внешняя электронная оболочка с тремя электронами остается неизменной. Первый ряд элементов, начинающийся с лантана (порядковый номер 57), получил название ряда лантаноидов, а более новый, начинающийся с актиния (порядковый номер 89) — рядом актиноидов. [c.176]

    Ионная связь — результат электростатического взаимодействия противоположно заряженных ионов, обладающих обособленными друг от друга электронными оболочками ( s+F , Na+ h и т. п.). [c.53]

    Уравнение Ван-дер-Ваальса дает достаточно точные результаты для всех газов даже в области их критических температур и давлений. Однако при высоких давлениях, когда плотность газа велика или когда газ находится вблизи точки сжижения, это уравнение дает значительные отклонения от действительного поведения газа (ср. приведенные выше примеры 2 н 3). Отклонения объясняются тем, что при большой плотности газа иа его давление оказывают влияние не только силы взаимного притяжения, но также и силы взаимного отталкивания частиц, обусловленные внешними электронными оболочками этих частиц. Кроме того, здесь на реальное поведение газа в значительной мере также оказывают влияние неупругие столкновения его частиц и другие факторы. В связи с этим, кроме уравнения Ван-дер-Ваальса, был предложен ряд других, более сложных уравнений для реального состояния газов, на которых мы здесь останавливаться не будем, так как они для ггракгики технологических расчетов интереса не представляют. Уравнением Ван-дер-Ваальса в производственных расчетах также пользуются довольно редко наиболее удобными и более точными для этого являются энтропийные диаграммы (глава IV, стр. 103). [c.57]

    Согласно современной теории атомное ядро имеет оболочечное строение. Протоны и нейтроны независимо друг от друга заполняют ядерные слои и подслои, подобно тому как это наблюдается для электронов в электронной оболочке атома. [c.9]

    Немецкий химик Рихард Абегг (1869—1910) в 1904 г. указал, что электронная структура инертных газов должна быть особенно устойчивой. Атомы инертных газов не проявляют тенденции к уменьшению или увеличению числа электронов на внешних электронных оболочках и поэтому не участвуют в химических реакциях. [c.158]

    Причиной молекулярной ассоциации в водных растворах и многих жидкостях часто является возникновение водородной связи между соприкасающимися полярными частями молекул, содержащих, например, гидроксильные группы (см. стр. 164). Такая ассоциация проявляется также и при адсорбции на адсорбентах, содержащих на поверхности гидроксильные группы, например при адсорбции воды, спиртов, аммиака, аминов и т. п. на поверхностях гидроокисей, т. е. на гидроксплированных поверхностях силикагелей, алюмогелен, алюмосил икатных катализаторов и т. п. адсорбентов. Поверхность силикагеля покрыта гидроксильными группами, связанными с атомами кремния кремнекислородного остова. Вследствие того что электронная -оболочка атома кремния не заполнена, распределение электронной плотности в гидроксильных группах поверхности кремнезема таково, что отрицательный заряд сильно смеш.ен к атому кислорода, так что образуется диполь с центром положительного заряда у атома водорода, размеры которого невелики. Часто молекулы адсорбата, обладающие резко смеш,енной к периферии электронной плотностью или неподеленными электронными парами (например, атомы кислорода в молекулах воды, спиртов или эфиров), образуют дополнительно к рассмотренным выше взаимодействиям водородные [c.496]

    Можно было сделать вывод, что электронные оболочки инертных газов наиболее устойчивы, а другие атомы могут отдавать или принимать электроны, пока их электронная структура не станет такой же, как у ближайшего инертного газа. [c.159]

    Глава 1. Электронная оболочка атома I  [c.11]

    Квантовые состояния электронов, емкость трех слоев и подслоев электронных оболочек [c.20]


    Большое различие в физических свойствах можно объяснить сравнительно жесткой валентной электронной оболочкой атома фтора но сравнению с другими галоидами, результатом чего является незначительная поляризуемость молекулы и очень слабые межмолекулярные силы. В этом отношении интересно отметить, что атомная поляризуемость фтора имеет больше сходства с таковой водорода, чем с остальными галоидами, и что можно ожидать даже большого различия между полностью фторированными углеводородами и сполна хлорированными и бромирован-ными углеводородами. Однако имеюш иеся данные недостаточны для точного сравнения. [c.77]

    Выделением энергии сопровождается присоединение одного электрона к атомам кислорода, серы, углерода и некоторым другим. Таким образом, для указанных элементов силы притяжения к ядру дополнительного электрона оказываются большими, чем силы отталкивания между дополнительным электроном и электронной оболочкой атома. [c.35]

    Конфигурация электронной оболочки иевоз( ужденного атома определяется зарядом его ядра. Электроны с одинаковым значением главного квантового числа п об-разукт квантовый слой близких по размерам облаков. Слои с га = I, 2, 3, 4,. .. обозначаются соответственно буквами К, Ь, М. N.... По мере удаления от ядра емкость слоев увеличивается и в соответствии со 31 ачением п составляет 2 (слой К), 8 (слой Ь), 18 (слой М), 32 (слой Л/). .. элект-роноЕ (см. табл. 2). Квантовые слои в свою очередь построены из подслоев, объединяющих электроны с одинаковым значением орбитального квантового числа I. А подслои составлены из орбиталей на каждой орбитали могут находиться максимум два электрона (с противоположными спинами). [c.21]

    Составляя периодическую таблицу, Менделеев, разумеется, сам того не зная, расположил элементы в соответствии со строением электронных оболочек их атомов. [c.158]

    При других электронных конфигурациях наблюдается большее или меньшее искажение октаэдрической структуры. Так, при конфигурациях электронной оболочки комплекса [c.518]

    В отлячие от подгруппы мышьяка в подгруппе ванадия по мере увеличения порядкового номера элемента уплотняются электронные оболочки атомов. Об этом свидетельствуют рост в ряду V—МЬ—Та первой энергии ионизации и характер изменения атомных и ионных радиусов. Вследствие лантаноидного сжатия атомные и ионные радиусы ЫЬ и Та практически одинаковы, поэтому ниобий и тантал по свойствам ближе друг к другу, чем к ванадию. [c.539]

    Притяжению молекул противодействует отталкивание, имеющее значение при малых расстояниях и обусловленное, в основном, взаимодействием электронных оболочек. Это отталкивание в совокупности с тепловым движением уравновешивает притяжение. Таким образом устанавливаются средние равновесные расстояния между движущимися (колеблющимися, вращающимися и эпизодически перемещающимися) молекулами жидкости. [c.163]

    Нейтроны, проходя через вещество, сталкиваются и взаимодействуют только с ядрами атомов и могут быть поглощены ими, а элемент, таким образом, будет превращен в изотоп. В результате распада ядер этих изотопов могут образоваться новые элементы. Если нейтрон не захватывается ядром, то он может выбить атом из молекулы. Скорость выбитого атома может быть настолько большой, что он потеряет один или несколько электронов. При небольших энергиях нейтронов скорость выбитого атома невелика, и он сохраняет свою электронную оболочку, хотя последняя может придти в возбужденное состояние. [c.260]

    Выше было показано (см. стр. 499), какую важную роль играют гидроксильные группы на поверхности окислов в отношении адсорбции молекул, имеющих дипольиые и квадрупольные моменты или зг-электронные связи. Поэтому увеличение концентрации гидроксильных и других активных функциональных групп на поверхности адсорбента (гидратация поверхности окислов, окисление саж) увеличивает энергию адсорбции таких молекул, мало изменяя энергию адсорбции молекул с более симметричными электронными оболочками (благородные газы, ССи, насыщенные углеводороды). Наоборот, удаление таких активных функциональных групп (дегидроксилирование поверхности окислов, графитированне саж) снижает адсорбцию молекул, имеющих дипольиые к каад-рупольные моменты или и-электронные связи, мало изменяя адсорбцию молекул с более симметричными электронными оболочками. [c.503]

    Порядок формирования электронных оболочек атомов можно проследить также по помещенным на форзацах книги вариантам периодической системы элементов Д. И. Менделеева. [c.23]

    На Енешнем слое у -элементов находятся 1—2 электрона (пз-со-стояиие), остальные валентные электроны расположены в (п—1) -состоянии предвнешнего слоя. Подобное строение электронных оболочек атомов -элементов определяет ряд их общих свойств. Простые вещества, образованные переходными элементами, являются металлами (число валентных электронов в их атомах заметно меньше числа орбиталей). [c.503]

    И Т. Д. Согласно этой гипотезе, на ближайшей к ядру оболочке могут располагаться только два электрона, на следующей L-обо-лочке — восемь, на М-оболочке — восемнадцать и т. д., т. е. чем дальше оболочка удалена от ядра, тем больше электронов на ней может располагаться. Например, три электрона атома лития, одиннадцать электронов атома натрия и девятнадцать электронов атома калия распределяются по электронным оболочкам в следующем порядке Li 2, 1 Na 2, 8, I К 2, 8, 8, 1. [c.158]

    Молекулярная теория трения была предложена Дезагюлье более 100 лет назад, а развитие получила только в XX в. в трудах Гарди, Томлинсона, Дерягина и других ученых [236]. Наибольший вклад в разработку этой теории внес Б. В. Дерягин. В соответствии с его теорией трение в случае гладких поверхностей вызывается молекулярной шероховатостью, т. е. силами отталкивания электронных оболочек контактирующих тел, а силы прилипания, или молекулярного притяжения, должны рассматриваться как поправки, объясняющие отклонения от закона Амонтона . Формула, удовлетворительно подтверждающая эту теорию, имеет вид [c.224]

    Все свойства элементов, определяемые электронной оболочкой атома, закономерно изменяются по периодам и группам периодической системы. При этом, поскольку в ряду элементов-аналогов электронные структуры с X о д н ы, но н е т o fk ji е с т в е н н ы, при переходе от одного элемента к другому в группах и подгруппах на-блюдаегся не простое повторение свойств, а их более или менее отчетливо выраженное закономерное изменение. [c.31]

    Основное положение теории Льюиса заключается в том, что кислотно-основные процессы не могут сводиться только к передаче протона. По Льюису, кислота — это вещество, сгособное использовать свободную пару электронов посторонней молекулы для образования устойчивой электронной оболочки, а основани е— это вещество, обладающее свободной парой электронов, которая может быть использована для образования устойчивой электронной конфигурации с посторонним атомом. Таким образом, всякое равновесие, удовлетворяющее этому признаку, следует рассматривать как кислотно-основное. Например, при взаимо-де11ствии 50з и НзО вода является основанием, так как имеет свободную пару электронов, а серный ангидрид, который может взаимодействовать с водой, используя эту пару электронов, является кислотой. [c.471]

    Поляризация молекул. В жестком (устойчивом) диполе центр тяжести положительных зарядов расположен на некотором расстоянии от центра тяжести отрицательных зарядов. В неполярной молекуле центры тяжести совпадают. Однако в электрическом поле (например, между заряженными пластянами конденсатора) такая молекула приобретает свойства диполя вследствие того, что центр тяжести ее положительных зарядов (ядер) смещается в сторону отрицательно заряженной пластины, а центр тяжести отрицательных зарядов (электронных оболочек) —в сторону положительно заряженной пластины. Таким образом, центры тяжести положительных и отрицательных зарядов будут раздвинуты и возникнет индуцированный диполь. Описанное явление называется поляризацией. [c.68]

    Массовое число атома некоторого элемента равно 181, в электронной оболочке атома содержится 73 электрона. Указать число протонов н не1ггронов в ядре атома и название элемента. [c.51]

    При одном и том же заряде и одинаковом радиусе ионов поляризуемость ионов с 18-электрониой оболочкой (например, Си+, Сс1 +) выше, чем ионов с благородногазовой электронной структурой (N3+, Сг + и т. п.). [c.68]

    Ион Са + обладает благородногазовой электронной структурой, а его радиус составляет 0,104 им поэтому оп оказывает более слабое иоляризуюи1ее действие на анион, чем ион ll +. С другой стороны, поляризуемость иона F , обладающего сравнительно малыми размерами (г = 0,133 нм), значительно меньше, чем иона I . При взаимодействии слабоноляризуюшего катиона Са - со слабо поляризующимися анионом F- электронные оболочки ионов почти не деформируются соединение aFa очень устойчиво. [c.69]

    Ял )о атома некоторого элемента содержит 16 нейтронов, а электронная оболочки этого атома — 15 эле]гг110П0в. Назвать элемент, изотопом ь оторого является данный атом. Привести запись его символа с указанием заряда ядра и массового числа. [c.51]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронная оболочка: [c.157]    [c.160]    [c.151]    [c.548]    [c.301]    [c.298]   
Химический тренажер. Ч.1 (1986) -- [ c.6 , c.38 , c.46 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1996) -- [ c.35 ]

Химическая связь (0) -- [ c.52 , c.71 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.35 ]

Химия (2001) -- [ c.233 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1985) -- [ c.35 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.35 ]

Принципы органического синтеза (1962) -- [ c.23 , c.35 ]

Квантовая механика (1973) -- [ c.358 ]

Введение в электронную теорию органических реакций (1965) -- [ c.13 , c.17 , c.23 ]

Курс теоретических основ органической химии (1975) -- [ c.2 , c.3 , c.4 ]

Органическая химия для студентов медицинских институтов (1963) -- [ c.35 , c.50 ]

Краткая химическая энциклопедия Том 1 (1961) -- [ c.315 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.29 , c.39 ]

Общая и неорганическая химия (1994) -- [ c.7 , c.31 , c.42 ]

Химическая связь (1980) -- [ c.52 , c.71 ]

Краткая химическая энциклопедия Том 1 (1961) -- [ c.315 ]

Основы общей химии Том 3 (1970) -- [ c.255 , c.278 , c.279 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Актиний строение электронной оболочки

Актиноидная гипотеза. Строение электронных оболочек

Алюминий строение электронных оболочек

Америций строение электронных оболочек

Бериллий строение электронных оболочек

Вакуумноплотное склеивание элементов оболочек некоторых типов отпаянных электронных приборов

Валентные оболочки, содержащие более шести электронных пар

Влияние строения внутренних электронных оболочек на размещение и сдвиги элементов в периодической системе Менделеева

Влияние строения электронной оболочки (3d) на величину расщепления d-уровней центрального иона полем одного и того же лиганда . 376. Влияние силы поля лигандов на величину расщепления d-уровней (для одного и того же иона — комплексообразователя в октаэдрической координации -лигандов)

Время деформации электронных оболочек

Вспомогательные таблицы для составления электронных формул строения оболочек атомов элементов

Галлий строение электронных оболочек

Германий строение электронных оболочек

Голлемана нейтральными группами с незаполненными электронными оболочкам

Дальнейшее развитие теории строения атома. Электронные оболочки атомов

Деформация электронных оболочек Диаграммы показатель преломления—состав

Деформация электронных оболочек Дисперсия аномальная

Дисперсионные силы и отталкивание электронных оболочек

Железо циклобутадиен трикарбонил Жесткость электронной оболочки

Жесткие и мягкие электронные оболочки молекул

Замкнутая оболочка нз шести я-электронов

Заполнение атомных орбиталей электронами. Связь между строением электронных оболочек и положением элемента в Периодической системе. Использование Периодической системы для определения порядка заполнения энергетических уровней и подуровней

Заполнение электронных слоев и оболочек

Заполнение электронных слоев и оболочек в атомах элементов

Заселенность внешней электронной оболочки . 3.4.2. Атомные и ионные радиусы . 3.4.3. Окислительно-восстановительные свойства Релятивистские эффекты

Золото атом, электронные оболочки

Изучение влияния гидратной оболочки на электронную оболочку иона по электронным спектрам поглощения

Инертные газы число электронов в оболочках

Иридий атом, электронные оболочки

Иттербий, перестройка электронных оболочек

Кадмий строение электронных оболочек

Калин атом, электронная оболочка

Квантово-механические представления о строении электронной оболочки атома углерода

Квантово-статистическое представление об электронной оболочке атома. Волновая природа электрона

Квантовомеханические представления о строении электронной оболочки атома углерода

Кислород электронная оболочка

Комплексообразователь электронная оболочка

Концепция отталкивания электронных пар валентной оболочки

Кремний строение электронных оболочек

Льюиса отталкивания электронных пар валентной оболочки

Многоэлектронные атомы. Принцип Паули. Построение электронных оболочек атомов по периодической системе. Закон Мозли

Модель Бора и заполнение электронных оболочек

Модель атома Бора и заполнение электронных оболочек

Модель отталкивания электронных пар валентной оболочки (ОЭПВО)

Мутагенные вещества Мягкость электронной оболочки

Оболочка

Оболочка электронная инертных газов

Оболочка электронная, определение

Оболочка электронная, определение понятия

Оболочки валентные расположение электронных пар

Оболочки и подоболочки электронов

Оболочки электронные незамкнутые

Оболочки электронные, строение

Один электрон вне заполненной оболочки

Окись бериллия электронная оболочка

Осмии атом, электронные оболочки

Основа, молекулярно-орбитального описания электронных оболочек молекул

Палладии атом, электронные оболочки

Периодическая система химических элементов Д. И. Менделеева как классификация атомов по строению их электронной оболочки

Периодическая система элементов и структура электронной оболочки атомов

Периодический закон Д. И. Менделеева и строение электронных оболочек атомов

Периодический закон. Связь Периодического закона со строением электронных оболочек атомов

Планетарная модель . 2.2.2. Атомные спектры . 2.2.3. Квантовая теория света . 2.2.4. Строение электронной оболочки атома по Бору Предположение де Бройля

Платина атом, электронные оболочки

Платиновые металлы атомы, электронные оболочки

Поляризация электронных оболочек

Построение электронных оболочек атомов по периодической системе. Закон Мозли

Принцип Паули и заполнение электронных оболочек

Протон проникание внутрь электронной оболочки

Развитие периодической системы элементов Менделеева на основе строения электронных оболочек атомов

Размещение от 7 до 12 электронных пар на валентной оболочке

Расчет электронных оболочек молекул как системы тождественных частиц. Метод самосогласованного поля

Ртуть строение электронных оболочек

Рубидий электронные оболочки

Рубидий, перестройка электронных оболочек

Рутений атом, электронные оболочки

Свойства молекул, имеющих пять электронных пар на валентной оболочке центрального атома

Серебро атом, электронная оболочка

Соответствие между электронной оболочкой и ядром атома

Сопоставление я-электронного приближения и методов, учитывающих все электроны валентной оболочки возможность использования приближения Хюккеля

Спектральные характеристики конечных молекулярных графов — Замкнутость я-электронной оболочки и графические способы оценки числа положительных, отрицательных и равных пулю собственных значений молекулярных графов

Спектры атомов с замкнутой электронной оболочкой

Спектры и электронные оболочки атомов

Стабильность электронных конфигураций и влияние заполнения оболочек на энергию связи внешних электронов

Степень электронных оболочек

Строение атома и периодический закон Д. И. Менделеева Строение электронных оболочек атомов

Строение вещества Строение электронных оболочек

Строение седьмого периода на основании общих закономерностей строения электронных оболочек

Строение электронной оболочки атома по Бору

Строение электронной оболочки атома. Заполнение орбиталей электронами. Электронные конфигурации атомов элементов I—IV периодов

Строение электронной оболочки атома. Энергетические уровни

Строение электронной оболочки и конструкция периодической системы

Строение электронной оболочки и свойства элементов

Строение электронных оболочек актинидов

Строение электронных оболочек атома углерода и его особенности

Строение электронных оболочек атомо

Строение электронных оболочек атомов

Строение электронных оболочек атомов и периодическая система элементов Д. И. Менделеева

Строение электронных оболочек атомов и химические свойства элементов

Строение электронных оболочек атомов элементов первых трех периодов

Строение электронных оболочек двухатомных гомеополярных

Строение электронных оболочек и каталитические свойства переходных металлов

Строение электронных оболочек молекул

Строение ядер атомов химических элементов. Изотопы Строение электронных оболочек атомов на примере элементов IV периода

Структура электронной оболочки многоэлектронных атомов

Сурьмы руды строение электронной оболочки

Таблица Б. Конфигурации электронных оболочек в атомах

Таллий строение электронной оболочки

Теория отталкивания электронной нары валентной оболочки

Теория отталкивания электронной пары оболочки

Теория отталкивания электронных пар валентной оболочки ОЭПВО

Теория отталкивания электронных пар валентных оболочек

Теория самосогласованного поля для открытых оболочек и применение ее к я-электронным системам (Р. Лефевр)

Углерод электронная оболочка

Уравнения Хартри—Фока—Рутаана для систем с замкнутой электронной оболочкой

Химические элементы электронная оболочка

Цезий атом, внешняя электрон, оболочка

Цезий, перестройка электронной оболочки

Церий, перестройка электронной оболочки

Число электронов в слое электронной оболочки атома

Электрон оболочки

Электронная оболочка атома (II). Периодическая система Д. И. Менделеева как j естественная классификация элементов по электронным структурам атомов

Электронная оболочка атома химического элемента

Электронная оболочка замкнутая

Электронная оболочка молекул

Электронная оболочка молекул валентность

Электронная оболочка, внешняя

Электронное строение оболочки атома углерода

Электронные d и оболочки, заполнение

Электронные d и оболочки, заполнение и образование фаз с широким интервалом устойчивости по составу

Электронные вакансии дырки оболочки

Электронные конфигурации атомов оболочки и подоболочки

Электронные оболочки атома

Электронные оболочки атомов, перестройка

Электронные оболочки заполненны

Электронные оболочки и диссоциация

Электронные оболочки и периоды периодической таблицы

Электронные оболочки ионов

Электронные оболочки ионов кальция, калия, хлора, серы

Электронные оболочки структура

Электронные оболочки, деформация

Электронные оболочки, принципы построения

Электронные пары расположение на валентных оболочках

Электронные системы с открытой оболочкой. Неограниченный метод Хартри—Фока

Электронные слои и оболочки

Электронных оболочек расталкивани

Элементы химические атом, электронные оболочки и свойства

Элементы электронные оболочки

Энергетические соотношения в электронной оболочке атома

Энергии связи электронов для различных оболочек атомов (в эВ)

Энергия отталкивания электронных оболочек

Энергия связи электронов в атомах. Электронные оболочки

Эффект проникновения электронных орбит в ниже лежащие оболочки

Ядро атомное электронные оболочки

Ядро и электронная оболочка атома

афний строение электронных оболочек



© 2025 chem21.info Реклама на сайте